半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、與便攜計(jì)算機(jī)的電子裝置的問(wèn)世已經(jīng)造成高效能集成電路(1C)的需求增加。這些電子裝置不斷地朝向更高功能性與尺寸微型化發(fā)展。為了跟上這一趨勢(shì)，集成電路封裝變得更小、更薄、且更致密。
[0003]可以通過(guò)增加配線(xiàn)密度與減少集成電路封裝中所使用的基板的厚度，以減少集成電路封裝的尺寸與厚度。然而，由于基板的厚度減少，在操作與接續(xù)組裝過(guò)程步驟的期間，基板變得更易于損毀(例如破裂或凹陷)。當(dāng)用于基板的材料具有高的撓曲模數(shù)(為了達(dá)到低的熱膨脹系數(shù)(CTE))時(shí)，這種情況特別常見(jiàn)。當(dāng)為了減少制造成本而將基板的尺寸增加，以在各個(gè)基板上容納更多裝置單元時(shí)，此種情況更加明顯。
[0004]因此，為了尋求解決上述問(wèn)題中的至少一個(gè)問(wèn)題，需要提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括層組件、一個(gè)或多個(gè)支撐組件及一個(gè)或多個(gè)錨合組件，支撐組件配置于層組件的第一表面上，錨合組件配置于層組件內(nèi)且連接于一個(gè)或多個(gè)支撐組件，以耦接一個(gè)或多個(gè)支撐組件于層組件，進(jìn)而強(qiáng)化層組件。
[0006]在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)錨合組件中的至少一個(gè)的一部分可以曝露于層組件的第二表面上，第二表面相對(duì)于第一表面。
[0007]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可以包括一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件，加強(qiáng)組件配置于層組件的第二表面的至少一部分上，其中一個(gè)或多個(gè)錨合組件可以連接于一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件，以耦接一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件于層組件，進(jìn)而更加強(qiáng)化層組件。
[0008]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可以包括一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件，加強(qiáng)組件配置于一個(gè)或多個(gè)支撐組件的至少一部分上，以進(jìn)一步加強(qiáng)化層組件。
[0009]在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)支撐組件可以包括磁性材料。一個(gè)或多個(gè)支撐組件還可以包括涂層，涂層是配置于磁性材料的至少一部分上方。
[0010]在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)支撐組件可以配置于層組件的邊緣部分。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)支撐組件的一部分可以延伸至層組件的邊緣部分外，以限定懸掛部分。懸掛部分包括一個(gè)或多個(gè)貫穿孔。
[0011 ] 在一實(shí)施例中，層組件可以包括具有一個(gè)或多個(gè)電子組件的絕緣基板層組件。
[0012]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以包括支撐組件，其中所述一個(gè)支撐組件環(huán)繞承載組件的邊緣延伸。
[0013]在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)錨合組件種的至少一個(gè)可以是柱體或圓柱。
[0014]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還可以包括另外的層組件、以及一個(gè)或多個(gè)另外的錨合組件，另外的錨合組件可以配置于另外的層組件內(nèi)且連接于層組件的一個(gè)或多個(gè)錨合組件，以強(qiáng)化層組件與另外的層組件二者。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括形成一個(gè)或多個(gè)錨合組件于載件上方、封裝一個(gè)或多個(gè)錨合組件于層組件內(nèi)、以及選擇性地蝕刻載件，以形成一個(gè)或多個(gè)支撐組件。
[0016]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成一個(gè)或多個(gè)電子組件于載件上。
[0017]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成一個(gè)或多個(gè)貫穿孔于一個(gè)或多個(gè)支撐組件內(nèi)。
[0018]在一實(shí)施例中，方法還可以包括平面化層組件，以曝露一個(gè)或多個(gè)錨合組件中的至少一個(gè)的至少一部分。
[0019]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件于一個(gè)或多個(gè)暴露的錨合組件的至少一部分上方。
[0020]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成一個(gè)或多個(gè)加強(qiáng)組件于一個(gè)或多個(gè)支撐組件的至少一部分上方。
[0021]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成涂層于內(nèi)部磁性核心的至少一部分上方；內(nèi)部磁性核心和涂層限定載件。
[0022]在一實(shí)施例中，方法還可以包括形成一個(gè)或多個(gè)分隔間隙于層組件內(nèi)。
【附圖說(shuō)明】
[0023]僅通過(guò)以下描述的范例的方式，以及一并參照以下附圖，對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明的范例性實(shí)施例將更容易理解且更加明顯。
[0024]圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0025]圖2繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0026]圖3繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0027]圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0028]圖5a、b及c分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂部、底部與放大視圖。
