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照明led集成熱移裝置的制造方法_3

文檔序號:9507375閱讀:來源:國知局
,通過電路骨架內(nèi)導(dǎo)流片將點(diǎn)陣中每個LED芯片由超聲波線焊機(jī)聯(lián)線后,利用電路骨架內(nèi)邊框?qū)⒄麄€點(diǎn)陣管場由透光增效膠封裝,使點(diǎn)陣管場形成防氧化密封,保護(hù)殼體四周壁10形成光增效折射面,并在保護(hù)殼體口沿面安裝密封透光罩,到達(dá)與外界密封,由此構(gòu)成集成點(diǎn)陣中結(jié)點(diǎn)工作熱量被管場內(nèi)工質(zhì)即時相變吸收,即時定向移至冷凝器即時進(jìn)行散熱,不附加有源強(qiáng)行散熱的圓形弧面照明LED集成熱移裝置。
【主權(quán)項】
1.一種照明LED衍生芯片的集成陣形及其結(jié)溫?zé)崽幚淼难b置,其特征是可以根據(jù)照明實(shí)際需要設(shè)計的大功率LED芯片的集成點(diǎn)陣圖形,集成度與功率符合光通量指標(biāo),根據(jù)LED芯片集成點(diǎn)陣圖形設(shè)計由管路排列組合構(gòu)成的流體承載體圖形,兩者結(jié)合部在空間呈1: 1比例,點(diǎn)陣中每一個LED芯片均焊接在管壁上相對應(yīng)的焊接平面里,由此將LED芯片集成點(diǎn)陣坐落在由管路排列構(gòu)成相印合的流體承載體上,管壁的厚度不得大于1_,排列組合的管路結(jié)構(gòu)作為LED芯片集成點(diǎn)陣的工作場所稱之為管場,將兩者結(jié)合部分的結(jié)構(gòu)被稱之為點(diǎn)陣管場,每根管路上依次排隊的LED芯片稱為點(diǎn)陣中的排,以排并列,以點(diǎn)陣管場的表面分為平面型與弧面型,外輪廓分為方形與圓形,弧面呈立體化集成,利用良導(dǎo)體制成的保護(hù)殼體將點(diǎn)陣管場籠罩其內(nèi),管場的外延部分從保護(hù)殼體內(nèi)穿行出來呈擴(kuò)散狀態(tài),擴(kuò)大連接冷凝器的空間,一端為開放性端口,另一端為收縮性端口,便于直接與冷凝器首末端相聯(lián)接,并相互定位焊接成一體,在保護(hù)殼體內(nèi)點(diǎn)陣管場周邊安裝電路骨架,其形狀呈與點(diǎn)陣管場鑲嵌式的框架結(jié)構(gòu),通過電路骨架內(nèi)導(dǎo)流片將點(diǎn)陣中每個LED芯片由超聲波線焊機(jī)聯(lián)線后,利用電路骨架內(nèi)邊框?qū)⒄麄€點(diǎn)陣管場由透光增效膠封裝,使點(diǎn)陣管場形成防氧化密封,保護(hù)殼體四周形成光增效折射面,并在保護(hù)殼體口沿面安裝透光罩,與外界密封,由此構(gòu)成集成點(diǎn)陣中結(jié)點(diǎn)工作熱量被管場內(nèi)工質(zhì)即時相變吸收,即時定向移至冷凝器,即時進(jìn)行散熱,不附加有源強(qiáng)行散熱的照明LED集成熱移裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明LED集成熱移裝置,其特征是:為達(dá)到3萬流明以上,功率在300W以上,采用2.0WLED芯片需要150粒進(jìn)行排列組合成點(diǎn)陣,可靠性優(yōu)化則需180粒,圖示由12排X15列組成下弓弧狀方形點(diǎn)陣,達(dá)到集成度> 5W/cm2,集成投影面為60cm2,在這樣點(diǎn)陣指標(biāo)下設(shè)計管場,已確定平行排列為15列管路,管場投影長度為15cm,管場投影寬度為4cm,由管徑4-7mm管壁厚度為0.6mm的銅管彎成具有3_8°發(fā)光角的圓弧,等間隙平行排列,將管場視為一體,便呈現(xiàn)出立體化方形弧面,大功率LED芯片發(fā)光面邊長為1.14X1.14至1.30X1.30mm,在所有焊接LED芯片的管場弧面上制備1.22X 1.22至1.50X1.50mm焊接平面6,利用焊接平面邊框保證LED芯片焊接位置,管場的外延部分從保護(hù)殼體內(nèi)穿行出來呈擴(kuò)散狀態(tài),擴(kuò)大連接冷凝器的空間,一端為開放端口 7,另一端為收縮端口 