69a及第2突起部69b設(shè)置于軸向不相重合的位置，設(shè)置于軸向不同的位置。向第1突起部69a的徑向突出的寬度WA1比第1突起部69a與熱斷路器52之間的徑向?qū)挾萕B1大。同樣，向第2突起部69b的徑向突出的寬度WA2比第2突起部69b與熱反射器56之間的徑向?qū)挾萕B2大。因此，第1突起部69a及第2突起部69b配置成其一部分在徑向上重合。通過(guò)設(shè)成這種結(jié)構(gòu)，能夠使等離子體難以侵入到間隙58的里面，并能夠使間隙58的底部區(qū)域C3的等離子體密度變得稀薄。
[0059]圖7為表示另一實(shí)施方式所涉及的熱電子放出部214的結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實(shí)施方式所涉及的熱電子放出部214未設(shè)置配置在陰極帽50及熱斷路器52的徑向外側(cè)的熱反射器56，這一點(diǎn)與上述實(shí)施方式不同。
[0060]本實(shí)施方式中構(gòu)成狹小結(jié)構(gòu)260的突起部264設(shè)置于熱斷路器52的外周面52c。狹小結(jié)構(gòu)260在夾在熱斷路器52與和熱斷路器52的外周面52c對(duì)置的上面板12a的安裝孔12d的間隙258，間隙258的徑向?qū)挾萕B局部設(shè)為小于原有寬度W。由此，能夠減少通過(guò)間隙258從電弧室的內(nèi)部向外部流出的等離子體的量，并減少對(duì)于設(shè)置于電弧室12的外部的熱斷路器52的堆積或蝕耗的影響。另外，本實(shí)施方式中，突起部264也可以設(shè)置于電弧室12的安裝孔12d。
[0061]以上，參考上述實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并非限定于上述實(shí)施方式，適當(dāng)組合或替換實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)也均屬于本發(fā)明。并且，可根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)適當(dāng)重新排列實(shí)施方式的組合或處理順序、或?qū)?shí)施方式加以各種設(shè)計(jì)變更等變形，加以這種變形的實(shí)施方式也屬于本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種離子發(fā)生裝置，其特征在于，具備: 電弧室； 陰極，從所述電弧室的內(nèi)部向外軸向延伸，且向所述電弧室內(nèi)放出熱電子； 筒狀熱反射器，設(shè)置于所述陰極的徑向外側(cè)，且沿所述軸向延伸；及 狹小結(jié)構(gòu)，在夾在所述陰極與所述熱反射器之間的間隙，所述徑向?qū)挾仍谒鲚S向規(guī)定位置變小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述陰極與所述熱反射器的電位相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述狹小結(jié)構(gòu)包含突起部，該突起部設(shè)置于所述陰極和所述熱反射器中的至少一方且向所述徑向突出，并且沿所述軸向延伸， 所述突起部在沿所述軸向延伸的區(qū)間，使所述間隙的所述徑向?qū)挾仍谒鲆?guī)定位置減小。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述突起部中，向所述徑向突出的寬度大于沿所述軸向延伸的區(qū)間的所述間隙的所述徑向?qū)挾取?.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述突起部中，沿所述軸向延伸的區(qū)間的長(zhǎng)度為沿所述軸向延伸的區(qū)間的所述間隙的所述徑向?qū)挾鹊?倍以上。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述突起部具有設(shè)置于所述陰極的內(nèi)側(cè)突起部及設(shè)置于所述熱反射器的外側(cè)突起部， 所述內(nèi)側(cè)突起部及所述外側(cè)突起部設(shè)置于所述軸向重合位置。7.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述突起部具有設(shè)置于所述陰極的內(nèi)側(cè)突起部及設(shè)置于所述熱反射器的外側(cè)突起部， 所述內(nèi)側(cè)突起部及所述外側(cè)突起部設(shè)置于所述軸向上不相重合的位置，沿所述徑向重入口 ο8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述陰極包含:陰極帽，向所述電弧室內(nèi)放出熱電子；及筒狀熱斷路器，從所述電弧室的內(nèi)部向外軸向延伸，且固定所述陰極帽， 將所述狹小結(jié)構(gòu)中所述熱斷路器與所述熱反射器之間的所述徑向?qū)挾仍O(shè)置得小。