發(fā)光模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 實(shí)施例涉及一種發(fā)光模塊。
【背景技術(shù)】
[0002] 在發(fā)光二極管（LED)中主要地使用諸如氮化鎵（GaN)、氮化鋁（A1N)、以及氮化銦 鎵（InGaN)的III族氮化物，因?yàn)樗鼈兙哂袃?yōu)異的熱穩(wěn)定性和直接轉(zhuǎn)移能量帶結(jié)構(gòu)。具體 地，在藍(lán)色LED和紫外線LED(UV LED)中主要地使用III族氮化物。
[0003] 發(fā)射UV射線的UV LED被封裝在特定的主體（或者殼體）中、被制造、并且被銷 售。在這樣的情況下，通過UV LED發(fā)射的UV射線可以變色（discolor)或者更改包括發(fā)光 模塊的主體的其它部分。有助于UV射線的主體或者其它部分的變色或者更改可能對包括 UV LED的發(fā)光模塊的可靠性或者持久性具有不好的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 技術(shù)問題
[0005] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊能夠防止粘合構(gòu)件由于光源單元的熱或者UV射線被變色 或者被更改。
[0006] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊能夠防止其中當(dāng)通過共晶結(jié)合耦合蓋和主體時(shí)在第一和 第二粘合構(gòu)件中不牢固的任何金屬粘附到光源單元的發(fā)光器件的發(fā)光表面的現(xiàn)象。
[0007] 技術(shù)方案
[0008] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊包括光源單元、主體、光學(xué)構(gòu)件、以及粘合構(gòu)件。主體的上 部被布置在光源單元的發(fā)光器件和粘合構(gòu)件之間。這樣的發(fā)光模塊能夠防止粘合構(gòu)件由于 光源單元的熱或者UV射線被變色或者更改。
[0009] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊包括光源單元、光學(xué)構(gòu)件、主體以及粘合構(gòu)件。主體包括其 中光源單元被布置的第一腔體；和其中光學(xué)構(gòu)件被布置的第二腔體。主體包括突出，該突出 被布置在第二腔體中。突出被布置在發(fā)光器件和粘合構(gòu)件之間。這樣的發(fā)光模塊能夠防止 粘合構(gòu)件由于光源單元的熱或者UV射線被變色或更改。
[0010] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊包括光源單元、主體、光學(xué)構(gòu)件、蓋、以及粘合構(gòu)件。主體的 上部被布置在光源單元的發(fā)光器件和粘合構(gòu)件之間。這樣的發(fā)光模塊能夠防止粘合構(gòu)件由 于光源單元的熱或者UV射線被變色或者更改。
[0011] 根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊包括光源單元、主體、光學(xué)構(gòu)件、蓋、以及粘合構(gòu)件。蓋的突 出被布置在光源單元的發(fā)光器件和粘合構(gòu)件之間。這樣的發(fā)光模塊能夠防止粘合構(gòu)件由于 光源單元的熱或者UV射線被變色或者更改。
[0012] 在實(shí)施例中，粘合構(gòu)件可以包括第一粘合構(gòu)件和第二粘合構(gòu)件。第一粘合構(gòu)件包 括從由金（Au)、鎳（Ni)、鈦（Ti)、銅（Cu)、以及鉻（Cr)組成的組中選擇的任何一個(gè)。如果 第二粘合構(gòu)件包括從由錫（Sn)、鍺（Ge)、硅（Si)、以及銻（Sb)組成的組和包括金（Au)的合 金中選擇的任意一個(gè)或者從由鉛（Pb)和銀（Ag)組成的組和包括錫（Sn)的合金中選擇的 任意一個(gè)，則在實(shí)施例中，當(dāng)通過共晶結(jié)合耦合蓋和主體時(shí)能夠防止其中在第一和第二粘 合構(gòu)件中不穩(wěn)定的任何金屬粘附到光源單元的發(fā)光器件的發(fā)光表面的現(xiàn)象。
[0013] 有益效果
[0014] 如果根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊被使用，則存在的優(yōu)點(diǎn)在于能夠防止由于光源單元的 熱或者UV射線導(dǎo)致粘合構(gòu)件被變色或者被更改。
[0015] 如果根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光模塊被使用，則存在的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)通過共晶結(jié)合耦合蓋和 主體時(shí)能夠防止其中在第一和第二粘合構(gòu)件中不牢固的任何金屬粘附到光源單元的發(fā)光 器件的發(fā)光表面的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0016] 圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的截面透視圖。
[0017] 圖2是在圖1中示出的發(fā)光模塊的主體和光學(xué)構(gòu)件的分解透視圖。
[0018] 圖3是在圖1中示出的發(fā)光模塊的截面圖。
[0019] 圖4是根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光模塊的截面透視圖。
[0020] 圖5是在圖4中示出的發(fā)光模塊的主體和光學(xué)構(gòu)件的分解透視圖。
[0021] 圖6是在圖4中示出的發(fā)光模塊的截面圖。
[0022] 圖7是根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光模塊并且示出在圖6中示出的根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā) 光模塊的修改示例。
[0023] 圖8是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光模塊并且示出在圖6中示出的根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā) 光模塊的修改示例。
[0024] 圖9是根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光模塊的截面透視圖。
