半導(dǎo)體封裝體的制作方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求2014年6月26日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?10-2014-0078887的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 各種實(shí)施例總體而言涉及一種半導(dǎo)體封裝體，更具體而言，涉及即使改變封裝體 的設(shè)計(jì)也允許保持相同的數(shù)據(jù)掩蔽地址映射的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0004] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件不斷被開發(fā)以提高其集成度和操作速度。為了提高操作速度，已 經(jīng)使用了能夠與從存儲(chǔ)芯片的外部提供的時(shí)鐘同步操作的所謂的同步存儲(chǔ)器件。
[0005] 首先使用的是SDR(單數(shù)據(jù)速率）同步存儲(chǔ)器件。SDR同步存儲(chǔ)器件可以與時(shí)鐘的 上升沿同步地在時(shí)鐘的一個(gè)周期內(nèi)通過一個(gè)數(shù)據(jù)引腳來輸入和輸出一個(gè)數(shù)據(jù)量。時(shí)鐘可以 從存儲(chǔ)器件的外部提供。
[0006] 然而，SDR同步存儲(chǔ)器件不能滿足需要高速操作的系統(tǒng)的速度。因此，可以使用 DDR(雙數(shù)據(jù)速率）同步存儲(chǔ)器件來在每一個(gè)時(shí)鐘周期處理兩個(gè)數(shù)據(jù)量。
[0007] 在DDR同步存儲(chǔ)器件中，與時(shí)鐘的上升沿和下降沿同步地經(jīng)由每個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸 出引腳連續(xù)地輸入和輸出兩個(gè)數(shù)據(jù)量。時(shí)鐘信號(hào)可以從DDR同步存儲(chǔ)器件的外部輸入。因 此，可以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有SDR同步存儲(chǔ)器件的至少兩倍寬的帶寬，而不增加時(shí)鐘的頻率。因而，可 以相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)高速操作。
[0008] 半導(dǎo)體器件可以被設(shè)計(jì)為功耗更小。可以通過將數(shù)據(jù)模式信息信號(hào)定義成規(guī)格來 使用數(shù)據(jù)模式信息信號(hào)。
[0009] 具體地，正在設(shè)計(jì)不僅能在外部時(shí)鐘的上升沿接收地址、而且還能在外部時(shí)鐘的 下降沿接收地址的高速操作存儲(chǔ)器，例如，圖形雙數(shù)據(jù)速率版本5(GDDR5)。由于可以每一個(gè) 周期接收地址兩次，所以地址引腳的數(shù)目與現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件相比減少。另外，可以將額 外數(shù)目的引腳與電源電壓或接地電壓連接以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作速度。
[0010] 在諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，為了實(shí)現(xiàn)單位面積的 更大容量，層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片（或裸片）然后封裝。
[0011] 僅封裝有一個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被稱作為單裸片封裝體（SDP)。層疊 并封裝有兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被稱作為雙裸片封裝體（DDP)。層疊并封裝有 四個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被稱作為四裸片封裝體（QDP)。
[0012] 根據(jù)每個(gè)器件固有的規(guī)格，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以具有用于接收數(shù)據(jù)掩蔽信息的數(shù) 據(jù)掩蔽引腳，或者可以經(jīng)由地址引腳來接收數(shù)據(jù)掩蔽信息。
[0013] 在兩個(gè)裸片被封裝在一起的雙裸片封裝體（DDP)的情況下，與單裸片封裝體 (SDP)相比較時(shí)數(shù)據(jù)掩蔽映射不同。
[0014] 換言之，在雙裸片封裝體中，兩個(gè)裸片共享地址命令引腳，但是各個(gè)裸片的存儲(chǔ)核 心區(qū)域單獨(dú)地操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝體可以包括：第一裸片、與第一裸片相鄰設(shè)置的 第二裸片、以及輸入和輸出數(shù)據(jù)掩蔽地址的多個(gè)焊盤。半導(dǎo)體封裝體還可以包括映射塊，其 被配置成根據(jù)輸入的地址，在第一裸片、第二裸片和所述多個(gè)焊盤之中映射數(shù)據(jù)掩蔽信號(hào)。
【附圖說明】
[0016] 圖1是說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的配置的代表實(shí)例的圖。
[0017] 圖2是表示圖1中所示的用于映射封裝體的映射塊的詳細(xì)配置圖。
[0018] 圖3說明利用根據(jù)以上結(jié)合圖1至圖2所討論的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的系統(tǒng)的 代表實(shí)例的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 在下文中，以下將參照附圖通過各種示例性實(shí)施例來描述半導(dǎo)體封裝體。
