半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
[0001]本發(fā)明是2012年02月23日所提出的申請(qǐng)?zhí)枮?01210042406.7、發(fā)明名稱為《半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)》的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，且特別是涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0003]晶片封裝的目的在于保護(hù)裸露的晶片、降低晶片接點(diǎn)的密度及提供晶片良好的散熱。常見的封裝方法是晶片通過(guò)打線(wire bonding)或覆晶接合(flip chip bonding)等方式而安裝至一封裝載板，以使晶片上的接點(diǎn)可電性連接至封裝載板。因此，晶片的接點(diǎn)分布可藉由封裝載板重新配置，以符合下一層級(jí)的外部元件的接點(diǎn)分布。
[0004]然而，目前將適于采用覆晶接合的封裝載板直接轉(zhuǎn)換成適于打線接合的封裝載板時(shí)，焊線接墊的位置是鄰近于晶片的側(cè)表面。也就是說(shuō)，若晶片為發(fā)光二極體晶片時(shí)，焊線接墊的位置是鄰近晶片的發(fā)光面。如此一來(lái)，當(dāng)焊線設(shè)置于焊線接墊上時(shí)，焊線會(huì)吸收發(fā)光二極體所發(fā)出的光，進(jìn)而降低整體封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，具有較佳的出光效率。
[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提出一種適于提供至少一接墊與外部電路電性連接的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括絕緣基板、圖案化導(dǎo)電層以及發(fā)光二極體晶片。絕緣基板具有上表面。配置于絕緣基板上的圖案化導(dǎo)電層包括多條線路與接墊，且發(fā)光二極體晶片覆晶接合于圖案化導(dǎo)電層上，其中發(fā)光二極體晶片與線路電性連接。發(fā)光二極體晶片于圖案化導(dǎo)電層上覆蓋矩形區(qū)域，接墊設(shè)置于矩形區(qū)域的對(duì)角線的延伸位置。
[0007]本發(fā)明的實(shí)施例提出一種適于提供至少一接墊與外部電路電性連接的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括絕緣基板、圖案化導(dǎo)電層、發(fā)光二極體晶片以及保護(hù)層。配置于絕緣基板上的圖案化導(dǎo)電層包括多條線路與接墊，且發(fā)光二極體晶片覆晶接合于圖案化導(dǎo)電層上。保護(hù)層配置于圖案化導(dǎo)電層上，且保護(hù)層暴露矩形區(qū)域與接墊。發(fā)光二極體晶片配置于矩形區(qū)域，且矩形區(qū)域暴露部分這些線路，其中接墊與矩形區(qū)域的角落之間的距離為接墊與矩形區(qū)域之間的最短距離。
[0008]本發(fā)明的實(shí)施例提出一種適于提供至少一接墊與外部電路電性連接的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括絕緣基板、圖案化導(dǎo)電層以及發(fā)光二極體晶片。絕緣基板具有上表面。配置于絕緣基板上的圖案化導(dǎo)電層包括多條線路與接墊，且發(fā)光二極體晶片配置于圖案化導(dǎo)電層上并與線路電性連接。發(fā)光二極體晶片于圖案化導(dǎo)電層上覆蓋矩形區(qū)域，接墊設(shè)置于矩形區(qū)域的對(duì)角線的延伸位置。
[0009]本發(fā)明的實(shí)施例提出一種適于提供至少一接墊與外部電路電性連接的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括絕緣基板、圖案化導(dǎo)電層、發(fā)光二極體晶片以及保護(hù)層。配置于絕緣基板上的圖案化導(dǎo)電層包括多條線路與接墊，且發(fā)光二極體晶片配置于圖案化導(dǎo)電層上并與線路電性連接。保護(hù)層配置于圖案化導(dǎo)電層上，且保護(hù)層暴露矩形區(qū)域與接墊。發(fā)光二極體晶片配置于矩形區(qū)域，其中接墊與矩形區(qū)域的角落之間的距離為接墊與矩形區(qū)域之間的最短距離。
[0010]基于上述，本發(fā)明的接墊是與發(fā)光二極體晶片在圖案化導(dǎo)電層上的正投影(即為矩形)的一角落對(duì)應(yīng)設(shè)置。換言之，發(fā)光二極體晶片與外部電路電性連接時(shí)可以保持一定距離，且接墊的位置是在發(fā)光二極體晶片出光強(qiáng)度相對(duì)弱的地方，因此可降低外部電路吸收發(fā)光二極體晶片所發(fā)出的光的可能性，可使得本發(fā)明的整體半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)能具有較佳的出光效率。
[0011]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0013]圖1B為圖1A的發(fā)光二極體晶片、接墊及導(dǎo)電連接件三者之間相對(duì)關(guān)系的俯視示意圖。
[0014]圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0015]圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0016]圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0017]【附圖說(shuō)明】:
