絕緣塊233。絕緣塊233具有凸緣233a，在凸緣233a上載置并固定分散板234。進一步，蓋231被固定于絕緣塊233的上表面。通過設(shè)為這樣的構(gòu)造，從而能夠從上方依序拆下蓋231、分散板234、絕緣塊233。
[0053]此外，本實施例中、后述的等離子體生成部連接于蓋231，所以設(shè)置使得電力不傳遞到上部容器2011的絕緣部件233。進一步，在該絕緣部件上設(shè)置有分散板234、蓋231。但是，不限于此。例如、在不具有等離子體生成部的情況下，只要在凸緣2021a固定分散板234并在上部容器2021的不同于凸緣的部分固定蓋231即可。S卩，只要是從上方依序拆下蓋231、分散板234那樣的嵌套構(gòu)造即可。
[0054]緩沖空間232中，設(shè)置有引導(dǎo)所供給的氣體的流動的氣體引導(dǎo)件235。關(guān)于氣體引導(dǎo)件235的詳情將后述。
[0055](供給系統(tǒng))
[0056]在簇射頭230的蓋231所設(shè)置的氣體導(dǎo)入孔231a，連接有處理室側(cè)氣體供給管241。在處理室側(cè)氣體供給管241連接有共用氣體供給管242。在處理室側(cè)氣體供給管241設(shè)置有凸緣，利用螺釘?shù)葘⑾掠蝹?cè)的凸緣固定于蓋231，將上游側(cè)的凸緣固定于共用氣體供給管242的凸緣。
[0057]處理室側(cè)氣體供給管241與共用氣體供給管242在管的內(nèi)部相連通，從共用氣體供給管242供給的氣體經(jīng)由處理室側(cè)氣體供給管241、氣體導(dǎo)入孔231a被供給到簇射頭230 內(nèi)。
[0058]在共用氣體供給管242連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。第二氣體供給管244a經(jīng)由遠程等離子體單元244e連接于共用氣體供給管 242。
[0059]從包括第一氣體供給管243a的第一氣體供給系統(tǒng)243主要供給含有第一元素氣體，從包括第二氣體供給管244a的第二氣體供給系統(tǒng)244主要供給含有第二元素氣體。從包括第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統(tǒng)245，在處理晶片時主要供給惰性氣體，在清潔簇射頭230和處理空間201時主要供給清潔氣體。
[0060](第一氣體供給系統(tǒng))
[0061]在第一氣體供給管243a，從上游方向依序設(shè)置有第一氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 243c、以及作為開閉閥的閥243d。
[0062]含有第一元素的氣體(以下稱為“含有第一元素氣體”)，從第一氣體供給管243a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器243c、閥243d、共用氣體供給管242被供給到簇射頭230。
[0063]含有第一元素氣體為原料氣體、即處理氣體之一。在此，第一元素為例如鈦(Ti)。即，含有第一元素氣體為例如含鈦氣體。此外，含有第一元素氣體也可以是常溫常壓下為固體、液體以及氣體中任一形態(tài)。在含有第一元素氣體在常溫常壓為液體的情況下，只要在第一氣體供給源243b與質(zhì)量流量控制器243c之間設(shè)置未圖示的汽化器即可。在此，作為氣體進行說明。
[0064]在第一氣體供給管243a的比閥243d靠下游側(cè)的位置，連接有第一惰性氣體供給管246a的下游端。在第一惰性氣體供給管246a從上游方向依序設(shè)置有惰性氣體供給源246b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 246c、以及作為開閉閥的閥246do
[0065]在此，惰性氣體為例如氮氣(N2)。此外，作為惰性氣體，除N2氣外，還可以使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0066]主要由第一氣體供給管243a、質(zhì)量流量控制器243c、閥243d構(gòu)成含有第一元素氣體供給系統(tǒng)243 (也稱為含鈦氣體供給系)。
[0067]另外，主要由第一惰性氣體供給管246a、質(zhì)量流量控制器246c以及閥246d構(gòu)成第一惰性氣體供給系統(tǒng)。此外，也可以考慮將惰性氣體供給源234b、第一氣體供給管243a包含于第一惰性氣體供給系統(tǒng)。
[0068]進一步，也可以認(rèn)為第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統(tǒng)包含于含有第一元素氣體供給系統(tǒng)243。
[0069](第二氣體供給系統(tǒng))
[0070]對于第二氣體供給管244a，在下游設(shè)置有遠程等離子體單元244e。在上游從上游方向起依序設(shè)置有第二氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 244c、以及作為開閉閥的閥244d。
[0071]含有第二元素的氣體(以下稱為“含有第二元素氣體”)，從第二氣體供給管244a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器244c、閥244d、遠程等離子體單元244e、共用氣體供給管242被供給到簇射頭230內(nèi)。含有第二元素氣體通過遠程等離子體單元244e而成為等離子體狀態(tài)，并被照射到晶片200上。
[0072]含有第二元素氣體為處理氣體之一。此外，也可以考慮將含有第二元素氣體作為反應(yīng)氣體或改性氣體。
[0073]在此，含有第二元素氣體含有不同于第一元素的第二元素。作為第二元素，例如是氧(0)、氮(N)、碳(C)中任一元素。本實施方式中，含有第二元素氣體例如為含氮氣體。具體而言，作為含氮氣體，可以使用氨氣(nh3)。
[0074]主要由第二氣體供給管244a、質(zhì)量流量控制器244c、閥244d構(gòu)成含有第二元素氣體供給系統(tǒng)244 (也稱為含氮氣體供給系統(tǒng))。
