制造光源的方法
【專利說(shuō)明】制造光源的方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2014年7月16日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0089793號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種制造光源的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]半導(dǎo)體發(fā)光裝置響應(yīng)于向其施加的電流通過(guò)電子-空穴復(fù)合來(lái)發(fā)射光，并且半導(dǎo)體發(fā)光裝置由于其諸如以功耗較低、亮度級(jí)別高以及緊湊性為例的若干優(yōu)點(diǎn)而被廣泛用作光源。自從開(kāi)發(fā)出氮化物發(fā)光器件，這樣的器件已經(jīng)得到更廣泛的應(yīng)用。例如，正在采用諸如發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體發(fā)光器件來(lái)用在例如汽車前照燈或者包括室內(nèi)照明的普通照明裝置中。允許制造具有改善的可靠性的產(chǎn)品的半導(dǎo)體光源測(cè)試方法和用于該測(cè)試的半導(dǎo)體光源測(cè)試裝置將是極為有利的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種制造光源的方法包括以下步驟:提供當(dāng)向其施加電力時(shí)發(fā)射光的半導(dǎo)體光源；向半導(dǎo)體光源供應(yīng)電力；接收半導(dǎo)體光源發(fā)射的光，并且執(zhí)行對(duì)所接收的光的光學(xué)性質(zhì)的第一測(cè)量；自第一測(cè)量已過(guò)去一段時(shí)間之后，接收半導(dǎo)體光源發(fā)射的光，并執(zhí)行對(duì)所接收的光的光學(xué)性質(zhì)的第二測(cè)量；通過(guò)比較光學(xué)性質(zhì)的第一測(cè)量和光學(xué)性質(zhì)的第二測(cè)量的結(jié)果來(lái)確定半導(dǎo)體光源是否有缺陷；以及通過(guò)提供半導(dǎo)體光源的外圍部件來(lái)構(gòu)造包括半導(dǎo)體光源的光源，其中，作為確定半導(dǎo)體光源是否有缺陷的結(jié)果，所述半導(dǎo)體光源被確定為正常。
[0005]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種制造光源的方法包括確定半導(dǎo)體光源是否有缺陷的步驟，所述步驟包括:確定基于在第一測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)的、第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的光學(xué)性質(zhì)的變化量；如果計(jì)算出的變化量等于或大于預(yù)定值，則將半導(dǎo)體光源確定為有缺陷。
[0006]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)為半導(dǎo)體光源發(fā)射的光的亮度級(jí)別。
[0007]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，利用光電二極管來(lái)獲得所述光學(xué)性質(zhì)。
[0008]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)包括半導(dǎo)體光源發(fā)射的光的色坐標(biāo)值。
[0009]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，利用光譜儀來(lái)獲得所述光學(xué)性質(zhì)。
[0010]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，執(zhí)行第一測(cè)量和第二測(cè)量的步驟包括:通過(guò)使半導(dǎo)體光源發(fā)射的光成像來(lái)獲得第一圖像和第二圖像，確定半導(dǎo)體光源是否有缺陷的步驟包括:比較第一圖像和第二圖像的明度級(jí)別，并且如果明度級(jí)別的變化量等于或大于預(yù)定值，則將半導(dǎo)體光源確定為有缺陷。
[0011]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，測(cè)試多個(gè)半導(dǎo)體光源，確定所述多個(gè)半導(dǎo)體光源是否有缺陷的步驟包括:在第一圖像和第二圖像中的每個(gè)圖像上設(shè)定與所述多個(gè)半導(dǎo)體光源的位置對(duì)應(yīng)的分割區(qū)域；以及針對(duì)每個(gè)分割區(qū)域比較第一圖像和第二圖像的明度級(jí)別，并且如果明度級(jí)別的變化量等于或大于預(yù)定值，則將位于與分割區(qū)域?qū)?yīng)的位置中的半導(dǎo)體光源確定為有缺陷。
[0012]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，光源為發(fā)光模塊；半導(dǎo)體光源為發(fā)光器件封裝件，發(fā)光器件封裝件包括封裝基底和半導(dǎo)體發(fā)光器件，封裝基底具有第一端子和第二端子，半導(dǎo)體發(fā)光器件位于封裝基底上并且具有電連接到第一端子和第二端子的第一電極和第二電極；構(gòu)造光源的步驟包括:在模塊基底上設(shè)置發(fā)光器件封裝件，其中，作為確定發(fā)光器件封裝件是否有缺陷的結(jié)果，所述發(fā)光器件封裝件被確定為正常。
[0013]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，將半導(dǎo)體發(fā)光器件的第一電極和第二電極設(shè)置為面對(duì)封裝基底的第一端子和第二端子。
[0014]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)為發(fā)光器件封裝件發(fā)射的光的亮度級(jí)別，第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的時(shí)間間隔為40毫秒或更短，如果第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的亮度級(jí)別的變化量為基于第一測(cè)量中獲得的亮度級(jí)別的5%或更大，則將發(fā)光器件封裝件確定為有缺陷。
[0015]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)為發(fā)光器件封裝件發(fā)射的光的色坐標(biāo)值，第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的時(shí)間間隔為40毫秒或更短，基于CIE 1931色坐標(biāo)系，如果在第二測(cè)量中獲得的X色坐標(biāo)值基于在第一測(cè)量中獲得的X色坐標(biāo)值改變0.001或更多，或者在第二測(cè)量中獲得的Y色坐標(biāo)值基于在第一測(cè)量中獲得的Y色坐標(biāo)值改變0.0006或更多，則將發(fā)光器件封裝件確定為有缺陷。
[0016]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，半導(dǎo)體光源為半導(dǎo)體發(fā)光器件，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括導(dǎo)電基底和發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)位于導(dǎo)電基底上并具有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0017]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，光源為照明裝置；半導(dǎo)體光源為發(fā)光模塊，發(fā)光模塊包括模塊基底和位于模塊基底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝件中的至少一個(gè)；構(gòu)造光源的步驟包括:將被構(gòu)造為控制發(fā)光模塊的驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器連接到發(fā)光模塊，其中，作為確定發(fā)光模塊是否有缺陷的結(jié)果，所述發(fā)光模塊被確定為正常。
[0018]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)為發(fā)光模塊發(fā)射的光的亮度級(jí)別，第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的時(shí)間間隔為0.5秒或更短，如果第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的亮度級(jí)別的變化量為基于第一測(cè)量中獲得的亮度級(jí)別的5%或更大，則將發(fā)光模塊確定為有缺陷。
