一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimens1n Switch，簡稱ADS)通過同一平面內(nèi)像素間電極產(chǎn)生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，在增大視角的同時(shí)提高液晶層的透光效率。并且，隨著科技的發(fā)展，顯示器件也在向著高效、綠色、節(jié)能的趨勢(shì)發(fā)展。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中為了簡化工藝，一般將第一電極掩膜和柵極掩膜采用半色調(diào)掩膜板進(jìn)行，以節(jié)省掩膜板的數(shù)量，現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的制備流程如圖la?圖lb所示，其中圖la?圖1d為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制備過程結(jié)構(gòu)示意圖，制備方法包括:在襯底基板01上依次沉積第一電極層02、柵極層03，在柵極層03上涂覆光刻膠，形成光刻膠層04，采用半色調(diào)掩模板對(duì)柵極層03和第一電極層02進(jìn)行曝光，形成的結(jié)構(gòu)如圖la所示，對(duì)第一電極層02和柵極層03進(jìn)行刻蝕，形成的結(jié)構(gòu)如圖lb所示，對(duì)光刻膠層04進(jìn)行灰化處理，形成的結(jié)構(gòu)如圖lc所示，此時(shí)形成的條狀的第一電極與其對(duì)應(yīng)的柵極在寬度上的尺寸偏差較小，第一電極的寬度略小于對(duì)應(yīng)的柵極的寬度，對(duì)柵極層03進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，柵極的寬度會(huì)減小，形成的結(jié)構(gòu)如圖1d所示，此時(shí)第一電極的寬度wl大于對(duì)應(yīng)的柵極w2的寬度，即相鄰兩個(gè)第一電極之間的間距L1小于相鄰兩個(gè)柵極L2之間的間距，不利于顯示面板的開口率的提尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置，用以加快陣列基板內(nèi)的第一電極層的刻蝕速度，減小第一電極與對(duì)應(yīng)的柵極在寬度上的尺寸偏差值，提高顯示裝置的開口率。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0007]在襯底基板上依次沉積第一電極層和柵極金屬層，所述第一電極層包括:至少兩層導(dǎo)電層，且所述至少兩層導(dǎo)電層的形成材料的刻蝕速率不同；
[0008]在所述柵極金屬層上形成光刻膠層；
[0009]采用半色調(diào)掩膜板對(duì)形成有光刻膠層、第一電極層和柵極金屬層的襯底基板進(jìn)行曝光；
[0010]對(duì)柵極金屬層進(jìn)行第一次刻蝕；
[0011]對(duì)第一電極層進(jìn)行刻蝕；
[0012]對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行灰化處理，對(duì)柵極金屬層進(jìn)行第二次刻蝕，并剝離剩余的光刻膠，在已進(jìn)行第二次刻蝕后的柵極金屬層上依次形成半導(dǎo)體層、源、漏極層、過孔以及第二電極層。
[0013]本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法，當(dāng)對(duì)第一電極層和柵極金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，由于第一電極層至少包含兩層導(dǎo)電層，且兩層導(dǎo)電層的形成材料的刻蝕速率不同，在刻蝕的初期時(shí)間段內(nèi)，相同時(shí)間下，刻蝕速率大的導(dǎo)電層將被刻蝕的快些，這樣在一段時(shí)間內(nèi)，刻蝕速率大的導(dǎo)電層與刻蝕速率小的導(dǎo)電層在寬度上會(huì)存在偏差，此偏差可以增大刻蝕液與刻蝕速率慢的導(dǎo)電層的接觸面積，故可以增大刻蝕速率慢的導(dǎo)電層的刻蝕速度，進(jìn)而會(huì)增大第一電極與柵極之間的寬度差，當(dāng)再對(duì)柵極金屬層進(jìn)行第二刻蝕后，第一電極與柵極之間的寬度差會(huì)減小，使得第一電極與對(duì)應(yīng)的柵極在寬度上的差值在設(shè)計(jì)的允許范圍內(nèi)，即縮小第一電極的實(shí)際寬度與預(yù)設(shè)寬度之間的誤差，減小兩個(gè)相鄰的第一電極之間的間距，進(jìn)而可以提高顯示裝置的開口率。
[0014]在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一電極層包括兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層分別為第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述在襯底基板上依次沉積第一電極層和柵極金屬層具體包括:
[0015]在所述襯底基板上沉積所述第一導(dǎo)電層；
[0016]在所述第一導(dǎo)電層上沉積所述第二導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的刻蝕速率大于所述第一導(dǎo)電層的刻蝕速率；
