電子封裝模塊的制造方法以及電子封裝模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝模塊的制造方法及其結(jié)構(gòu)，特別涉及一種利用兩階段模封以及利用兩階段屏蔽的電子封裝模塊制造方法及其結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前電子封裝模塊通常包括一電路板與多個(gè)裝設(shè)在電路板上的電子元件(electronic component)。這些電子元件例如是芯片封裝體(chip package)或無(wú)源元件(passive component)等。此外，大多數(shù)的電子封裝模塊通常還包括模封塊(moldingcompound),其用以包覆(encapsulating)上述電子元件，以保護(hù)電子元件。
[0003]電子元件日益復(fù)雜，而使用者對(duì)于加快處理速度(processing speed)與縮小元件尺寸的需求也日益增加?，F(xiàn)今的電子產(chǎn)品講求輕薄短小，使得電子元件與線路的分布密度過(guò)高，這增加了一些問(wèn)題，例如電磁干擾(Electromagnetic interference, EMI)。尤其，如何在電子元件與線路分布密集的電路板上形成多區(qū)塊的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，亦即，形成多個(gè)電磁屏蔽隔間，成為現(xiàn)有通訊產(chǎn)品的需求。
[0004]一種公知技術(shù)是先在電路板上大面積地形成模封塊，然后在模封塊上挖槽，再于槽內(nèi)填入金屬材料以形成隔間。然而，此等制造工藝容易因挖槽的深寬比造成填入槽內(nèi)的金屬材料無(wú)法均勻地分布于槽內(nèi)，例如，填入槽內(nèi)的金屬材料無(wú)法接觸挖槽底部的線路基板，或者具有孔隙、空氣間隔等。因此，以此所形成的金屬隔間容易有導(dǎo)電不良或?qū)щ姴痪膯?wèn)題，并且，金屬隔間的尺寸受限于挖槽的深寬比，難以縮小。
[0005]此外，美國(guó)專利公開文件US2008/0055878號(hào)，揭露了一種具有電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的電子元件，其不具有金屬隔間的屏蔽結(jié)構(gòu)，且該電子元件的厚度受限于模封材料的厚度而難以降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種電子封裝模塊的制造方法，能兩階段模封以及兩階段鍍覆以形成屏蔽，而無(wú)需受限于屏蔽層的深寬比，可完整防護(hù)電子元件間的電磁干擾。
[0007]—種電子封裝模塊的制造方法，包括以下步驟:提供一線路基板，線路基板具有組裝平面與至少一接地墊，多個(gè)電子元件設(shè)置于組裝平面上；形成至少一第一模封體包覆部分電子元件；形成第一屏蔽層，覆蓋第一模封體并接觸該線路基板；形成第二模封體覆蓋第一模封體、電子元件、組裝平面；移除部分第一模封體以及部分第二模封體，以暴露部分第一屏蔽層；以及形成第二屏蔽層，覆蓋該第一模封體、該第二模封體，并電性連接該第一屏敝層。
[0008]一種電子封裝模塊結(jié)構(gòu)，包括:線路基板，該線路基板具有組裝平面與接地墊；電子元件設(shè)置于組裝平面上；第一模封體以及一第二模封體分別包覆一部分電子元件；第一屏蔽層順形覆蓋第一模封體并電性連接接地墊，而第一模封體與第二模封體以第一屏蔽層相隔離；以及第二屏蔽層，覆蓋第一模封體并電性連接第一屏蔽層；其中，第一屏蔽層在形成該第二模封體之前先制作完成。
[0009]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明所采取的技術(shù)、方法及功效，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明、附圖，相信本發(fā)明的特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得以深入且具體的了解，然而所附附圖與附件僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的電子封裝模塊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0011]圖2至圖8顯示圖1中電子封裝模塊結(jié)構(gòu)在制造過(guò)程中的剖面示意圖。
[0012]圖9是本發(fā)明一實(shí)施例的電子封裝模塊的制造方法的流程圖。
[0013]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0014]電子封裝模塊結(jié)構(gòu)1
[0015]線路基板11
[0016]組裝平面111
[0017]接地墊12
[0018]第一電子元件131
[0019]第二電子元件132、132’
[0020]第一初始模封體141’
[0021]第一模封體141
[0022]第一屏蔽層151
[0023]第二初始模封體161’
[0024]第二模封體161
[0025]第二屏蔽層171
[0026]犧牲層181
[0027]底部填充膠191
[0028]遮罩2
[0029]步驟S1 ?S6
【具體實(shí)施方式】
[0030]本文中可能使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各種元件，但此等元件不應(yīng)受此等術(shù)語(yǔ)限制。此等術(shù)語(yǔ)乃用以區(qū)分一元件與另一元件。因此，下文論述的第一元件可稱為第二元件而不偏離本發(fā)明概念的教示。