[0025] 圖10是示出在圖9中示出的發(fā)光模塊的主體和蓋已被分離的透視圖。
[0026] 圖11是在圖9中示出的發(fā)光模塊的截面圖。
[0027] 圖12是根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光模塊的截面透視圖。
[0028] 圖13是示出在圖12中示出的發(fā)光模塊的主體和蓋已被分離的透視圖。
[0029] 圖14是在圖12中示出的發(fā)光模塊的截面圖。
[0030] 圖15是根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光模塊并且示出在圖14中示出的上部150的修改示 例。
[0031] 圖16是根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光模塊并且示出在圖14中示出的根據(jù)第六實(shí)施例的 發(fā)光模塊的修改示例。
[0032] 圖17是根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光模塊并且示出在圖14中示出的根據(jù)第六實(shí)施例的 發(fā)光模塊的修改示例。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 在下文中，參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。在這樣的情況下，在本領(lǐng)域中的 技術(shù)人員可以容易地理解，附圖被圖示以更加容易地公開本發(fā)明的內(nèi)容并且本發(fā)明的范圍 不限于附圖的范圍。
[0034] 此外，基于附圖描述用于每個(gè)元件下方（或者上方或者下面）的準(zhǔn)則。此外，在附 圖中，為了描述的方便和清楚起見每個(gè)層的厚度或者大小已經(jīng)被擴(kuò)大、省略、或者示意性地 示出。此外，實(shí)際尺寸沒有被完全地合并在每個(gè)元件的尺寸中。
[0035] 在本發(fā)明的實(shí)施例的描述中，如果一個(gè)元件被稱為被形成在另一元件"上（上方） 或者下（下面）"，則術(shù)語上面（上方）或者下方（下面）包括兩個(gè)元件相互直接接觸或者 一個(gè)或者多個(gè)其它的元件（間接地）被布置在兩個(gè)元件之間。如果"上面（上方）或者下 方（下面）"被表達(dá)，則其可以基于一個(gè)元件包括向上方向或者向下方向的意義。
[0036] 圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的截面透視圖，圖2是在圖1中示出的發(fā)光模 塊的主體和光學(xué)構(gòu)件的分解透視圖，并且圖3是在圖1中示出的發(fā)光模塊的截面圖。
[0037] 參考圖1至圖3,根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光模塊可以包括主體100、光源單元200、粘 合構(gòu)件300、以及光學(xué)構(gòu)件400。
[0038] 光源單元200、粘合構(gòu)件300、以及光學(xué)構(gòu)件400被布置在主體100中。具體地，光 源單元200、粘合構(gòu)件300、以及光學(xué)構(gòu)件400被容納在主體100中。在這樣的情況下，主體 100通過粘合構(gòu)件300被耦合到光學(xué)構(gòu)件400。更加詳細(xì)地描述主體100。
[0039] 主體100可以包括下部110、壁部130、以及上部150。在這樣的情況下，下部110、 壁部130、以及上部150可以是由相同的材料制成并且被集成地形成或者可以是由相同或 者不同的材料制成，可以被單獨(dú)地制造，并且然后可以被耦合在一起。
[0040] 光源單元200和壁部130可以被布置在下部110上。具體地，光源單元200和壁 部130可以被布置在下部110的頂表面上。在這樣的情況下，光源單元200可以被布置在 下部110的頂表面的中心部中。壁部130可以以圍繞光源單元200的周圍的方式被布置在 下部110的頂表面的外部中。
[0041] 下部110可以是單層或者多層的陶瓷板。在這樣的情況下，如果下部110是單層 的陶瓷板，則使用高溫共燒陶瓷（HTCC)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)。在這樣的情況下，在HTCC中，可以 通過在1200°C或者更高的高溫同時(shí)燒制可以形成陶瓷層。
[0042] 如果下部110是多層的陶瓷板，則例如，可以通過HTCC或者低溫共燒陶瓷（LTCC) 形成。如果下部110是多層的陶瓷板，則層的厚度可以是相同的或者不同的，但是不限于 此。如果下部110是由無機(jī)陶瓷材料制成，則盡管發(fā)射具有大約200~405nm的波長的深 (de印)UV射線或者近（near) UV射線的光源單元被使用，但是在沒有由于UV射線可以變色 或者更改下部110的可能性的情況下能夠保持可靠性。
[0043] 下部110可以是由諸如氮化物或者氧化物的絕緣材料制成。例如，下部110可以 包括 Si02、Six0y、Si3Ny、SiO xNy、A1203、或者 A1N。
[0044] 能夠反射光的材料被淀積或者涂覆在下部110的頂表面上，特別地，其中光源單 元200被布置的頂表面的中心部上，從而能夠改進(jìn)根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的光提取效 率。
[0045] 壁部130可以被布置在下部110的頂表面上。具體地，壁部130可以被布置在下 部110的頂表面的外部中。壁部130可以與光源單元200間隔開預(yù)先確定的間隔并且可以 被布置以圍繞或者包圍光源單元200的周圍。例如，壁部130可以以諸如圓形或者多邊形 的形狀以圍繞或者包圍光源單元200的周圍的方式被布置在下部110的頂表面的外部中， 并且形狀不限于此。
[0046] 壁部130可以包括暴露于外部的外壁和圍繞光源單元200的內(nèi)壁。內(nèi)壁可以垂直 于下部110的頂表面并且可以與下部110的頂表面形成鈍角或者銳角。內(nèi)壁可以涂覆或者 淀積有能夠容易地反射由光源單元200發(fā)射的光的材料。包括具有這樣的光反射功能的內(nèi) 壁的壁部130可以改進(jìn)根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光模塊的光提取效率。
[0047] 像下部110-樣，壁部130可以是包括單層或者多層的陶瓷層的陶瓷板。在這樣 的情況下，如果壁部130是多層的陶瓷板，則層的厚度可以是相同的或者不同的，但是不限 于此。如果壁