光刻膠層213的形成工藝步驟可參考第一光刻膠層的形成工藝步驟，在此不再贅述。
[0103]本實施例中，所述第一區(qū)域I為PM0S區(qū)域，第一阱區(qū)215為N型阱區(qū)，所述第三摻雜處理214的摻雜離子為磷、砷或銻。
[0104]采用第三離子注入工藝進(jìn)行所述第三摻雜處理214。作為一個具體實施例，所述第三離子注入工藝的工藝參數(shù)為:注入離子為磷離子，離子注入能量為5kev至lOOkev，離子注入劑量為 3E12atom/cm2 至 3E13atom/cm2。
[0105]在第三離子注入工藝過程中，所述離子注入工藝會對第一區(qū)域I襯底200造成一定程度的晶格損傷，使得襯底200內(nèi)出現(xiàn)晶格缺陷，所述晶格缺陷為點陣空位缺陷和填隙原子缺陷。對于磷、砷或銻而言，襯底200內(nèi)的點陣空位缺陷是主要的擴(kuò)散增強劑，當(dāng)磷、砷或銻與襯底200內(nèi)的點陣空位缺陷相遇時，磷、砷或銻將落入所述點陣空位缺陷所在的位置，這一過程稱為復(fù)合，磷、砷或銻遇見下一個點陣空位缺陷時則繼續(xù)發(fā)生復(fù)合現(xiàn)象，使得磷、砷或銻得以在襯底200內(nèi)擴(kuò)散。若磷、砷或銻在線性氧化層211和襯底200交界的界面處擴(kuò)散能力也較強時，磷、砷或銻容易擴(kuò)散進(jìn)入線性氧化層211和絕緣層212內(nèi)，導(dǎo)致第一阱區(qū)215內(nèi)的磷、砷或銻濃度下降，進(jìn)而造成半導(dǎo)體器件的電隔離性能變差。
[0106]而本實施例中，在溝槽204 (請參考圖9)第一部分表面形成有第一阻擋層207，所述第一阻擋層207的摻雜離子為氮離子、氟離子、含氮離子或含氟離子，所述氮離子、氟離子、含氮離子或含氟離子具有捕獲點陣空位缺陷的作用，將所述點陣空位缺陷固定在氮離子、氟離子、含氮離子或含氟離子周圍，減少點陣空位缺陷與磷、砷或銻相遇的概率，進(jìn)而減少點陣空位缺陷與磷、砷或銻發(fā)生復(fù)合過程的概率，從而有效的抑制磷、砷或銻向線性氧化層211以及絕緣層212內(nèi)擴(kuò)散，防止第一阱區(qū)215內(nèi)磷、砷或銻濃度減小，有效的保證半導(dǎo)體器件的電隔離效果。
[0107]在第三摻雜處理214之后，還包括步驟:對所述襯底200進(jìn)行第三退火處理，所述第三退火處理能夠在一定程度上修復(fù)第三離子注入工藝損傷，所述第三退火處理還能夠激活第一阱區(qū)215內(nèi)的摻雜離子。
[0108]本實施例中，在形成第一阱區(qū)215之前，對第一阻擋層207進(jìn)行了第一退火處理。在其他實施例中，為了減少工藝成本，降低熱預(yù)算，也可以在進(jìn)行第三退火處理的同時對第一阻擋層進(jìn)行第一退火處理。
[0109]還包括步驟:去除所述第三光刻膠層214。
[0110]請參考圖13，在所述第一區(qū)域I的絕緣層212表面以及緩沖層201表面形成第四光刻膠層216 ;以所述第四光刻膠層214為掩膜，對第二區(qū)域II襯底200進(jìn)行第四摻雜處理217，在第二區(qū)域II襯底200內(nèi)形成第二阱區(qū)218。
[0111]所述第四光刻膠層216的形成工藝步驟可參考第一光刻膠層的形成工藝步驟，在此不再贅述。
[0112]本實施例中，所述第二區(qū)域II為NM0S區(qū)域，第二阱區(qū)218為P型阱區(qū)，所述第四摻雜處理217的摻雜離子為硼、鎵或銦。
[0113]采用第四離子注入工藝進(jìn)行所述第四摻雜處理217。作為一個具體實施例，所述第四離子注入工藝的工藝參數(shù)為:注入離子為硼離子，離子注入能量為lkev至60kev，離子注入劑量為 3E12atom/cm2 至 3E13atom/cm2。