[0031]請(qǐng)參考圖1，圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的電子封裝模塊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子封裝模塊結(jié)構(gòu)1，電子封裝模塊結(jié)構(gòu)1包括線路基板11、多個(gè)電子元件(例如第一電子兀件131、第二電子兀件132、132’)、第一屏蔽層151、第二屏蔽層171、第一模封體141以及相鄰于第一模封體141的第二模封體161。線路基板11具有組裝平面111，組裝平面111包括第一區(qū)域(圖未繪示)以及第二區(qū)域(圖未繪示)。線路基板11還包括多個(gè)接地墊12，其中部分接地墊12裸露于線路基板11的組裝平面111，部分接地墊12可依設(shè)計(jì)需求選擇性設(shè)置并裸露于線路基板11的側(cè)邊。
[0032]第一電子元件131是位于組裝平面111的第一區(qū)域，第二電子元件132、132’位于組裝平面111的第二區(qū)域。第一模封體141是位于第一區(qū)域并包覆第一電子元件131 ;第二模封體161是位于模封體141之外的組裝平面111上。第一屏蔽層151電性連接線路基板11的接地墊12，而第一模封體141與第二模封體161是以第一屏蔽層151相隔離。第二屏蔽層171全面性地形成于線路基板11的上方，以覆蓋第一模封體141、第二模封體161、組裝平面111以及部分第二電子元件，并直接接觸于第一屏蔽層151。第二屏蔽層171還可直接電性連接至接地墊12，甚至包含裸露于線路基板11側(cè)邊的接地墊12。在其它實(shí)施例中，第一電子元件也可能自第一模封體141裸露出來(lái)而直接接觸第二屏蔽層171。
[0033]上述以對(duì)應(yīng)形成第一模封體所在區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域、對(duì)應(yīng)形成第二模封體所在區(qū)域?yàn)榈诙^(qū)域，以方便說(shuō)明與理解，并非用以限定第一區(qū)域以及第二區(qū)域的解釋，例如第一模封體也可以是集成電路封裝(ic package)的封裝材。因此若第二電子元件132’為集成電路封裝(IC package)的電子元件，或者是半導(dǎo)體芯片堆疊并以覆晶接合的方式裝設(shè)于線路基板11上，未被第二模封體所覆蓋，則其所在區(qū)域也可稱為第一區(qū)域。
[0034]以下將透過(guò)實(shí)施例來(lái)解釋本發(fā)明的一種電子封裝模塊的制造方法。請(qǐng)參考圖2至圖8，圖2至圖8顯示圖1中電子封裝模塊結(jié)構(gòu)在制造過(guò)程中的剖面示意圖。
[0035]如圖1所示，首先，提供一線路基板11，線路基板11具有一組裝平面111(例如線路基板11的上表面)。組裝平面111包括第一區(qū)域以及第二區(qū)域(圖未繪示)。
[0036]線路基板11并具有多個(gè)預(yù)先設(shè)置的接地墊12與線路層(未繪示)。接地墊12是導(dǎo)電材料所制成，以電性連接至導(dǎo)電線路(未繪示)或是接地面(未繪示)。其中，接地墊12與線路層皆位于組裝平面111上或埋入基板，接地墊12進(jìn)一步裸露于線路基板11的側(cè)邊。
[0037]接著，將電子元件裝設(shè)于線路基板11上，其組裝方式可利用表面粘著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)進(jìn)行，但不以此為限。
[0038]請(qǐng)參圖3，接著，于第一區(qū)域提供第一初始模封體141’，以包覆第一電子元件131。第一初始模封體141’例如是以模封材料(molding material)對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行一封膠制造工藝所形成，且第一初始模封體141’是包覆第一電子元件131以及第一電子元件131周圍的一部分組裝平面111。需要注意的是，本實(shí)施例中，在所述提供第一初始模封體141’的步驟完成之后，鄰近第一電子元件131的至少一個(gè)接地墊12有至少一部分是裸露于組裝平面111，而沒有被第一初始模封體141’所覆蓋。本發(fā)明封膠制造工藝?yán)绮捎脡鹤⒊尚?、模穴注膠成形(mold chase)、覆蓋成形制造工藝(over-molding process)、轉(zhuǎn)移成形方式(transfer molding)、頂模塑封制造工藝(top-gate molding)、點(diǎn)膠機(jī)(dispenser)。而所用于形成模封體的材質(zhì)例如為環(huán)氧樹脂、塑封材(molding compound)、環(huán)氧模封化合物(Epoxy Molding Compound, EMC)、聚酷亞胺(Polyimide, PI)、酌■酸樹脂(Phenolics)、石圭膠或是娃樹脂(Silicones)等。
[0039]此外，于上述封膠制造工藝的步驟中，可同時(shí)提供底部填充膠191包覆第二電子元件132’的外露導(dǎo)電接腳，以保護(hù)這些導(dǎo)電接腳并使這些導(dǎo)電接腳與后續(xù)形成的第一屏蔽層151 (圖5)電性隔絕。
[0040]接著，如圖4所示，提供犧牲層181包覆部分第二電子元件132。舉例而言，可透過(guò)具有圖案設(shè)計(jì)的遮罩2對(duì)線路基板11進(jìn)行犧牲層181涂布制造工藝，依遮罩2的圖案提供犧牲層181包覆部分第二電子元件132以及部分組裝平面111。犧牲層181是用以移除后續(xù)制造工藝形成于犧牲層181上方的物質(zhì)，并保護(hù)犧牲層181所包覆的部分第二電子元件132。犧牲層181的材料可包含壓克力(acrylic)膠或娃膠。于另一實(shí)施例中，犧牲層181的材料可包含感光固化性樹酯或熱固化性樹酯組成的油墨，例如液態(tài)感光型油墨，且可通過(guò)使用有機(jī)溶劑被簡(jiǎn)單移除，但不以此為限。
[0041]然后，形成第一屏蔽層151。第一屏蔽