切割片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體封裝等的切割中使用的切割片。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為半導(dǎo)體裝置的一般制造方法，采用如下方法：將半導(dǎo)體晶圓等半導(dǎo)體襯底切 割成單個(gè)芯片，拾取所得到的芯片后安裝在引線框架上，并在利用焊線將兩者連接之后，利 用樹脂進(jìn)行密封。
[0003] 在從上述切割工序到拾取工序的工序中，使用在基材薄膜上形成有粘合劑層而成 的切割片。在該切割片中，為使在切割工序中能夠牢固地粘合作為被粘物的半導(dǎo)體襯底，并 且在拾取工序中能夠拾取芯片，粘合劑層由粘合性由于紫外線以及電子束等能量線的照射 而降低的材料構(gòu)成。此外，根據(jù)需要，在切割工序之后，為了使芯片易于拾取，應(yīng)該擴(kuò)大芯片 間距，但切割片有時(shí)會擴(kuò)張。在上述工序中，切割片通常被粘合、固定在環(huán)形框架上。作為 所述切割片，眾所周知的是在專利文獻(xiàn)1中所述的切割片。
[0004] 另一方面，作為近年來半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如CSP (Chip Size Package)等 小型半導(dǎo)體裝置的制造方法，還采用在襯底上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片并用樹脂成型模具的一 個(gè)型腔覆蓋而進(jìn)行樹脂密封，并在形成外部端子而制造出半導(dǎo)體封裝之后，通過封裝切割 將其切割為多個(gè)部件（以下還稱為"模具芯片（? 一少卜''爹y 7° ) "）的方法。
[0005] 在切割片的被粘物為半導(dǎo)體封裝的情況下，與將半導(dǎo)體晶圓等半導(dǎo)體襯底作為被 粘物的情況相比，被粘面的表面粗糙度較大，并且通常的封裝材料含有脫模劑。因此，若將 旨在將半導(dǎo)體襯底等作為被粘物的切割片換做將半導(dǎo)體封裝作為被粘物的切割片使用，則 有時(shí)對被粘物的粘合力不足。
[0006] 如果對被粘物的粘合力不足，則在切割半導(dǎo)體封裝的過程中，可能會產(chǎn)生被切割 成單個(gè)的模具芯片從切割片上脫落而飛濺的問題（芯片飛濺）。
[0007] 因此，為了提高如上所述的對半導(dǎo)體封裝的粘合力，以往以來，將切割片的粘合劑 層厚度設(shè)為30 μ m以上。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利文獻(xiàn)特開2009-64975號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0012] 此處，在切割半導(dǎo)體封裝時(shí)，不僅半導(dǎo)體封裝，在其上粘貼的切割片的粘合劑層也 被刮板（y b -卜'')切割，并且在如上所述那樣粘合劑層較厚的情況下，被刮板切除的粘合 劑層的量增多，存在由構(gòu)成該被切除的粘合劑層的粘合劑等成分形成的聚集物（在本說明 書中稱為"粘合劑聚集物"）容易附著在模具芯片端部的傾向。如果這樣的粘合劑聚集物殘 留在模具芯片上，則容易產(chǎn)生模具芯片彼此或者模具芯片與其他部件通過該粘合劑聚集物 粘合在一起等問題。
[0013] 尤其在切割半導(dǎo)體封裝的情況下，由于使用比在切割半導(dǎo)體晶圓等半導(dǎo)體襯底時(shí) 使用的刮板更厚的刮板，因此容易形成上述粘合劑聚集物。所以，增加了產(chǎn)生基于粘合劑聚 集物附著在模具芯片上的問題的可能性。
[0014] 此外，根據(jù)切割片的粘合劑層的材料，為了拾取工序，在通過對粘合劑層照射能量 線而使切割片的粘合力下降時(shí)，有時(shí)粘合力下降過低。在這種情況下，在拾取時(shí)用銷（匕° >)等推舉芯片的時(shí)候，有可能相鄰的芯片從切割片上脫落。
[0015] 本發(fā)明是鑒于如上所述的實(shí)際情況而完成的，其目的在于，提供一種切割片，在將 如半導(dǎo)體封裝那樣表面粗糙度大的工件作為被粘物時(shí)，在照射能量線之前具有充分的粘合 力，在照射能量線之后仍具有適度的粘合力，并且很難產(chǎn)生粘合劑聚集物。
[0016] 解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
[0017] 為了達(dá)到上述目的，第1方面，本發(fā)明提供一種切割片，其特征在于，將表面的算 術(shù)平均粗糙度（Ra)為0. 1 μπι以上的工件作為被粘物，所述切割片具備：基材；以及粘合 劑層，其層疊在所述基材的至少一個(gè)面上；所述粘合劑層由含有丙烯酸類聚合物（Α)以及 多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（Β)的粘合劑組合物形成，所述多官能丙烯酸酯類 能量線聚合性化合物（Β)是在lg該多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（Β)中具有 0. 004~0. 009摩爾的聚合性官能團(tuán)，所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)占所 述丙烯酸類聚合物（A)及所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)的總量的比例為 20~65質(zhì)量％，所述粘合劑層的厚度為2~20 μ m(發(fā)明1)。