[0114]在第四離子注入工藝過程中，所述第四離子注入工藝會對第二區(qū)域II襯底200造成一定程度的晶格損傷，使得第二區(qū)域II襯底200內(nèi)出現(xiàn)晶格缺陷，所述晶格缺陷為點陣空位缺陷和填隙原子缺陷。對于硼、鎵或銦而言，襯底200內(nèi)的填隙原子缺陷是主要的擴(kuò)散增強劑。當(dāng)襯底200內(nèi)的填隙原子缺陷移動時，硼、鎵或銦將進(jìn)入填隙原子所在的原始位置，當(dāng)相鄰的填隙原子缺陷繼續(xù)移動時，則硼、鎵或銦將繼續(xù)移動至相鄰的填隙原子缺陷所在的原始位置，使得硼、鎵或銦在襯底200內(nèi)擴(kuò)散。若硼、鎵或銦在線性氧化層211和襯底200交界的界面處擴(kuò)散能力也較強時，硼、鎵或銦容易擴(kuò)散進(jìn)入線性氧化層211和絕緣層212內(nèi)，導(dǎo)致第二阱區(qū)218內(nèi)的硼、鎵或銦濃度下降，進(jìn)而造成半導(dǎo)體器件的電隔離性能變差。
[0115]而本實施例中，在溝槽204 (請參考圖9)第二部分內(nèi)形成有第二阻擋層210，所述第二阻擋層210的摻雜離子為碳離子或含碳離子，由于碳離子的原子半徑很小，所述碳離子容易擠進(jìn)襯底200相鄰原子之間，阻擋填隙原子缺陷的移動，進(jìn)而減少硼、鎵或銦占據(jù)填隙原子缺陷所在位置的概率，從而有效的抑制硼、鎵或銦向線性氧化層211和絕緣層212內(nèi)擴(kuò)散，防止第二阱區(qū)218內(nèi)硼、鎵或銦濃度減小，有效的保證半導(dǎo)體器件的電隔離效果。
[0116]在第四摻雜處理217之后，還包括步驟:對所述襯底200進(jìn)行第四退火處理，在所述第四退火處理能夠在一定程度上修復(fù)第四離子注入工藝損傷，所述第四退火處理還能夠激活第二阱區(qū)218內(nèi)的摻雜離子。
[0117]本實施例中，在形成第二阱區(qū)218之前，對第二阻擋層210進(jìn)行了第二退火處理。在其他實施例中，為了減少工藝成本，降低熱預(yù)算，也可以在進(jìn)行第四退火處理的同時對第二阻擋層進(jìn)行第二退火處理。
[0118]還包括步驟:去除第四光刻膠層216 ;去除所述緩沖層201。
[0119]請參考圖14，在所述第一區(qū)域I襯底200表面形成第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵介質(zhì)層221、以及位于第一柵介質(zhì)層221表面的第一柵電極層222 ;在所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底200內(nèi)形成第一摻雜區(qū)223，所述第一摻雜區(qū)223的摻雜類型與第一阱區(qū)215的摻雜類型相反。
[0120]所述第一柵極結(jié)構(gòu)可以為替代柵結(jié)構(gòu)、金屬柵極結(jié)構(gòu)或多晶硅柵極結(jié)構(gòu)。所述第一柵介質(zhì)層221的材料為氧化硅或高k介質(zhì)材料，所述第二柵電極層222的材料為多晶硅、摻雜的多晶硅或?qū)щ娊饘佟?br>[0121]本實施例中，第一區(qū)域I為PM0S區(qū)域，第一摻雜區(qū)223的摻雜類型為P型摻雜，所述第一摻雜區(qū)223的摻雜離子為硼、鎵或銦。
[0122]所述隔離結(jié)構(gòu)(即線性氧化層211和絕緣層212的疊層結(jié)構(gòu))電隔離第一摻雜區(qū)223以及第二阱區(qū)218。本實施例中，由于第二阻擋層210阻擋第二阱區(qū)218內(nèi)的摻雜離子向隔離結(jié)構(gòu)擴(kuò)散，避免第二阱區(qū)218內(nèi)的摻雜離子濃度降低，避免第二阱區(qū)218的電勢場與第一摻雜區(qū)223的電勢場之間的距離過近，從而提高半導(dǎo)體器件的電隔離效果。