[0029]圖6繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0030]圖7繪示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0031]圖8繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0032]圖9繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0033]圖10a、b與c分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂部、底部與放大視圖。
[0034]圖11繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0035]圖12a_c繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0036]圖13a及b分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的底部與放大視圖。
[0037]圖14繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0038]圖15a與b分別繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂部與底部視圖。
[0039]圖16a至16f繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程的剖面圖。
[0040]圖17a至17e繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程的剖面圖。
[0041]圖18繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的步驟的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]本發(fā)明的實(shí)施例將參照附圖進(jìn)行描述。附圖中相似的附圖標(biāo)記與特征表示相似的組件或同樣的組件。
[0043]圖1為繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一般指定為附圖標(biāo)記100的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括層組件102、二個(gè)支撐(強(qiáng)化)組件104a/104b及二個(gè)錨合(鎖合)組件106a/106b，其中支撐組件104a/104b配置于層組件102的第一表面上，錨合組件106a/106b配置于層組件102內(nèi)，且分別連接于二個(gè)支撐組件104a/104b。二個(gè)錨合組件106a/106b分別連接于二個(gè)支撐組件104a/104b，以將支撐組件104a/104b耦接于層組件102。支撐組件104a/104b與錨合組件106a/106b提供搬動(dòng)與運(yùn)輸上的支持，和/或機(jī)械性地強(qiáng)化/加固層組件102。在一實(shí)施例中，層組件102可以是承載組件。
[0044]層組件102可以是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的基板的一部分或整體。層組件102可以包括內(nèi)嵌于介電體或介電層中的多個(gè)電子組件(例如110)。在基板中可以限定一個(gè)或多個(gè)裝置單元(例如114a/114b)，每個(gè)裝置單元用于接收一個(gè)或多個(gè)例如是集成電路(1C)芯片或無(wú)源組件的半導(dǎo)體裝置。至少一電子組件(在每個(gè)裝置單元中)可以將層組件102的頂部表面連接至底部表面(通過(guò)層組件102)。多個(gè)電子組件中的每一個(gè)可以包括一個(gè)或多個(gè)配線(xiàn)線(xiàn)跡(例如111)和/或一個(gè)或多個(gè)垂直通孔(例如108)。配線(xiàn)線(xiàn)跡可以是線(xiàn)路或接墊且垂直通孔可以是柱塊、柱體、或圓柱(圓柱形或長(zhǎng)方體形)。較佳地，多個(gè)電子組件(例如110)彼此隔離。
[0045]層組件可以配置用于在頂部的第一表面(和/或底部的第二表面)上接收至少一半導(dǎo)體裝置(未顯示)并與至少一半導(dǎo)體裝置(未顯示)連接，并且經(jīng)由電子組件將電子信號(hào)從半導(dǎo)體裝置發(fā)送至層組件的底部的第二表面(和/或頂部的第一表面)。在一實(shí)施例中，支撐組件(與錨合組件)可以配置為遠(yuǎn)離和/或圍繞半導(dǎo)體裝置，因此支撐組件不會(huì)干擾半導(dǎo)體組件對(duì)于層組件的連接。
[0046]雖然圖1只顯示二個(gè)錨合組件與二個(gè)支撐組件，在另一實(shí)施例中，可以有一個(gè)或多個(gè)支撐組件配置于層組件上，和/或一個(gè)或多個(gè)錨合組件配置于層組件內(nèi)。
[0047]支撐組件與錨合組件可以依據(jù)產(chǎn)品需求配置于層組件的任何部分的所選區(qū)段的上方。較佳地，支撐組件與錨合組件是配置于層組件的邊緣部分(即環(huán)繞層組件的邊緣)。一個(gè)錨合組件可以連接于一個(gè)或多個(gè)支撐組件。一個(gè)支撐組件可以連接于一個(gè)或多個(gè)錨合組件。錨合組件內(nèi)嵌于層組件的介電體內(nèi)并將支撐組件固定于層組件。
[0048]在一實(shí)施例中，可以通過(guò)支撐組件104a/104b完全地遮蔽錨合組件106a/106b，且錨合組件并未曝露于層組件102的第一表面上。亦即，錨合組件106a/106b在層組件102的第一表面上由支撐組件104a/104b通過(guò)層組件的介電體朝向?qū)咏M件102的第二表面延伸。
[0049]在圖1中，錨合組件106a/106b內(nèi)嵌于層組件102中，使得錨合組件的一端(基部)曝露于層組件的第二表面上，第二表面(即層組件102的底部表面)是相對(duì)于第一表面(即，層組件102的頂部表面)。因此，錨合組件106a/106b的厚度(即高度)是等于層組件102的厚度。
[0050]備選地，如圖2所示，錨合組件206a/206b完全內(nèi)嵌于層組件202中，使得錨合組件的基部部分未曝露于層組件的第二表面(即層組件202的底部表面)上。換句話(huà)說(shuō)，錨合組件206a/206b的厚度(即高度)是小于層組件202的厚度。
[0051]支撐組件(連接于錨合組件)耦接于層組件，以增強(qiáng)層組件的結(jié)構(gòu)的整體性，進(jìn)而有利于操作和集成電路芯片的后續(xù)組裝。因此，本發(fā)明的實(shí)施例有利地允許使用較薄與較大的基板，且可以將基板的翹曲最小化。支撐組件與錨