半導(dǎo)體器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體器件的某些特殊應(yīng)用需求，半導(dǎo)體器件的頂層一般設(shè)置有反射層，例如 LED的反射面。反射層一般為具有高反射率的金屬材料，例如Ag、Al。一般來(lái)說(shuō)，在形成反 射層時(shí)，反射層會(huì)形成在整個(gè)半導(dǎo)體器件表面。然而，當(dāng)半導(dǎo)體器件的表面具有布線金屬 層時(shí)，反射層也不可避免地形成在布線金屬層上，這樣會(huì)導(dǎo)致反射層將布線金屬層電連接。 因此，一般需要將布線金屬層上的反射層（對(duì)應(yīng)于焊墊上的反射層）與反射層的其他部分 (對(duì)應(yīng)于焊墊外的反射層）斷開(kāi)。然而，對(duì)于一些重金屬材料（例如Ag)而言，不適合用傳 統(tǒng)的光刻和刻蝕的方法進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。
[0003] 因此，有必要提出一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件 的制作方法。所述方法包括：a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有布線金屬層， 所述布線金屬層上形成有介電層，所述介電層包括依次形成的第一介電層、第二介電層和 第三介電層，其中所述第二介電層的材料不同于所述第一介電層和所述第三介電層；b)依 次對(duì)所述第三介電層、所述第二介電層和所述第一介電層進(jìn)行圖案化，以形成第一凹槽；c) 采用濕法刻蝕從所述第一凹槽向兩側(cè)對(duì)所述第二介電層進(jìn)行刻蝕，以在所述第一介電層和 所述第三介電層之間形成橫向槽，并使所述第一凹槽暴露所述布線金屬層；以及d)在所述 布線金屬層以及所述第三介電層上形成反射層，且所述布線金屬層上的反射層與所述第三 介電層上的反射層斷開(kāi)。
[0005] 優(yōu)選地，所述a)步驟中，所述介電層的形成方法包括：在所述布線金屬層上形成 所述第一介電層；對(duì)所述第一介電層進(jìn)行圖案化，以形成暴露所述布線金屬層的第二凹槽， 其中所述第二凹槽位于所述第一凹槽的周圍；在所述第二凹槽內(nèi)和所述第一介電層上形成 所述第二介電層；以及在所述第二介電層上形成所述第三介電層。
[0006] 優(yōu)選地，所述濕法刻蝕還包括去除所述第二凹槽內(nèi)的所述第二介電層的至少一部 分。
[0007] 優(yōu)選地，所述方法在形成所述第二凹槽后且形成所述第二介電層之前，還包括在 所述第二凹槽內(nèi)和所述第一介電層上形成刻蝕停止層。
[0008] 優(yōu)選地，所述第一介電層和所述第三介電層的材料為正硅酸乙酯，所述第二介電 層的材料為硼磷娃玻璃。
[0009] 優(yōu)選地，所述濕法刻蝕的刻蝕劑為氫氟酸。
[0010] 優(yōu)選地，在所述b)步驟中，所述第一凹槽內(nèi)剩余預(yù)定厚度的所述第一介電層。
[0011] 優(yōu)選地，在所述第三介電層和所述反射層之間形成有鈍化層。
[0012] 優(yōu)選地，所述反射層的材料為Ag。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件采用上述任一 種方法制備。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制作方法在第一介電層和第三介電層之間形成橫向 槽，從而能夠使得布線金屬層上的反射層（對(duì)應(yīng)于焊墊上的反射層）與第三介電層上的反 射層（對(duì)應(yīng)于焊墊外的反射層）斷開(kāi)。且該方法不需要金屬層次版定義，簡(jiǎn)化工藝，提高特 殊廣品性能。
[0015] 在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn) 一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0016] 以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
[0018] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖；
[0019] 圖2A-2G是根據(jù)圖1所示的流程圖制作半導(dǎo)體器件的過(guò)程中獲得的半導(dǎo)體器件的 結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖；以及
[0021] 圖4A-4J是根據(jù)圖3所示的流程圖制作半導(dǎo)體器件的過(guò)程中獲得的半導(dǎo)體器件的 結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 接下來(lái)，將結(jié)合附圖更加完整地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。但 是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供 這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在 附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相 同的元件。
