封裝基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]新一代的電子產(chǎn)品不僅追求輕薄短小，更朝多功能與高性能的方向發(fā)展，因此，集成電路(Integrated Circuit,簡稱IC)技術(shù)不斷地高密度化與微型化，以期在有限的晶片空間容納更多的電子元件，而其后端的封裝基板及其構(gòu)裝技術(shù)亦隨之進(jìn)展，以符合此新一代電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。
[0003]傳統(tǒng)的封裝基板采用轉(zhuǎn)換鑄模(Transfer Molding)或注射鑄模(Inject1nMolding)等方式來制作其中的鑄?；衔飳?；例如，圖1A?IC為現(xiàn)有封裝基板制作方法的不同步驟產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)剖面圖。如圖1A所示，承載板11之上形成有導(dǎo)電層12及金屬柱狀物13，當(dāng)要在導(dǎo)電層12及這些金屬柱狀物13上制作鑄?；衔飳訒r，會先將承載板11的表面劃分成多個區(qū)域，再依序于各區(qū)域分別進(jìn)行鑄模成形，例如，轉(zhuǎn)換鑄模。如圖1B所示，可先針對承載板11左側(cè)第一區(qū)域的導(dǎo)電層12及這些金屬柱狀物13制作鑄?；衔飳?4，然后再針對該承載板11右側(cè)第二區(qū)域的該導(dǎo)電層12及該等金屬柱狀物13制作另一鑄?；衔飳?4。如此會有間隙形成于不同區(qū)域的鑄模化合物層14之間，這將造成該封裝基板后續(xù)工藝的介電材料加工以及部分的承載板11裸露而致的化學(xué)污染；此外，這種多次鑄模成形的方式將會拉長封裝工藝的所需時間。因此，有必要發(fā)展新的封裝基板技術(shù)，以改善上述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為達(dá)成此目的，根據(jù)本發(fā)明的一目的，一實施例提供一種封裝基板，其包括:一承載板；一第一導(dǎo)線層，形成于該承載板上；一導(dǎo)柱層，包含數(shù)個金屬柱狀物，并形成于該第一導(dǎo)線層上；一鑄模化合物層，形成于該第一導(dǎo)線層上，包覆該承載板上所有的該第一導(dǎo)線層與上述金屬柱狀物，只露出這些金屬柱狀物的一端面；一第二導(dǎo)線層，形成于該鑄?；衔飳优c所述金屬柱狀物的露出端面上；以及一防焊層，形成于該第二導(dǎo)線層上。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的另一目的，另一實施例提供一種封裝基板的制作方法，包括下列步驟:(A)提供一承載板；(B)形成一第一導(dǎo)線層于該承載板上；(C)形成一導(dǎo)柱層于該第一導(dǎo)線層上，該導(dǎo)柱層包含數(shù)個金屬柱狀物；(D)形成一鑄?；衔飳佑谠摮休d板上，該鑄模化合物層包覆該承載板上所有的該第一導(dǎo)線層與所述金屬柱狀物；(E)移除部分的該鑄?；衔飳?，以露出所述金屬柱狀物；(F)形成一第二導(dǎo)線層于該鑄?；衔飳优c所述金屬柱狀物的露出部分上；以及(G)形成一防焊層于該第二導(dǎo)線層上；其中，該制造方法的步驟(D)只進(jìn)行一次即可。
[0006]在一實施例中，步驟(B)可包括:形成一第一光阻層于該承載板上，并圖案化該第一光阻層；形成一第一金屬層于該第一光阻層上；以及移除該第一光阻層，并同時進(jìn)行該第一金屬層的圖案化，藉以形成該第一導(dǎo)線層。
[0007]在一實施例中，步驟(C)可包括:形成一第二光阻層于該承載板上，并圖案化該第二光阻層；形成一第二金屬層于該第二光阻層上；以及移除該第二光阻層，并同時進(jìn)行該第二金屬層的圖案化，藉以形成所述金屬柱狀物。
[0008]在一實施例中，步驟(D)可包括:提供一鑄模容器，并放置一鑄模化合物于該鑄模容器中；以及壓合該鑄模容器與該承載板，并同時進(jìn)行該鑄?；衔锏墓袒逡孕纬稍撹T?；衔飳印?br>[0009]在一實施例中，步驟(D)可包括:提供一鑄模容器及一粉狀或片狀的鑄?；衔?；加熱融化使該鑄模化合物變成流體，并注入該鑄模容器中；以及壓合該鑄模容器與該承載板，并同時進(jìn)行該鑄?；衔锏墓袒?，藉以形成該鑄?；衔飳?。
[0010]在一實施例中，該鑄模化合物的材料可包含酉分酸基樹脂(Novolac-Based Resin)、環(huán)氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)、或石圭基樹脂(Silicone-Based Resin)。
[0011]在一實施例中，步驟(E)可包括:自上而下研磨該鑄?；衔飳樱钡剿鼋饘僦鶢钗锏纳隙嗣媛冻?。
[0012]在一實施例中，步驟(F)可包括:形成一第三光阻層于該第一鑄?；衔飳由希D案化該第三光阻層；形成一第三金屬層于該第三光阻層上；以及移除該第三光阻層，并同時進(jìn)行該第三金屬層的圖案化，藉以形成該第二導(dǎo)線層。
【附圖說明】
[0013]圖1A?IC為現(xiàn)有封裝基板制作方法的不同步驟產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0014]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝基板的剖面示意圖；
[0015]圖3為本發(fā)明實施例的封裝基板制作方法的流程示意圖；