[0018]100a、100b、100c、10d:半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
[0019]110:絕緣基板
[0020]112:上表面
[0021]113:元件配置區(qū)
[0022]115:元件接合區(qū)
[0023]120a、120b:圖案化導(dǎo)電層
[0024]121:表面
[0025]122a、122b:線路
[0026]124a、124b:接墊
[0027]130a、130b:發(fā)光二極體晶片
[0028]132:晶片基板
[0029]134:半導(dǎo)體層
[0030]134a:N型摻雜層
[0031]134b:發(fā)光層
[0032]134c:P型摻雜層
[0033]136、138:接點(diǎn)
[0034]139:反射層
[0035]140:導(dǎo)電連接件
[0036]142:第一端點(diǎn)
[0037]144:第二端點(diǎn)
[0038]150:外部電路
[0039]160:保護(hù)層
[0040]C:角落
[0041]Cl:頂點(diǎn)
[0042]R:水平距離
【具體實(shí)施方式】
[0043]圖1A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖1B為圖1A的發(fā)光二極體晶片、接墊及導(dǎo)電連接件三者之間相對(duì)關(guān)系的俯視示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖1A與圖1B，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)10a包括一絕緣基板110、一圖案化導(dǎo)電層120a、一發(fā)光二極體晶片130a以及一導(dǎo)電連接件140。
[0044]詳細(xì)來(lái)說(shuō)，絕緣基板110具有一上表面112，其中上表面112可區(qū)分為一元件配置區(qū)113與一位于元件配置區(qū)113外側(cè)的元件接合區(qū)115。圖案化導(dǎo)電層120a配置于絕緣基板110上，且位于上表面112上。圖案化導(dǎo)電層120a包括多條線路122a與至少一接墊124a (圖1A與圖1B中僅示意地示出一個(gè))，其中線路122a位于元件配置區(qū)113內(nèi)，而接墊124a位于元件接合區(qū)115內(nèi)，且接墊124a與線路122a之一相連接。
[0045]發(fā)光二極體晶片130a覆晶接合于圖案化導(dǎo)電層120a上，且位于元件配置區(qū)113，其中發(fā)光二極體晶片130a與線路122a電性連接。更具體來(lái)說(shuō)，發(fā)光二極體晶片130a包括一晶片基板132、一半導(dǎo)體層134以及多個(gè)接點(diǎn)136、138，其中半導(dǎo)體層134位于晶片基板132與接點(diǎn)136、138之間，而接點(diǎn)136、138連接圖案化導(dǎo)電層120a。此外，半導(dǎo)體層134包括一 N型摻雜層134a、一發(fā)光層134b以及一 P型摻雜層134c。發(fā)光層134b位于N型摻雜層134a與P型摻雜層134c之間，而接點(diǎn)136、138則分別與N型摻雜層134b與P型摻雜層134c電性連接。值得一提的是，為了增加光取出效率，必須避免發(fā)光二極體晶片130a的發(fā)光層134b所發(fā)出的光線被絕緣基板110吸收，因此絕緣基板110可例如是一透明絕緣基板，透明絕緣基板的材料包括氮化鋁或藍(lán)寶石。
[0046]導(dǎo)電連接件140配置于圖案化導(dǎo)電層120a上，且位于元件接合區(qū)115。導(dǎo)電連接件140具有一第一端點(diǎn)142與一第二端點(diǎn)144，其中第一端點(diǎn)142與接墊124a電性連接，而第二端點(diǎn)144與一外部電路150電性連接。于此，導(dǎo)電連接件140例如是一焊線或一電線，而外部電路150例如是一導(dǎo)線架、一線路基板或一印刷電路板。
[0047]特別是，本實(shí)施例的發(fā)光二極體晶片130a于圖案化導(dǎo)電層120a上的正投影為一矩形，而接墊124a與矩形的一角落C對(duì)應(yīng)設(shè)置，且角落C的一頂點(diǎn)Cl至導(dǎo)電連接件140的第一端點(diǎn)142之間的水平距離R大于等于30微米。換言之，以角落C的頂點(diǎn)Cl為圓心，且以水平距離R為半徑所圍出的3/4圓形的輪廓上皆可設(shè)置導(dǎo)電連接件140。較佳地，角落C的頂點(diǎn)Cl至導(dǎo)電連接件140的第一端點(diǎn)142之間的水平距離R小于等于I毫米(mm)。需說(shuō)明的是，雖然于圖1B中所示出的接墊124a的外型實(shí)質(zhì)上為矩形，但于其他未示出的實(shí)施例中，接墊124a的外型亦可為圓形或其他適當(dāng)?shù)亩噙呅?，在此并不加以限制?br>[0048]由于本實(shí)施例的接墊124a是與發(fā)光二極體晶片130a在圖案化導(dǎo)電層120a上的正投影(即為矩形)的一個(gè)角落C對(duì)應(yīng)設(shè)置，且角落C的頂點(diǎn)Cl至導(dǎo)電連接件140的第一端點(diǎn)142之間的水平距離R大于等于30微米。也就是說(shuō)，發(fā)光二極體晶片130a與導(dǎo)電連接件140之間相隔有一定距離，且接墊124a的位置是在發(fā)光二極體晶片130a出光強(qiáng)度相對(duì)弱(即角落C處)的地方，因此可有效降低導(dǎo)電連接件140吸收發(fā)光二極體晶片130a所發(fā)出