8,便于直接與冷凝器首末端相聯(lián)接,相互定位后通過高溫焊接將管場固定在保護(hù)殼體內(nèi)并形成一體,管場所有的焊接平面是根據(jù)點(diǎn)陣設(shè)計圖形分布的,通過自動手臂加點(diǎn)助焊劑、低溫焊膏后,一一將LED芯片安放到焊接平面內(nèi),通過回流焊將LED芯片集成點(diǎn)陣坐落在相印合的管場上,在點(diǎn)陣管場周邊安裝電路骨架9,其形狀呈方形鏡框,平行管場的兩邊框弧度與管場弧度相同,垂直管場的兩邊框通過與管場中管路的柱面緊密鑲嵌,作為邊框架結(jié)構(gòu)將點(diǎn)陣管場圍在其中,其外為管場的外延,通過電路骨架內(nèi)導(dǎo)流片將點(diǎn)陣中每個LED芯片由超聲波線焊機(jī)聯(lián)線后,利用電路骨架內(nèi)邊框?qū)⒄麄€點(diǎn)陣管場由透光增效膠封裝,使點(diǎn)陣管場形成防氧化密封,保護(hù)殼體四周壁10形成光增效折射面,并在保護(hù)殼體口沿面安裝密封透光罩,到達(dá)與外界密封,由此構(gòu)成集成點(diǎn)陣中結(jié)點(diǎn)工作熱量被管場內(nèi)工質(zhì)即時相變吸收,即時定向移至冷凝器,即時進(jìn)行散熱,不附加有源強(qiáng)行散熱的方形弧面照明LED集成熱移裝置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明LED集成熱移裝置,其特征是:為達(dá)到6萬流明以上,功率在600W以上,采用3.0WLED芯片需要200粒進(jìn)行排列組合成點(diǎn)陣,采用1.5WLED芯片需要400粒進(jìn)行排列組合成點(diǎn)陣,圖示由10排X20列組成同心圓下弓弧面狀點(diǎn)陣,為達(dá)到集成度> 5W/cm2,集成投影面則需120cm2,在這樣點(diǎn)陣指標(biāo)下設(shè)計管場,已確定放射排列為20列管路,計算出管場外圓投影直徑約為16cm,內(nèi)圓投影直徑為8cm,半徑差約為4cm為管場寬度,放射狀排列呈非均勻集成度,可靠性優(yōu)化可調(diào)整內(nèi)外徑,便可確定管場由管徑.4-7mm管壁厚度為0.6mm的銅管彎成具有3_8°發(fā)光角的圓弧,然后內(nèi)圓等角度放射排列,將管場視為一體,便呈現(xiàn)出立體化圓形弧面,大功率LED芯片發(fā)光面邊長為1.14X1.14至.1.30X1.30mm,在所有焊接LED芯片的管場弧面上制備1.22X 1.22至1.50X1.50mm焊接平面6,利用焊接平面邊框保證LED芯片焊接位置,管場的外延部分從保護(hù)殼體內(nèi)穿行出來呈發(fā)射擴(kuò)散狀態(tài),擴(kuò)大連接冷凝器的空間,一端為開放端口 7,另一端為收縮端口 8,便于直接與冷凝器首末端相聯(lián)接,相互定位后通過高溫焊接將管場固定在保護(hù)殼體內(nèi)并形成一體,因為管場所有的焊接平面是根據(jù)點(diǎn)陣設(shè)計圖形分布的,便可通過自動手臂加點(diǎn)助焊劑、低溫焊膏后,一一將LED芯片安放到焊接平面內(nèi),通過回流焊將LED芯片集成點(diǎn)陣坐落在相印合的管場上,在點(diǎn)陣管場周邊安裝電路骨架9,其形狀呈同心圓菊花瓣形,內(nèi)外圓邊框通過與管場中管路的柱面緊密鑲嵌,作為邊框架結(jié)構(gòu)將點(diǎn)陣管場圍在其中,其外為管場的外延,通過電路骨架內(nèi)導(dǎo)流片將點(diǎn)陣中每個LED芯片由超聲波線焊機(jī)聯(lián)線后,利用電路骨架內(nèi)邊框?qū)⒄麄€點(diǎn)陣管場由透光增效膠封裝,使點(diǎn)陣管場形成防氧化密封,保護(hù)殼體四周壁10形成光增效折射面,并在保護(hù)殼體口沿面安裝密封透光罩,到達(dá)與外界密封,由此構(gòu)成集成點(diǎn)陣中結(jié)點(diǎn)工作熱量被管場內(nèi)工質(zhì)即時相變吸收,即時定向移至冷凝器,即時進(jìn)行散熱,不附加有源強(qiáng)行散熱的圓形弧面照明LED集成熱移裝置。
【專利摘要】一種照明LED衍生芯片集成陣形與結(jié)溫?zé)崽幚硌b置,去掉現(xiàn)行熱沉基板,避免固體傳導(dǎo)慢致使的熱阻,根據(jù)照明實(shí)際需要的集成度與功率,將LED芯片集成點(diǎn)陣坐落在由管路排列組合構(gòu)成的流體承載體上形成點(diǎn)陣熱場,呈平面或弧面狀,由流體以即時速度將眾結(jié)點(diǎn)工作熱量相變吸收,即時定向轉(zhuǎn)移到冷凝器,即時散發(fā)到空氣中,使結(jié)溫區(qū)與之透過焊接平面管壁內(nèi)的液溫區(qū)差值ΔTt結(jié)溫-t液溫<10℃,來不及形成熱阻,由熱移取代熱沉,開創(chuàng)出一種新型設(shè)計模式——照明LED集成熱移裝置,實(shí)現(xiàn)在40℃環(huán)境下可靠工作,無需附加有源散熱裝置而且成本具備競爭性,達(dá)到批量生產(chǎn)2-3萬流明常規(guī)型、10萬流明專業(yè)型的LED照明取替第三代光源的目的。
【IPC分類】H01L23/34, H01L27/15
【公開號】CN105261596
【申請?zhí)枴緾N201510606395
【發(fā)明人】吳鴻平, 盧紅龍
【申請人】吳鴻平, 盧紅龍
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月23日
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