一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子
目-Ο
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體存儲器裝置愈來愈普遍地用于各種電子裝置中。舉例而言，非易失性半導(dǎo)體存儲器可用在蜂窩式電話、數(shù)碼相機(jī)、個人數(shù)字助理、移動計算裝置、非移動計算裝置及其它裝置中。隨著電子產(chǎn)業(yè)尤其是消費電子的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體存儲裝置的發(fā)展越來越成為電子科技發(fā)展的標(biāo)桿之一。從最初的以DRAM(即動態(tài)隨機(jī)存儲器)占主導(dǎo)到現(xiàn)在以FlashMemory (即非易失閃存記憶體)為最大陣營；半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展速度不斷挑戰(zhàn)著摩爾定律，轉(zhuǎn)眼間NAND Flash來到了 3X納米時代，更甚至是跨入了 2X納米時代。
[0003]然而在3xnm NAND存儲器的制作過程中，經(jīng)常會產(chǎn)生一種特殊的失效模式——字線橋接(Word Line Bridge)，造成字線橋接的一個原因是，利用雙重圖形技術(shù)，對存儲陣列中的P2切割區(qū)域中與有源區(qū)平行的多晶硅控制柵極線進(jìn)行切割后，大量多晶硅殘留在隔離結(jié)構(gòu)上方，導(dǎo)致字線橋接問題的出現(xiàn)的風(fēng)險極大。
[0004]因此，需要提出一種新的制作方法，以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:
[0007]提供半導(dǎo)體襯底；
[0008]所述半導(dǎo)體襯底上形成有沿第一方向延伸的多個有源區(qū)；
[0009]在所述有源區(qū)上形成跨越多個所述有源區(qū)沿第二方向延伸的控制柵極線，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；
[0010]形成定義有切割區(qū)圖案的切割掩膜，對所述切割區(qū)內(nèi)的所述控制柵極線進(jìn)行蝕亥IJ，至少完全去除有源區(qū)上方的所述控制柵極線。
[0011]可選地，在相鄰所述有源區(qū)之間還形成有位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)。
[0012]可選地，所述控制柵極線的材料為多晶硅。
[0013]可選地，所述蝕刻工藝具有多晶硅對氧化物的高蝕刻選擇比。
[0014]可選地，所述有源區(qū)上均形成有浮置柵極。
[0015]可選地，在所述浮置柵極與所述控制柵極線之間形成有0N0介電層。
[0016]可選地，所述蝕刻還包括對所述切割區(qū)內(nèi)多條所述控制柵極線的切割蝕刻。
[0017]本發(fā)明還提供一種采用上述方法制造的半導(dǎo)體器件。
[0018]本發(fā)明另外還提供一種電子裝置，包括上述的半導(dǎo)體器件。
[0019]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過改變控制柵極線的布局方向和切割掩膜的布局，更容易實現(xiàn)對控制柵極線切割后多晶硅殘留的控制，避免了字線橋接問題的出現(xiàn)，進(jìn)而提聞了器件的性能和良率。
【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0021]附圖中:
[0022]圖1A至圖1D示出了用于表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的實施方法集成半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的示意性布局圖，其中，圖1A為俯視圖，圖1B為沿圖1A的線A-A的截面圖，圖1C為俯視圖，圖1D為沿圖1C的線A-A的截面圖；
[0023]圖2A至圖2D示出了用于表示根據(jù)本發(fā)明實施例一的實施方法集成半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的示意性布局圖，其中，圖2A為俯視圖，圖2B為沿圖2A的線A-A的截面圖，圖2C為俯視圖，圖2D為沿圖2C的線A-A的截面圖；
[0024]圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例一中方法依次實施的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0025]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0027]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至『或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0028]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0029]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0030]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0031]下面結(jié)合附圖1A-1D來描述一種現(xiàn)有的實施方法對與非型閃速存儲裝置的字線界面區(qū)域的字線進(jìn)行切割的步驟。
[0032]如圖1A所示，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成沿第一方向有延伸的多個有源區(qū)101，以及位于半導(dǎo)體襯底中和所述有源區(qū)之間的隔離結(jié)構(gòu)102，以及與有源區(qū)平行沿第一方向延伸的控制柵極線103。所述控制柵極線的材料為多晶硅。所述控制柵極線一部分位于有源區(qū)上方，一部分位于溝槽隔離上方。圖中矩形區(qū)域104為P2切割區(qū)。如圖1B所示，所述控制柵極線103 —部分位于浮置柵極105和0N0介電層106上方，一部分位于半導(dǎo)體襯底100中隔離結(jié)構(gòu)102上方。
[0033]如圖1C-1D所示，利用雙重圖案技術(shù)，形成定義有Ρ2切割區(qū)圖案的掩膜后，對Ρ2切割區(qū)內(nèi)的控制柵極線進(jìn)行蝕刻，在溝槽隔離區(qū)102上方殘留有比較厚的多晶硅，造成控制柵極線103橋接問題，進(jìn)而影響了存儲器的可靠性和良率。
[0034]鑒于此，本發(fā)明提出了一種新的制造方法，以解決出現(xiàn)的上述問題。
[0035]實施例一
[0036]下面，參照圖2Α-圖2D和圖3來描述對與非型閃速存儲裝置的字線界面區(qū)域的字線進(jìn)行切割的詳細(xì)步驟。
[0037]如圖2Α-2Β所示，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200可以是硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體