將半導體裸片電耦合至接觸焊盤的電子部件和方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及半導體封裝，并且具體地涉及用于將半導體裸片電耦合至接觸焊盤的電子部件和方法。
【背景技術】
[0002]電子部件可以包括在封裝中的一個或者多個半導體器件。該封裝包括從半導體器件至襯底或引線框架的導電再分布結構，該襯底或引線框架包括外部接觸。外部接觸用于將電子部件安裝到再分布板諸如印刷電路板上。該封裝可以包括覆蓋半導體器件和內部電連接的殼體。

【發(fā)明內容】

[0003]在一個實施例中，公開了一種電子部件，其包括:介電芯層；一個或者多個半導體裸片，該半導體裸片包括第一主表面、布置在第一主表面上的第一電極、以及與第一主表面相對的第二主表面；一個或者多個槽，布置在介電芯層內并且與半導體裸片鄰近；以及再分布結構，將第一電極電耦合至布置為與半導體裸片的第二主表面鄰近的部件接觸焊盤。半導體裸片嵌入在介電芯層中，并且再分布結構的部分布置在槽的側壁上。
[0004]在一個實施例中，公開了一種方法，其包括:將一個或者多個半導體裸片嵌入在介電芯層中，該半導體裸片包括第一主表面、布置在第一主表面上的第一電極、以及與第一主表面相對的第二主表面；將再分布結構的部分布置在一個或者多個槽的側壁上，該槽布置在介電芯層內并且與半導體裸片鄰近，以及將第一電極電耦合至布置為與半導體裸片的第二主表面鄰近的部件接觸焊盤。
[0005]在一個實施例中，公開了一種電子部件，其包括:用于將布置在嵌入在介電芯層中的半導體裸片的第一主表面上的第一電極電耦合至布置為與該半導體裸片的第二主表面鄰近的部件接觸焊盤的裝置，其中用于電耦合的該裝置的部分布置在一個或者多個槽的側壁上，該槽布置在介電芯層內并且與半導體裸片鄰近。
【附圖說明】
[0006]附圖中的元件并不一定相對于彼此按比例繪制而成。類似的附圖標記表示對應的相似部分。圖示的實施例的各種特征可以彼此組合，除非它們彼此排斥。在附圖中描繪了實施例并且在以下的說明書中進行了詳細說明。
[0007]圖1圖示了根據第一實施例的電子部件的截面圖。
[0008]圖2圖示了根據第一實施例的電子部件的部分剖面透視圖。
[0009]圖3圖示了根據第二實施例的電子部件的截面圖。
[0010]圖4圖不了根據第三實施例的電子部件的截面圖。
[0011]圖5a圖示了介電芯層的上表面的透視圖。
[0012]圖5b圖不了介電芯層的下表面的透視圖。
[0013]圖6a圖示了嵌入在介電芯層中的半導體裸片的透視圖。
[0014]圖6b圖不了介電芯層的包括半導體裸片的下表面的透視圖。
[0015]圖7a圖不了布置在介電芯層的上表面上的第一介電層的透視圖。
[0016]圖7b圖不了布置在介電芯層的下表面上的第一介電層的透視圖。
[0017]圖8a圖示了布置在介電芯層的上表面上的第一導電沉積層的透視圖。
[0018]圖8b圖不了布置在介電芯層的下表面上的第一導電層的透視圖。
[0019]圖9a圖示了布置在介電芯層的上表面上的第二導電層的透視圖。
[0020]圖9b圖示了布置在介電芯層的下表面上的第二導電層的透視圖。
[0021]圖1Oa圖示了布置在介電芯層的上表面上的第二介電層的透視圖。
[0022]圖1Ob圖示了布置在介電芯層的下表面上的第二介電層的透視圖。
[0023]圖11圖示了包括布置在其上表面上的粘合劑層的電子部件的透視圖。
[0024]圖12圖示了包括布置在粘合劑層上的散熱層的電子部件的透視圖。
【具體實施方式】
[0025]在下文的詳細說明中對附圖進行參考，這些該附圖構成該說明書的一部分，在這些該附圖中以舉例說明的方式示出了可實施本發(fā)明的具體實施例。在這點上，將參照此處所述描述的附圖的定位來使用定向術語，諸如“頂”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等。因為實施例的部件可定位在多個不同的方位，所以定向術語的使用出于舉例說明之目的，而絕非限制性的。應理解，也可使用其他實施例，而且在不偏離脫離本發(fā)明的范圍的情況下可做出結構上或邏輯上的改變。因此，以下的詳細描述說明不應被視為具有限制性意義，并且本發(fā)明的范圍由所附權利要求書限定。
[0026]下面將對幾個實施例進行闡釋。在這種情況下，在附圖中，相同結構特征由相同或者相似的附圖標記表示。在本說明書的上下文中，“橫向”或者“橫向方向”應該理解為指大體上平行于半導體材料或者半導體載體的橫向范圍而伸展的方向或者范圍。由此，橫向方向大體上平行于這些表面或側延伸。與此相反，術語“豎直”或者“豎直方向”理解為指大體上垂直于這些表面或側并且由此垂直于橫向方向而伸展的方向。因此，豎直方向在半導體材料或者半導體載體的厚度方向上伸展。