[0075]另外，在第二氣體供給管244a的比閥244d靠下游側(cè)的位置，連接有第二惰性氣體供給管247a的下游端。在第二惰性氣體供給管247a從上游方向起依序設(shè)置有惰性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 247c、以及作為開閉閥的閥247d。
[0076]惰性氣體從第二惰性氣體供給管247a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a、遠程等離子體單元244e被供給到簇射頭230內(nèi)。惰性氣體在薄膜形成工序(S104)中作為運載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用。
[0077]主要由第二惰性氣體供給管247a、質(zhì)量流量控制器247c以及閥247d構(gòu)成第二惰性氣體供給系統(tǒng)。此外，也可以考慮將惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管243a、遠程等離子體單元244e包含于第二惰性氣體供給系統(tǒng)。
[0078]進一步，也可以考慮將第二氣體供給源244b、遠程等離子體單元244e、第二惰性氣體供給系統(tǒng)包含于含有第二元素氣體供給系統(tǒng)244。
[0079](第三氣體供給系統(tǒng))
[0080]在第三氣體供給管245a從上游方向起依序設(shè)置有第三氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 245c、以及作為開閉閥的閥245d。
[0081]作為吹掃氣體的惰性氣體，從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥245d、共用氣體供給管242被供給到簇射頭230。
[0082]在此，惰性氣體為例如氮氣(N2)。此外，作為惰性氣體，除N2氣外，也可以使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0083]在第三氣體供給管245a的比閥245d靠下游側(cè)的位置，連接有清潔氣體供給管248a的下游端。在清潔氣體供給管248a從上游方向起依序設(shè)置有清潔氣體供給源248b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 248c、以及作為開閉閥的閥248d。
[0084]主要由第三氣體供給管245a、質(zhì)量流量控制器245c、閥245d構(gòu)成第三氣體供給系統(tǒng) 245。
[0085]另外，主要由清潔氣體供給管248a、質(zhì)量流量控制器248c以及閥248d構(gòu)成清潔氣體供給系統(tǒng)。此外，也可以考慮將清潔氣體供給源248b、第三氣體供給管245a包含于清潔氣體供給系統(tǒng)。
[0086]進一步，也可以考慮將第三氣體供給源245b、清潔氣體供給系統(tǒng)包含于第三氣體供給系統(tǒng)245。
[0087]襯底處理工序中，惰性氣體從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥245d、共用氣體供給管242被供給到簇射頭230內(nèi)。另外，清潔工序中，清潔氣體經(jīng)由質(zhì)量流量控制器248c、閥248d、共用氣體供給管242被供給到簇射頭230內(nèi)。
[0088]從惰性氣體供給源245b被供給的惰性氣體，在襯底處理工序中，作為對蓄積于處理容器202和/或簇射頭230內(nèi)的氣體進行吹掃的吹掃氣體發(fā)揮作用。另外，也可以清潔工序中，作為清潔氣體的運載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用。
[0089]從清潔氣體供給源248b供給的清潔氣體，作為在清潔工序中去除附著于濺頭230和處理容器202的副產(chǎn)物等的清潔氣體發(fā)揮作用。
[0090]在此，清潔氣體為例如三氟化氮(NF3)氣體。此外，作為清潔氣體，也可以使用例如氟化氫氣體(HF)、三氟化氯氣體(C1F3)、氟氣(F2)等，并且也可以組合使用這些氣體。
[0091]接下來，利用圖3就第一分散機構(gòu)241、氣體引導(dǎo)件235、頂板231的具體構(gòu)造進行說明。圖3是放大表示圖1的第一分散機構(gòu)241的周邊的圖，是說明第一分散機構(gòu)241、氣體引導(dǎo)件235、頂板231的具體構(gòu)造的說明圖。
[0092]第一分散機構(gòu)241具有頂端部241a和凸緣241b。頂端部241b從貫通孔231a的上方被插入。凸緣241b的下表面通過螺釘?shù)裙潭ㄓ谏w231的上表面。凸緣241的上表面通過螺釘?shù)裙潭ㄓ跉怏w供給管242的凸緣。在凸緣241b與頂板231之間設(shè)置有0形環(huán)236，將簇射頭232內(nèi)的空間氣密。第一分散機構(gòu)241能夠單獨從頂板231拆下。在拆下時，將用于固定于氣體供給管242的螺釘和用于固定于頂板的螺釘擰開并從頂板231上拆下。
[0093]氣體引導(dǎo)件235具有板部235a和連接部235b。
[0094]板部235a是引導(dǎo)從第一分散機構(gòu)241的分散孔241c被供給的氣體直至分散板234的板，為隨著朝向分散板234方向直徑變寬的錐體，例如為圓錐狀。氣體引導(dǎo)件235形成為，其下端位于比在分散板234的最外周側(cè)所形成的貫通孔234a更靠外周側(cè)。
[0095]連接部235b是將蓋231與板部235a連接的部件。連接部235b的上端，通過未圖示的螺釘?shù)榷潭ㄓ谏w231的下表面。下端通過焊接等而連接于板部235b。連接部235b為柱形狀，例如構(gòu)成為圓柱。連接部235b隔著間隙232b與頂端部241a的側(cè)壁相鄰。由于隔著間隙，因此避免在從頂板231拆下第一分散機構(gòu)241時所擔(dān)憂的、與連接部235b的物理接觸。通過避免物理接觸，使第一分散機構(gòu)的拆下容易進行并且抑制由物理接觸所導(dǎo)致的污垢的產(chǎn)生。
[0096]但是，認(rèn)為存在在簇射頭232內(nèi)的第一分散機構(gòu)241和/或氣體引導(dǎo)件235等的表面，所供給的氣體變?yōu)槟ざ街那闆r。所形成的膜，與在處理空間形成在襯底上的膜不同，形成有膜密