一種基于玻璃基板的led燈絲的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及LED技術領域，尤其涉及一種基于玻璃基板的LED燈絲。
【背景技術】
[0002]隨著LED技術的不斷成熟，傳統(tǒng)白熾燈將逐漸被LED燈絲燈所取代。為了增加出光面積和角度，LED燈絲燈通常由多條LED燈絲相互拼接組成?，F(xiàn)有技術中，LED燈絲通常采用金屬基板等非透光基板，只能單面透光，其單根LED燈絲的出光角度最多只能為180°，這大大限制了 LED的發(fā)光效果。同時現(xiàn)有技術中，LED燈絲上的LED芯片通常采用已封裝好的LED燈珠焊接在基板上，不僅增加了 LED燈絲的尺寸，同時增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。另外，LED燈絲上的電阻元件通常采用貼片電阻以焊接的方式固定在LED燈絲上，貼片電阻的一致性和穩(wěn)定性存在無法得到保證，尤其在LED燈絲長時間使用的情況下，會極大影響LED燈絲的壽命，同時也增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。
[0003]故，針對目前現(xiàn)有技術中存在的上述缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術中存在的缺陷。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]為了解決現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于LED燈絲并使其實現(xiàn)360°出光的基于玻璃基板的LED燈絲。
[0005]為了克服現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明的技術方案為:
[0006]—種基于玻璃基板的LED燈絲，包括玻璃基板，該玻璃基板上設置一層ΙΤ0薄膜層，在所述ΙΤ0薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述玻璃基板上形成多個固晶區(qū)，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述玻璃基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻。
[0007]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層通過濺射工藝形成在所述玻璃基板上。
[0008]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層通過噴涂工藝形成在所述玻璃基板上。
[0009]優(yōu)選地，根據(jù)所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ΙΤ0材料，從而實現(xiàn)設置不同阻值的電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述玻璃基板為長條形，所述電極設置在長條形玻璃基板的兩端。
[0011]優(yōu)選地，所述倒裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區(qū)。
[0012]優(yōu)選地，所述ΙΤ0薄膜層為35 μ m?280 μ m。
[0013]優(yōu)選地，所述線路層在所述固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設有電極焊點，所述倒裝LED裸芯片上設有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。
[0014]優(yōu)選地，所示電極焊點上涂覆銀膠。
[0015]相對于現(xiàn)有技術，采用本發(fā)明的技術方案，由于采用玻璃基板，從而使LED芯片真正實現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在玻璃基板上，大大縮小了 LED燈絲的尺寸，與正裝LED裸芯片相比，采用倒裝LED裸芯片省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時也避免了金線對LED出射光線的阻礙，提高了發(fā)光效率。同時導電層采用ΙΤ0材料，其電阻率遠大于銅等金屬，故可在線路層上直接沉積ΙΤ0材料形成電阻，從而不需要焊接電阻元件，并保證了電阻元件的一致性和穩(wěn)定性，從而延長LED燈絲的使用壽命。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種基于玻璃基板的LED燈絲的結構示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種基于玻璃基板的LED燈絲的平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下是本發(fā)明的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明的技術方案作進一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實施例。
[0019]為了克服現(xiàn)有技術存在的缺陷，請參閱圖1，為本發(fā)明實施例提供的一種基于玻璃基板的LED燈絲的結構示意圖，其包括玻璃基板1，玻璃基板1是一塊薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95%以上。該玻璃基板1上設置一層ΙΤ0薄膜層，一層ΙΤ0(氧化銦錫)薄膜層，ΙΤ0薄膜層是通過濺射工藝或者通過噴涂工藝形成在所述玻璃基板1上，其厚度為35μπι?280 μπι。材料ΙΤ0(氧化銦錫)同時具有優(yōu)良電學傳導和光學透明的特性，作為透明傳導鍍膜應用廣泛。由于采用玻璃基板，從而使LED燈絲真正實現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果。