[0027]如此處使用的，當提及元件“連接”或“電連接”或者“耦合”或“電耦合”至另一元件時，該元件可以直接連接或親合至另一元件，或者可以存在中間元件。相反地，當提及元件“直接連接”或者“直接耦合”至另一元件時，不存在中間元件。
[0028]如此處使用的，當提及元件，諸如，層、區(qū)域或者襯底，在另一元件“上”或者延伸到另一元件“上”時，該元件可以直接地在其他元件上或者直接地延伸到其他元件上，或者也可以存在中間元件。相反地，當提及元件“直接在”另一元件“上”或者“直接延伸到”另一元件“上”時，不存在中間元件。
[0029]如此處使用的，“高電壓器件”，諸如，高電壓耗盡型晶體管，是針對高電壓開關應用而優(yōu)化的電子器件。即，當晶體管斷開時，該晶體管能夠阻斷高電壓，諸如，大約300V或者更高、大約600V或者更高、或者大約1200V或者更高，并且當晶體管導通時，在使用該晶體管的應用中，該晶體管具有足夠低的導通電阻(RON)，S卩，當實質電流通過器件時，該晶體管經歷足夠低的通態(tài)損耗。高電壓器件可以至少能夠阻斷等于高電壓源或者在使用該高電壓器件的電路中的最大電壓的電壓。高電壓器件可以能夠阻斷300V、600V、1200V、或者應用所需的其他合適的阻斷電壓。
[0030]如此處使用的，“低電壓器件”，諸如，低電壓增強型晶體管，是能夠阻斷低電壓，諸如，在OV與Vlciw之間的電壓，但是不能夠阻斷高于V lciw的電壓的電子器件。V lciw可以為大約10V、大約20V、大約30V、大約40V、或者在大約5V與50V之間，諸如，在大約1V與30V之間。
[0031]圖1圖示了根據第一實施例的電子部件20的截面圖。該電子部件20包括:介電芯層21 ;以及半導體裸片22，其包括第一主表面23和與第一主表面23相對的第二主表面24。第一電極25布置在第一主表面23上。半導體裸片22嵌入在介電芯層21中。至少一個槽26布置在介電芯層21內并且與半導體裸片22鄰近。該電子部件20進一步包括再分布結構27，該再分布結構27將第一電極25電耦合至布置為與半導體裸片22的第二主表面24鄰近的第一部件接觸焊盤28。再分布結構27的部分29布置在槽26的側壁30上。
[0032]槽26延伸通過介電芯層21的厚度?？梢詫⒉酆蛯щ娫俜植冀Y構27的部分29視為具有細長的橫向面積區(qū)域(area)的導電過孔?？梢詫⒉?6視為具有長度Is和寬度(width) Ws，其中長度Is是寬度Ws的大小的至少兩倍。槽26與具有基本上為圓形的截面的導電過孔的不同之處在于其細長的橫向面積區(qū)域。槽26可以具有使得I 20w 3的尺寸。
[0033]再分布結構27可以進一步包括導電層31，該導電層31從第一電極25延伸到介電芯層21的第一主表面33之上。布置在槽26的側壁30上的部分29可以包括導電材料，諸如，金屬，例如銅。導電材料也可以與第一部件接觸焊盤28接觸，并且覆蓋槽26的基部(base)。再分布結構27提供從布置在半導體裸片22的第一主表面23上的第一電極25至半導體裸片22的相對側的導電連接，這是因為第一部件接觸焊盤28布置為與半導體裸片22的第二主表面24鄰近。
[0034]半導體裸片22的第一主表面22可以與介電芯層21的第一主表面33基本上共面。半導體裸片22的第二主表面24可以與介電層21的第二主表面34基本上共面。在圖1中圖示的實施例中，第一部件接觸焊盤28布置在介電層21的第二主表面34上，并且槽26延伸通過介電芯層21的厚度并且基本上垂直于第一主表面33和第二主表面34。槽26可以由導電層31在上側定界(bound)，并且由第一部件接觸焊盤28或者其上布置有另一部件接觸焊盤36的另一金屬層35在下側定界。
[0035]電子部件20包括孔37，半導體裸片22通過粘合劑層38固定在該孔37中，該層粘合劑38布置在限定半導體裸片22的孔37和側面40的側壁39之間。電子部件20可以進一步包括第一介電層41，該第一介電層41布置在介電芯層21的第一主表面33上、并且在與孔37鄰近的區(qū)域中并且在半導體裸片22的外圍區(qū)域上。電子部件20可以包括第二介電層42，該第二介電層42布置在半導體裸片22的第二主表面24的外圍區(qū)域上并且覆蓋粘合劑38。介電層41、42和粘合劑38 —起提供基本上呈I形的形狀的固定元件43，以便將半導體裸片22固定在孔37中。
[0036]固定元件43在截面不限于具有基本上呈I形的形狀，并且可