[0123]若第二阱區(qū)218內(nèi)的摻雜離子濃度減小，第二阱區(qū)218的摻雜離子向隔離結(jié)構(gòu)擴(kuò)散，則當(dāng)半導(dǎo)體器件處于工作狀態(tài)時，第二阱區(qū)218的電勢場與第一摻雜區(qū)223的電勢場之間的距離將變得很近，容易造成第二阱區(qū)218與第一摻雜區(qū)223發(fā)生漏電現(xiàn)象，造成半導(dǎo)體器件的電隔離效果變差。
[0124]請參考圖15，在所述第二區(qū)域II襯底200表面形成第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵介質(zhì)層231、以及位于第二柵介質(zhì)層231表面的第二柵電極層232 ;在所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二區(qū)域II襯底200內(nèi)形成第二摻雜區(qū)233，所述第二摻雜區(qū)233的摻雜類型與第二阱區(qū)218的摻雜類型相反。
[0125]所述第二柵極結(jié)構(gòu)的材料可參考第一柵極結(jié)構(gòu)的材料，在此不再贅述。
[0126]本實施例中，第二區(qū)域II為NM0S區(qū)域，第二摻雜區(qū)233的摻雜類型為N型摻雜，所述第二摻雜區(qū)233的摻雜離子為磷、砷或銻。
[0127]所述隔離結(jié)構(gòu)(即線性氧化層211和絕緣層212的疊層結(jié)構(gòu))電隔離第二摻雜區(qū)233以及第一阱區(qū)215。由于第一阻擋層207阻擋第一阱區(qū)215內(nèi)的摻雜離子向隔離結(jié)構(gòu)擴(kuò)散，避免第一阱區(qū)215內(nèi)的摻雜離子濃度降低，避免第一阱區(qū)215的電勢場與第二摻雜區(qū)233的電勢場之間的距離過近，從而提高半導(dǎo)體器件的電隔離效果。
[0128]若第一阱區(qū)215內(nèi)的摻雜離子濃度減少，第一阱區(qū)215的摻雜離子向隔離結(jié)構(gòu)擴(kuò)散，則當(dāng)半導(dǎo)體器件處于工作狀態(tài)時，第一阱區(qū)215的電勢場與第二摻雜區(qū)233的電勢場之間的距離將變得很近，容易造成第一阱區(qū)215與第二摻雜區(qū)233發(fā)生漏電現(xiàn)象，造成半導(dǎo)體器件的電隔離效果變差。
[0129]本實施例還提供一種半導(dǎo)體器件，請參考圖15，所述半導(dǎo)體器件包括:
[0130]襯底200，所述襯底200包括第一區(qū)域I和與所述第一區(qū)域I相鄰接的第二區(qū)域II;
[0131]位于所述襯底200內(nèi)的溝槽，所述溝槽包括第一部分以及與所述第一部分相鄰接的第二部分，其中，所述溝槽的第一部分位于第一區(qū)域I襯底200內(nèi)，所述溝槽的第二部分位于第二區(qū)域II襯底200內(nèi)；
[0132]位于所述溝槽的第一部分底部和側(cè)壁表面的第一阻擋層207，所述第一阻擋層207捕獲襯底200內(nèi)的點陣空位缺陷或填隙原子缺陷；
[0133]位于所述溝槽的第二部分底部和側(cè)壁表面的第二阻擋層210，所述第二阻擋層210捕獲襯底200內(nèi)的點陣空位缺陷或填隙原子缺陷，且所述第二阻擋層210和第一阻擋層207捕獲的缺陷類型不同；
[0134]填充滿所述溝槽的介質(zhì)層；
[0135]位于所述第一區(qū)域I襯底200內(nèi)的第一阱區(qū)215 ；
[0136]位于所述第二區(qū)域II襯底200內(nèi)的第二阱區(qū)218，且所述第二阱區(qū)218與第一阱區(qū)215的摻雜類型相反。
[0137]所述襯底200的材料為硅、鍺、鍺化硅或砷化鎵；所述襯底200還可以為絕緣體上的硅。所述第一區(qū)域I為PM0S區(qū)域或NM0S區(qū)