[0020]在玻璃基板1上設置ΙΤ0薄膜層作為導電層，其作用類似于現(xiàn)有技術中的銅箔層。通過光刻膠掩膜蝕刻工藝可將電路圖形印制在ΙΤ0薄膜層上，也即在ΙΤ0薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層2，同時通過刻蝕工藝在玻璃基板1上形成固晶區(qū)3，固晶區(qū)3用于設置倒裝LED裸芯片4，多個倒裝LED裸芯片4通過固晶膠設置在所述固晶區(qū)3內(nèi)，由于倒裝LED裸芯片的P極和N極設置在裸芯片的底端，能夠直接以焊接的方式串接在所述線路層2中，省去了金線鍵合這一工藝步驟，同時也避免了金線對LED出射光線的阻礙，提高了發(fā)光效率。在玻璃基板1的正面和反面分別設置由熒光材料形成的熒光層，由于玻璃基板具有反向透光性，通過調(diào)節(jié)玻璃基板1正面和反面的熒光材料配方，從而達到正反面均勻的立體發(fā)光LED燈絲。在所述線路層2的端部設有電極6，所述電極6用于與外接驅動電源相連接；在一種優(yōu)選實施方式中，玻璃基板1為長條形，電極6設置在長條形玻璃基板1的兩端。
[0021]在所述線路層2設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ΙΤ0材料形成電阻5。由于ΙΤ0材料的電阻率遠大于銅等金屬，故可以在ΙΤ0薄膜層上直接設置電阻5。即在電路圖形的電阻元件位置，根據(jù)電阻5的阻值控制在所述線路層2相對應的電阻圖形以及在其上沉積相應量的ΙΤ0材料，從而實現(xiàn)設置不同阻值的電阻。根據(jù)其阻值的大小由電阻圖形的大小以及所沉積ΙΤ0材料的厚度決定，可以根據(jù)ΙΤ0材料的電阻率計算得出。由于在ΙΤ0薄膜層上直接形成電阻5，大大提升了電阻元件的一致性和穩(wěn)定性，同時不需要焊接電阻元件，大大提升LED燈絲的性能和使用壽命。
[0022]參見圖2，本發(fā)明實施例提供的一種基于玻璃基板的LED燈絲的平面結構示意圖，線路層2在固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設有電極焊點7，所述倒裝LED裸芯片4上設有P極和N極，倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。
[0023]在一種優(yōu)選實施方式中，電極焊點上涂覆銀膠，增強LED燈絲的導電性能和導熱性能。
[0024]以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權利要求的保護范圍內(nèi)。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，包括玻璃基板，該玻璃基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述玻璃基板上形成多個固晶區(qū)，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個倒裝LED裸芯片串接在所述線路層中；在所述玻璃基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。2.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述玻璃基板上。3.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層通過噴涂工藝形成在所述玻璃基板上。4.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，根據(jù)所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ITO材料，從而實現(xiàn)設置不同阻值的電阻。5.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述玻璃基板為長條形，所述電極設置在長條形玻璃基板的兩端。6.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述倒裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區(qū)。7.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述ITO薄膜層為35 μ m ~ 280 μ m。8.如權利要求1所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所述線路層在所述固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設有電極焊點，所述倒裝LED裸芯片上設有P極和N極；所述倒裝LED裸芯片的P極和N極以直接焊接的方式與所述線路層上的電極焊點電氣連接。9.如權利要求8所述的基于玻璃基板的LED燈絲，其特征在于，所示電極焊點上涂覆銀膠。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于玻璃基板的LED燈絲，包括玻璃基板，該玻璃基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述玻璃基板上形成多個固晶區(qū)，多個倒裝LED裸芯片設置在所述固晶區(qū)內(nèi)，所述多個倒裝LED裸芯片以焊接的方式串接在所述線路層中；在所述玻璃基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。采用本發(fā)明的技術方案，由于采用玻璃基板，從而使LED芯片真正實現(xiàn)360°出光，大大提升了LED燈絲的立體出光效果；由于將倒裝LED裸芯片直接封裝在玻璃基板上，大大縮小了LED燈絲的尺寸，也簡化了LED封裝工藝。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/48, H01L25/075
【公開號】CN105355755
【申請?zhí)枴緾N201510731751
【發(fā)明人】計志峰
【申請人】嘉興市上村電子有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年10月31日