[0023] 應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"在...上"、"與...相鄰"、"連接到"或"耦合到"其 它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其他元件或?qū)樱?或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為"直接在...上"、"與...直接相鄰"、 "直接連接到"或"直接耦合到"其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?br>[0024] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法。圖1中示出了根據(jù)本 發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖，圖2A-2G示出了根據(jù)圖1中 所示的方法制作半導(dǎo)體器件的過(guò)程中形成的半導(dǎo)體器件的剖視圖，下面將結(jié)合圖1和圖 2A-2G詳細(xì)描述本方法。
[0025] 步驟SllO :提供半導(dǎo)體襯底210,半導(dǎo)體襯底210上形成有布線金屬層220,布線 金屬層220上形成有介電層，介電層包括依次形成的第一介電層231、第二介電層232和第 三介電層233,其中第二介電層232的材料不同于第一介電層231和第三介電層233。
[0026] 如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底210。該半導(dǎo)體襯底210可以是硅、絕緣體上 硅（SOI)、絕緣體上層疊硅（SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅（S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅 (SiGeOI)以及絕緣體上鍺（GeOI)中的至少一種。半導(dǎo)體襯底210中可以形成有用于隔離 有源區(qū)的淺溝槽隔離（STI)等，淺溝槽隔離可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟摻雜玻璃 和/或其他現(xiàn)有的低介電材料形成。當(dāng)然，半導(dǎo)體襯底210中還可以形成有摻雜阱（未示 出）等等。為了圖示簡(jiǎn)潔，在這里僅用方框示意出來(lái)。
[0027] 半導(dǎo)體襯底210上形成有布線金屬層220。如圖2B所示，在半導(dǎo)體襯底210上形 成布線金屬層220。布線金屬層220可以通過(guò)現(xiàn)有的光刻和刻蝕技術(shù)形成在半導(dǎo)體襯底210 之上的、具有金屬互連圖案的金屬層。布線金屬層220的材料可以是Cu、Al、Au、Pt、Cr、Mo、 W、Mg、Be、Zn、PcU CcU Hg、Si、Zr、Ti和Sn中的一種或多種。此外，布線金屬層220可以為 一層或多層結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)潔，這里也同樣僅用方框示意出來(lái)。
[0028] 如圖2C所示，在布線金屬層220上形成介電層。介電層包括依次形成的第一介電 層231、第二介電層232和第三介電層233。其中第二介電層232的材料不同于第一介電層 231和第三介電層233。作為TK例，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一介電層231和第三介 電層233的材料可以相同，例如，第一介電層231和第三介電層233可以均為正娃酸乙酯， 而第二介電層232的材料可以為硼磷硅玻璃。當(dāng)用特定的刻蝕劑，例如氫氟酸對(duì)介電層進(jìn) 行刻蝕時(shí)，由于特定的刻蝕劑對(duì)上述兩種材料的刻蝕速率不同，例如可以對(duì)第二介電層232 刻蝕較多，而對(duì)第一介電層231和第三介電層233刻蝕很少或基本不刻蝕，因此在第二介電 層232中可以形成下文將要提到的橫向槽260 (圖2F)。
[0029] 第一介電層231、第二介電層232以及第三介電層233的厚度可以根據(jù)實(shí)際情況 確定。作為示例，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一介電層的231厚度可以為18K1 (千 埃），第二介電層232的厚度可以為3KA，第三介電層233的厚度可以為10KA。當(dāng)然，本發(fā) 明無(wú)欲對(duì)介電層的厚度進(jìn)行限制，其可以根據(jù)實(shí)際情況合理地選擇。
[0030] 一般來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體器件中，