[0017]在所述第二導(dǎo)電層上沉積所述柵極金屬層。在刻蝕時(shí)，上層的第二導(dǎo)電層在相同時(shí)間內(nèi)被刻蝕的多些，刻蝕液可以通過第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層寬度上的空隙與第一導(dǎo)電層的上表面接觸，進(jìn)而可以加快第一導(dǎo)電層被刻蝕的速度，使得刻蝕后的第一電極和柵極金屬層在寬度上的偏差增大。
[0018]在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一電極層包括兩層導(dǎo)電層，所述兩層導(dǎo)電層分別為第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述在襯底基板上依次沉積第一電極層和柵極金屬層具體包括:
[0019]在所述襯底基板上沉積所述第二導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的刻蝕速率大于所述第一導(dǎo)電層的刻蝕速率；
[0020]在所述第二導(dǎo)電層上沉積所述第一導(dǎo)電層；
[0021]在所述第一導(dǎo)電層上沉積所述柵極金屬層。在刻蝕時(shí)，下層的第二導(dǎo)電層在相同時(shí)間內(nèi)被刻蝕的多些，刻蝕液可以通過第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層寬度上的空隙與第一導(dǎo)電層的下表面接觸，進(jìn)而可以加快第一導(dǎo)電層被刻蝕的速度，使得刻蝕后的第一電極和柵極金屬層在寬度上的偏差增大。
[0022]在一些可選的實(shí)施方式中，所述對(duì)第一電極層進(jìn)行刻蝕具體包括:
[0023]對(duì)所述第一電極層中的每層采用同一次刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕?？梢怨?jié)省工藝步驟。
[0024]在一些可選的實(shí)施方式中，所述對(duì)第一電極層進(jìn)行刻蝕具體包括:
[0025]對(duì)所述第一電極層中的每層分別采用獨(dú)立的刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕。
[0026]在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電層的材料為a-1TO非晶氧化銦錫或Ρ-ΙΤ0多晶氧化銦錫或ΙΤ0氧化銦錫或Ag銀。這些材料的刻蝕速率相對(duì)較慢。
[0027]在一些可選的實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電層的材料為IGZ0銦鎵鋅氧化物或ΙΖ0氧化銦鋅或ΖηΝΟ氮氧化鋅或ΙΤΖ0銦鎵錫氧化物。這些材料的刻蝕速率相對(duì)較快。
[0028]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，所述陣列基板采用上述任一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法制備而成。本發(fā)明提供的陣列基板可以提高顯示裝置的開口率。
[0029]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括:上述陣列基板。本發(fā)明提供的顯示裝置，具有較好的顯示效果。
【附圖說明】
[0030]圖la?圖1d為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制備過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法流程圖；
[0032]圖3a?圖3e為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板制備過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板中的第一電極的一制備過程結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]附圖標(biāo)記:
[0035]01-襯底基板02-第一電極層
[0036]03-柵極層04-光刻膠層
[0037]1-襯底基板2-第一電極層
[0038]21-第一導(dǎo)電層22-第二導(dǎo)電層
[0039]3-柵極金屬層4-光刻膠層
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0041]如圖2和圖3a?3e所示，其中:圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法流程圖；圖3a?圖3e為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板制備過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0043]步驟S201:在襯底基板1上依次沉積第一電極層2和柵極金屬層3，第一電極層2包括:至少兩層導(dǎo)電層，且至少兩層導(dǎo)電層的形成材料的刻蝕速率不同；
[0044]步驟S202:在柵極金屬層3上形成光刻膠層4 ；
[0045]步驟S203:采用半色調(diào)掩膜板對(duì)形成有光刻膠層4、第一電極層2和柵極金屬層3的襯底基板1進(jìn)行曝光；
[0046]步驟S204:對(duì)柵極金屬層3進(jìn)行第一次刻蝕；
[0047]步驟S205:對(duì)第一電極層2進(jìn)行刻蝕；
[0048]步驟S206:對(duì)光刻膠層