[0016]圖4A?4F為對應(yīng)本發(fā)明實施例制作方法各步驟的封裝基板結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0017]圖5A?5B為本發(fā)明實施例的鑄?；衔飳咏逵蓧汉翔T模(Compress1nMolding)制作的示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記說明:11_基板；12-導(dǎo)電層；13-金屬柱狀物；14-鑄?；衔飳?；100-封裝基板；110-承載板；120-第一導(dǎo)線層；130-導(dǎo)柱層；131-金屬柱狀物；140_鑄?；衔飳樱?41-鑄模容器；142-封裝膠體；150-第二導(dǎo)線層；160_防焊層。
【具體實施方式】
[0019]為對本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，茲配合圖式詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例如下。在所有的說明書及圖示中，將采用相同的元件編號以指定相同或類似的元件。
[0020]在各個實施例的說明中，當(dāng)一元素被描述是在另一元素的「上方/上」或「下方/下」，是指直接地或間接地在該另一元素的上或之下的情況，其可能包含設(shè)置于其間的其他元素；所謂的「直接地」是指其間并未設(shè)置其他中介元素。「上方/上」或「下方/下」等的描述是以圖式為基準(zhǔn)進(jìn)行說明，但亦包含其他可能的方向轉(zhuǎn)變。所謂的「第一」、「第二」、及「第三」是用以描述不同的元素，這些元素并不因為此類謂辭而受到限制。為了說明上的便利和明確，圖式中各元素的厚度或尺寸，是以夸張或省略或概略的方式表示，且各元素的尺寸并未完全為其實際的尺寸。
[0021]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的封裝基板100的剖面示意圖。封裝基板100包含:一承載板110、一第一導(dǎo)線層120、一導(dǎo)柱層130、一鑄?；衔飳?40、一第二導(dǎo)線層150以及一防焊層160 ;其中，承載板110可以是金屬基板或玻璃纖維基板，用以承載或支持其上的導(dǎo)電線路及電子元件；第一導(dǎo)線層120形成于承載板110上，并圖案化成封裝基板100的導(dǎo)電走線，例如，金屬走線；導(dǎo)柱層130形成于第一導(dǎo)線層120上，并圖案化成數(shù)個金屬柱狀物131，例如，銅柱，用以連接第一導(dǎo)線層120與第二導(dǎo)線層150 ;鑄?；衔飳?40為第一導(dǎo)線層120與第二導(dǎo)線層150之間的絕緣層，其包覆承載板110上所有的第一導(dǎo)線層120與導(dǎo)柱層130，只露出金屬柱狀物131的一端面，使得金屬柱狀物131得以連接第一導(dǎo)線層120與第二導(dǎo)線層150 ;鑄?；衔飳?40可由適合壓縮成型(Compress1n Molding)技術(shù)的絕緣材料所組成，例如，酸酸基樹脂(Novolac-Based Resin)、環(huán)氧基樹脂(Epoxy-BasedResin)、或娃基樹脂(Silicone-Based Resin);第二導(dǎo)線層150形成于鑄?；衔飳?40與金屬柱狀物131的露出端面上，并圖案化成封裝基板100的另一導(dǎo)電走線，例如，金屬走線；防焊層160形成于第二導(dǎo)線層150及鑄模化合物層140上，用以保護(hù)第二導(dǎo)線層150不受外部物或后續(xù)工藝的傷害。封裝基板100可以是使用鑄?；ミB基板(Mold InterconnectSubstrate, HS)技術(shù)的晶片尺寸封裝的覆晶基板(Flip-Chip Chip Size Package,簡稱FCCSP)。
[0022]圖3為本發(fā)明實施例的封裝基板制作方法200的流程示意圖，而圖4A?4F及圖2為對應(yīng)本實施例制作方法200各步驟S210?S270的封裝基板100的結(jié)構(gòu)剖面圖。制作方法200的步驟詳述如下。
[0023]步驟S210，如圖4A所示，提供一承載板110，其可以是金屬基板或玻璃纖維基板，用以承載或支持其上的導(dǎo)電線路及電子元件；例如，如圖2所示的第一導(dǎo)線層120、導(dǎo)柱層130、鑄?；衔飳?40、第二導(dǎo)線層150以及防焊層160。
[0024]步驟S220，如圖4B所示，形成一第一導(dǎo)線層120于承載板110上，并圖案化成封裝基板100的導(dǎo)電走線。第一導(dǎo)線層120可藉由金屬的電鍛(Electrolytic Plating)或蒸鍍(Evaporat1n)技術(shù)來制作，例如，銅或鋁，而其導(dǎo)電走線的圖案化可藉由光微影蝕刻(Photolithography)技術(shù)來制作。例如，旋轉(zhuǎn)涂布一第一光阻層(未圖示)于承載板110上，并以曝光顯影的方式圖案化該第一光阻層；形成一第一金屬層(未圖示)于該圖案化后的第一光阻層上；藉由剝離法(Lift-off)，在移除該圖案化后的第一光阻層的同時，一并將位于該圖案化后的第一光阻層上的該第一金屬層移除，而非位于該圖案化后的第一光阻層上的該第一金屬層則被保留下來，藉以達(dá)成該第一金屬層的圖案化而形成第一導(dǎo)線層120。
[0025]步驟S230，如圖4C所示，形成一導(dǎo)柱層130于第一導(dǎo)線層120上，并圖案化成數(shù)個金屬柱狀物131，例如，銅柱或鋁柱，用以連接封裝基板100的第一導(dǎo)線層120與后續(xù)工藝將要制作的第二導(dǎo)線層150。導(dǎo)柱層130可藉由金屬的電鍍或蒸鍍技術(shù)來制作，例如，銅