9.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述陰極包含:陰極帽，向所述電弧室內(nèi)放出熱電子；及筒狀熱斷路器，從所述電弧室的內(nèi)部向外軸向延伸，且固定所述陰極帽， 所述陰極帽上未設(shè)置有所述突起部。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述熱斷路器具有:卡止端部，使所述陰極帽卡止；及安裝端部，安裝于設(shè)置在所述電弧室之外的部件上。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述熱反射器包含連接端部，在所述安裝端部的附近朝所述熱斷路器向徑向內(nèi)側(cè)延伸，且與所述熱斷路器連接， 所述間隙具有:底部區(qū)域，所述軸向位置較所述卡止端部與所述連接端部的中間成為更靠近所述連接端部的位置；及中間區(qū)域，所述軸向位置較所述底部區(qū)域成為更靠近所述卡止端部的位置， 所述狹小結(jié)構(gòu)中，與所述中間區(qū)域相比，所述底部區(qū)域的所述徑向?qū)挾雀蟆?2.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述離子發(fā)生裝置還具備燈絲，設(shè)置于所述熱斷路器的內(nèi)部，對(duì)所述陰極帽進(jìn)行加熱，所述陰極帽包括面向所述電弧室的內(nèi)部空間的前面及卡止于所述卡止端部且面向所述燈絲的背面， 所述間隙具有上部區(qū)域，所述軸向位置成為較所述前面和所述背面的中間更靠近所述前面的位置， 所述中間區(qū)域?yàn)?，所述軸向位置較所述上部區(qū)域成為更靠近所述卡止端部的位置的區(qū)域， 所述狹小結(jié)構(gòu)中，與所述中間區(qū)域相比，所述上部區(qū)域的所述徑向?qū)挾雀蟆?3.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 與所述電弧室的內(nèi)部空間相比，所述底部區(qū)域?yàn)榈入x子體密度更稀薄的空間。14.根據(jù)權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述離子發(fā)生裝置還具備將等離子體生成用源氣體導(dǎo)入到所述電弧室內(nèi)的導(dǎo)氣口， 所述源氣體包含鹵化物， 所述狹小結(jié)構(gòu)抑制所述熱斷路器的熱絕緣性可能由于導(dǎo)電性物質(zhì)的附著而下降，所述導(dǎo)電性物質(zhì)因所述鹵化物而生成。15.根據(jù)權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于， 所述離子發(fā)生裝置還具備將等離子體生成用源氣體導(dǎo)入到所述電弧室內(nèi)的導(dǎo)氣口， 所述源氣體包含氧即0， 所述狹小結(jié)構(gòu)抑制因氧而生成的物質(zhì)可能引起的所述熱斷路器的損傷。16.一種熱電子放出部，其用于向電弧室內(nèi)生成等離子體，其特征在于，所述熱電子放出部具備: 陰極，從所述電弧室的內(nèi)部向外軸向延伸，且向所述電弧室內(nèi)放出熱電子； 筒狀熱反射器，設(shè)置于所述陰極的徑向外側(cè)，且沿所述軸向延伸；及 狹小結(jié)構(gòu)，在夾在所述陰極與所述熱反射器之間的間隙，所述徑向?qū)挾仍谒鲚S向規(guī)定位置變小。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種能夠減少陰極的維護(hù)頻率的離子發(fā)生裝置及熱電子放出部。本發(fā)明的離子發(fā)生裝置具備：電弧室(12)；陰極(30)，從電弧室(12)的內(nèi)部向外軸向延伸，且向電弧室內(nèi)放出熱電子；筒狀熱反射器(56)，設(shè)置于陰極(30)的徑向外側(cè)，且沿軸向延伸；及狹小結(jié)構(gòu)(60)，在夾在陰極(30)與熱反射器(56)之間的間隙(58)，徑向?qū)挾萕B在軸向規(guī)定位置變小。
【IPC分類(lèi)】H01J37/08, H01J27/14
【公開(kāi)號(hào)】CN105304440
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510256446
【發(fā)明人】佐藤正輝
【申請(qǐng)人】斯伊恩股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年5月14日
【公告號(hào)】US20150340194