功率半導體器件制作方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率半導體器件制作方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]功率半導體器件主要應用在大電壓、大電流的場合，在使用中會產(chǎn)生大量的熱量，過高的熱量會使器件失效，為了盡量減少這些熱量，需要減少器件的電阻，需要將硅片的厚度降低到350um以下，而硅片的厚度越低，機械強度越小，硅片就越容易發(fā)生翹曲，過大的翹曲對加工器件的機臺提出了很大的挑戰(zhàn)，因為硅片厚度太薄和硅片翹曲過大容易導致如下問題:
[0003](1)自動機臺機械手傳片發(fā)生故障。有些機臺的傳片是通過真空吸附的形式進行，如果硅片翹曲過大，真空將無法有效吸附這些硅片，導致機臺報警，硅片無法進入機臺加工。
[0004](2)機臺加工薄硅片時容易產(chǎn)生碎片。當硅片的厚度低于350um時，在進行高速旋轉(zhuǎn)的工藝時，硅片由于機械強度低會發(fā)生碎片，危及人身安全。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決硅片減薄后翹曲過大的問題，通常是采用一種硅片臨時鍵合的技術(shù)，該方案是采用一種類似于硅片的載片，該載片提供支撐作用，首先在該載片上涂覆臨時鍵合膠，然后在硅片和載片上施加一定大小的力，把硅片和載片“焊接”在一起，再進行后續(xù)的相關(guān)工藝，等到工藝全部完成時，再把載片和硅片分開(解鍵合)，即用相應的溶劑清洗干凈硅片和載片上殘留的臨時鍵合膠，完成整個工藝過程。該技術(shù)方案需要用到臨時鍵合膠、清洗溶劑、載片、臨時鍵合機、解鍵合機等原材料和設備，缺點是設備和原材料昂貴，生產(chǎn)成本大，工藝過程復雜，消耗的化學品污染環(huán)境。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種功率半導體器件制作方法及裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)在解決功率半導體器件薄片翹曲時成本大，工藝過程復雜的技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明一方面提供一種功率半導體器件制作方法，包括:
[0008]在功率半導體器件的第一硅片正面貼上膠膜；
[0009]對膠膜進行裁剪，剪掉未覆蓋在第一硅片上的部分，使膠膜與第一硅片形狀大小相同；
[0010]對第一硅片背面進行減薄以及其它工藝，直至對第一硅片背面的所有工藝全部完成；
[0011]從第一硅片上除去膠膜，獲得第二硅片。
[0012]進一步的，膠膜的厚度為300?1000微米。
[0013]進一步的，I父I旲具有粘附性。
[0014]進一步的，從第一硅片上除去膠膜，獲得第二硅片，具體為:
[0015]對膠膜采用紫外線進行照射預設時間后，再從第一硅片上撕開膠膜，獲得第二硅片。
[0016]進一步的，預設時間為1S-1000S。
[0017]進一步的，膠膜呈透明狀。
[0018]進一步的，膠膜至少能夠承受200°C的高溫。
[0019]本發(fā)明另一方面提供一種功率半導體器件制作裝置，包括:
[0020]膠膜粘貼模塊，用于在功率半導體器件的第一硅片正面貼上膠膜；
[0021]膠膜裁剪模塊，用于對膠膜進行裁剪，剪掉未覆蓋在第一硅片上的部分，使膠膜與第一娃片形狀大小相同；
[0022]背面工藝處理模塊，用于對第一硅片背面進行減薄以及其它工藝，直至對第一硅片背面的所有工藝全部完成；
[0023]膠膜去除模塊，用于從第一硅片上除去膠膜，獲得第二硅片。
[0024]本發(fā)明提供一種功率半導體器件制作方法及裝置，通過在功率半導體器件的第一硅片正面貼上膠膜；對膠膜進行裁剪，剪掉未覆蓋在第一硅片上的部分，使膠膜與第一硅片形狀大小相同；對第一硅片背面進行減薄以及其它工藝，直至對第一硅片背面的所有工藝全部完成；從第一硅片上除去膠膜，獲得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上貼了膠膜，可避免第一硅片減薄后翹曲過大，不利于后續(xù)加工，且同時能夠降低成本，簡化工藝過程。
【附圖說明】
[0025]在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中:
[0026]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例一的功率半導體器件制作方法的流程示意圖；
[0027]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例二的功率半導體器件制作裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。
【具體實施方式】
[0029]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0030]實施例一
[0031]本實施例的執(zhí)行主體是功率半導體器件制作裝置。
[0032]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例一的功率半導體器件制作方法的流程示意圖，如圖1所示，本發(fā)明提供一種功率半導體器件制作方法，包括:
[0033]步驟101，在功率半導體器件的第一硅片正面貼上膠膜。
[0034]具體的，此處的第一硅片即是未進行背面減薄工藝的硅片，為了與已完成背面所有工藝的第二硅片進行區(qū)分，此處稱為第一硅片。功率半導體器件，主要是用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件，如IGBT就是一種功率半導體器件。在制作功率半導體器件時，如制作IGBT，由于涉及到硅片背面減薄工藝，而硅片越薄，機械強度越小，硅片就越容易發(fā)生翹曲，過大的翹曲不利于硅片的后續(xù)加工，而且硅片太薄在后續(xù)加工時容易產(chǎn)生碎片，危及人身安全。所以在功率半導體器件的第一硅片正面先貼上膠膜，然后對第一硅片進行后續(xù)工藝。由于膠膜需要能夠完全覆蓋第一硅片正面，為了貼覆方便，通常膠膜比第一硅片正面要大，至于大多少，可根據(jù)實際情況進行設置，在此不做限定，但是為了節(jié)約材料，膠膜比第一硅片正面不要大太多。
[0035]進一步的，膠膜的厚度為300?1000微米。這個范圍的膠膜厚度，貼在第一硅片上后能保證第一硅片的翹曲在可接受范圍內(nèi)，并能夠提供足夠的支撐作用，保證第一硅片在高速旋轉(zhuǎn)下不產(chǎn)生碎片。
[0036]進一步的，膠膜具有粘附性。膠膜的粘附性好，貼在第一硅片上后能經(jīng)受后續(xù)的加工工藝而不從第一硅片上脫落，以保證第一硅片的翹曲在可接受范圍內(nèi)。
[0037]進一步的，膠膜呈透明狀。膠膜呈透明狀，即膠膜貼在第一硅片正面后，可透過膠膜看見第一硅片正面的各部件及結(jié)構(gòu)，便于對第一硅片的加工，避免發(fā)生損傷而不可知。
[0038]進一步的，膠膜至少能夠承受200°C的高溫。膠膜能耐受一定的溫度，可在后續(xù)的高溫加工工藝中不發(fā)生性質(zhì)的改變而保持原有性能，同時也不至于對第一硅片正面各部件及結(jié)構(gòu)產(chǎn)生污染，以改變第一硅片性