[0020] 如果在雙裸片封裝體和單裸片封裝體中數(shù)據(jù)掩蔽映射不同，則控制器可以執(zhí)行提 前識(shí)別兩種封裝類型的差異并且計(jì)算不同的數(shù)據(jù)掩蔽映射的額外功能。各種實(shí)施例可以針 對(duì)一種即使當(dāng)實(shí)現(xiàn)雙裸片封裝體（DDP)時(shí)也允許保持與單裸片封裝體（SDP)相同的數(shù)據(jù)掩 蔽地址映射的技術(shù)。
[0021] 根據(jù)各種實(shí)施例，可以提供的優(yōu)點(diǎn)在于，即使當(dāng)實(shí)現(xiàn)雙裸片封裝體（DDP)時(shí)，也能 允許保持與單裸片封裝體（SDP)相同的數(shù)據(jù)掩蔽地址映射。
[0022] 圖1是說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的配置的代表實(shí)例的圖。
[0023] -個(gè)實(shí)施例具有多個(gè)封裝體PKGl和PKG2。圖1說明當(dāng)俯視時(shí)所述多個(gè)封裝體 PKGl和PKG2的平面圖。例如，所述多個(gè)封裝體PKGl和PKG2可以被配置成鏡像封裝體，并 且能夠有鏡像功能。第一封裝體PKGl具有鏡像功能"MF = 0"的數(shù)據(jù)布置結(jié)構(gòu)。第二封裝 體PKG2具有鏡像功能"MF = 1"的數(shù)據(jù)布置結(jié)構(gòu)。
[0024] 諸如雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM (DDR SDRAM)的半導(dǎo)體器件可以開發(fā)成包括相對(duì)較大的 容量、高速度操作、以及更低的功耗。為了實(shí)現(xiàn)更大的容量，可以使用多個(gè)存儲(chǔ)芯片。所述 多個(gè)存儲(chǔ)芯片可以被模塊化。模塊可以包括安裝至模炔基板的多個(gè)存儲(chǔ)芯片，以及與相應(yīng) 的存儲(chǔ)芯片和模炔基板之間的連接器電連接的多個(gè)連接端子。模塊可以根據(jù)連接端子的布 置模式被分類成正常封裝體和鏡像封裝體。
[0025] 在鏡像封裝體中，當(dāng)安裝存儲(chǔ)芯片至雙側(cè)模炔基板時(shí)，形成在模炔基板的兩個(gè)表 面上的金屬線的布置彼此對(duì)稱。存儲(chǔ)芯片的引腳的布置也可以具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)。出于這個(gè)原 因，在存儲(chǔ)芯片具有相同引腳布置的情況下，可以執(zhí)行鏡像功能操作以使存儲(chǔ)芯片的引腳 布置具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)。也就是說，由于兩個(gè)存儲(chǔ)芯片的相對(duì)應(yīng)的焊盤可以彼此相對(duì)地連接，所 以出于重新配置的目的，在芯片中執(zhí)行鏡像功能操作可能是必要的。
[0026] 通過這種鏡像功能操作，例如，以X16速度操作的兩個(gè)存儲(chǔ)芯片可以通過被重疊 來使用，使得它們的引腳彼此面對(duì)，因而，一個(gè)模塊可以X32速度來操作。
[0027] 第一封裝體PKGl可以雙裸片封裝體（DDP)來配置。第一封裝體PKGl可以包括第 一裸片L-DIEl和與第一裸片L-DIEl相鄰設(shè)置的第二裸片R-DIEl。第一封裝體PKGl可以 包括多個(gè)焊盤Pl至P4,通過所述多個(gè)焊盤Pl至P4可以輸入和輸出數(shù)據(jù)掩蔽地址。
[0028] 例如，焊盤Pl的數(shù)據(jù)"0"被映射為第一裸片L-DIEl的數(shù)據(jù)"0"并且焊盤P2的數(shù) 據(jù)"1"被映射為第一裸片L-DIEl的數(shù)據(jù)"2"，由此輸入掩蔽信息。第一裸片L-DIEl的數(shù) 據(jù)"1"和數(shù)據(jù)"3"不使用。焊盤P3的數(shù)據(jù)"2"被映射為第二裸片R-DIEl的數(shù)據(jù)"2"并且 焊盤P4的數(shù)據(jù)"3"被映射為第二裸片R-DIEl的數(shù)據(jù)"0"，由此輸入掩蔽信息。第二裸片 R-DIEl的數(shù)據(jù)"1"和數(shù)據(jù)"3"不使用。
[0029] 第二封裝體PKG2可以通過雙裸片封裝體（DDP)來配置。第二封裝體PKG2可以包 括第一裸片L-DIE2和與第一裸片L-DIE2相鄰設(shè)置的第二裸片R-DIE2。第二封裝體PKG2 可以包括多個(gè)焊盤P5至P8,通過所述多個(gè)焊盤P5至P8可以輸入和輸出數(shù)據(jù)掩蔽地址。
[0030] 例如，焊盤P5的數(shù)據(jù)"3"被映射為第一裸片L-DIE2的數(shù)據(jù)"0"并且焊盤P6的數(shù) 據(jù)"2"被映射為第一裸片L-DIE2的數(shù)據(jù)"2"，由此輸入掩蔽信息。第一裸片L-DIE2的數(shù) 據(jù)" 1"和數(shù)據(jù)" 3 "不使用。焊盤P7的數(shù)據(jù)" 1"被映射為第二裸片R-DIE2的數(shù)據(jù)" 2 "并且 焊盤P8的數(shù)據(jù)"0"被映射為第二裸片R-DIE2的數(shù)據(jù)"0"，由此輸入掩蔽信息。第二裸片 R-DIE2的數(shù)據(jù)" 1"和數(shù)據(jù)" 3 "不使用。
[0031] 在具有這種配置的所述多個(gè)封裝體PKGl和PKG2中，封裝體PKGl和PKG2中的掩 蔽數(shù)據(jù)可以根據(jù)映射塊100的映射操作來映射。圖2是表示圖1中所示的用于映射封裝數(shù) 據(jù)的映射塊100的詳細(xì)配置圖。在圖2的實(shí)施例中，將圖1中所示的第一封裝體PKGl的映 射過程作為實(shí)例進(jìn)行描述。
[0032] 映射塊100可以包括：緩沖單元110和1