[0019]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，在第一測(cè)量和第二測(cè)量中獲得的光學(xué)性質(zhì)為發(fā)光模塊發(fā)射的光的色坐標(biāo)值，第一測(cè)量和第二測(cè)量之間的時(shí)間間隔為0.5秒或更短，基于CIE 1931色坐標(biāo)系，如果在第二測(cè)量中獲得的X色坐標(biāo)值基于在第一測(cè)量中獲得的X色坐標(biāo)值改變0.001或更多，或者在第二測(cè)量中獲得的Y色坐標(biāo)值基于在第一測(cè)量中獲得的Y色坐標(biāo)值改變0.0006或更多，則將發(fā)光模塊確定為有缺陷。
[0020]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，測(cè)試多個(gè)半導(dǎo)體光源，執(zhí)行第一測(cè)量和第二測(cè)量的步驟包括:接收多個(gè)半導(dǎo)體光源中的每個(gè)半導(dǎo)體光源發(fā)射的光，并且執(zhí)行對(duì)所接收的光的光學(xué)性質(zhì)的第一測(cè)量和第二測(cè)量。
[0021]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種制造光源的方法還包括將確定所述多個(gè)半導(dǎo)體光源中的每個(gè)半導(dǎo)體光源是否有缺陷的結(jié)果存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中。
[0022]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在制造光源的方法中，光源為發(fā)光器件封裝件；半導(dǎo)體光源為具有第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)以及封裝基底的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，封裝基底具有第一端子和第二端子；構(gòu)造光源的步驟包括:在半導(dǎo)體發(fā)光器件上形成包封件，其中，作為確定半導(dǎo)體發(fā)光器件是否有缺陷的結(jié)果，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件被確定為正常。
【附圖說(shuō)明】
[0023]通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本公開(kāi)中的以上和其他方面、特征以及其他優(yōu)點(diǎn)，在附圖中:
[0024]圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的光源測(cè)試方法的流程圖；
[0025]圖2是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的光源測(cè)試裝置的圖；
[0026]圖3是示出根據(jù)圖2中示出的實(shí)施例的光源測(cè)試裝置的變型實(shí)施例的圖；
[0027]圖4A至圖4C是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的光源測(cè)試裝置中使用的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元的圖；
[0028]圖5至圖8是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的光源測(cè)試方法中的缺陷確定的原理的圖；
[0029]圖9和圖10A至圖10C是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的光源測(cè)試方法中的缺陷確定方法的圖；
[0030]圖11是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理制造發(fā)光器件封裝件的方法的流程圖；
[0031]圖12是示出圖11的制造方法的工藝步驟的工藝剖視圖；
[0032]圖13A至圖13C是示出根據(jù)參照?qǐng)D11所描述的方法的制造發(fā)光器件封裝件的方法的工藝剖視圖；
[0033]圖14A至圖14B是示例性地示出通過(guò)圖11的方法制造的發(fā)光器件封裝件的圖；
[0034]圖15是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理的制造發(fā)光模塊的方法的流程圖；
[0035]圖16A和圖16B是示出根據(jù)圖15的實(shí)施例的制造發(fā)光模塊的方法的工藝剖視圖和透視圖；
[0036]圖17是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理制造照明裝置的方法的流程圖；
[0037]圖18A和圖18B是示出根據(jù)圖17的實(shí)施例的制造照明裝置的方法的工藝剖視圖和透視圖；
[0038]圖19和圖20是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)中的實(shí)施例制造的照明裝置的分解透視圖；
[0039]圖21和圖22是示出將根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理制造的照明裝置應(yīng)用于背光單元的實(shí)施例的剖視圖；
[0040]圖23是示出將根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的原理制造的照明裝置應(yīng)用于前照燈的實(shí)施例的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]在下文中，將參照其中示出一些實(shí)施例的附圖來(lái)更充分地描述各種實(shí)施例。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得該描述將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例將把發(fā)明構(gòu)思的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0042]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀保斑B接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由希苯舆B接到或直接結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。同樣的附圖標(biāo)記始終指示同樣的元件。如在這里使用的，除非另有指示，否則術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意和全部組合，術(shù)語(yǔ)“或”理應(yīng)是包括性的。
[0043]將理解的是，雖然這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三、第四等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開(kāi)。因此，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了清楚起見(jiàn)，可能夸大層的厚度。
[0044]為了易于描述，可以在這里使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了附圖中繪出的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定向?yàn)椤霸凇彼銎渌蛱卣鳌吧戏健薄Ｒ虼耍纠孕g(shù)語(yǔ)“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位?？梢詫⒀b置另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并相應(yīng)地解釋在這里使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
[0045]在這里使用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述特定的實(shí)施例的目的，并且不意圖限制發(fā)明構(gòu)思。除非上下文清楚地另外指出，否則如在這里使用的，單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在該說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、