[0018] 在上述發(fā)明（發(fā)明1)的切割片中，多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)具 有上述量的聚合性官能團(tuán)，并且多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)的比例在上述 范圍內(nèi)，由此，即使在將如半導(dǎo)體封裝那樣表面粗糙度較大的工件作為被粘物時(shí)，在照射能 量線之前也具有充分的粘合力，即使在照射能量線之后，仍具有適度的粘合力，并且很難產(chǎn) 生粘合劑聚集物。
[0019] 在上述發(fā)明（發(fā)明1)中，所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)占所述 丙烯酸類聚合物（A)及所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)的總量的比例與lg 所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)中所含有的聚合性官能團(tuán)的摩爾數(shù)的乘 積優(yōu)選為〇. 1~〇. 48 (發(fā)明2)。
[0020] 在上述發(fā)明（發(fā)明1、2)中，根據(jù)所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B) 的分子結(jié)構(gòu)而確定的分子量優(yōu)選為400~2000(發(fā)明3)。
[0021] 在上述發(fā)明（發(fā)明1、2)中，所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)優(yōu)選 為選自由（甲基）丙烯酸與多元醇的酯化物、（甲基）丙烯酸與異氰脲酸（4 yシ少 酸）的酯化物、以及它們的改性物構(gòu)成的組中的至少一種（發(fā)明4)。
[0022] 在上述發(fā)明（發(fā)明1、2)中，所述多官能丙烯酸酯類能量線聚合性化合物（B)優(yōu)選 為選自由雙季戊四醇六丙烯酸酯的改性物、異氰脲酸三丙烯酸酯（4 Vシ少酸卜y 7 夕y u-卜）的改性物以及雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯構(gòu)成的組中的至少一種（發(fā)明5)。
[0023] 在上述發(fā)明（發(fā)明1~5)中，所述粘合劑層在照射能量線之前的23°C下的儲能模 量優(yōu)選為12~45kPa(發(fā)明6)。
[0024] 在上述發(fā)明（發(fā)明1~6)中，優(yōu)選的是，被粘面為由京瓷化學(xué)公司制造的 KE-G1250構(gòu)成的平面，將該被粘面的算術(shù)平均粗糙度（Ra)為2μπι的部件作為被粘物，施 加 lkg重的負(fù)荷粘貼切割片，在23°C、50% RH的氣氛下放置20分鐘之后，將所測定的切割 片的粘合力作為照射能量線之前的粘合力，以與前述同樣的條件在所述被粘物上粘貼切割 片，然后在23°C、50 % RH的氣氛下放置20分鐘，并在氮?dú)鈿夥障?，將紫外線作為照射能量線 以照度230mW/cm2、光量（日語：光量）190mJ/cm2照射之后，將所測定的切割片的粘合力作 為照射能量線之后的粘合力時(shí)，所述照射能量線之后的粘合力相對于所述照射能量線之前 的粘合力的比為〇· 06~0· 5(發(fā)明7)。
[0025] 在上述發(fā)明（發(fā)明1~7)中，所述工件優(yōu)選為半導(dǎo)體封裝（發(fā)明8)。
[0026] 發(fā)明效果
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的切割片，即使在將如半導(dǎo)體封裝那樣表面粗糙度較大的工件作為被 粘物時(shí)，由于在照射能量線之前具有充分的粘合力，仍能夠抑制芯片飛濺的發(fā)生。此外，由 于在照射能量線之后仍具有適度的粘合力，因此，即使在拾取時(shí)用銷等推舉芯片的時(shí)候，也 能夠抑制相鄰的芯片從切割片上脫落。此外，由于很難產(chǎn)生粘合劑聚集物，因此能夠抑制由 粘合劑聚集物產(chǎn)生的問題。
【附圖說明】
[0028] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的切割片的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0030] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式的切割片的截面圖。本實(shí)施方式的切割片1具有：基材 2 ;粘合劑層3,其層疊于基材2的一個(gè)面上（在圖1中為上側(cè)的面）。
[0031] 本實(shí)施方式的切割片1的被粘物是表面的算術(shù)平均粗糙度（Ra)為0. 1 μ m以上的 工件，優(yōu)選為〇. 5~10 μ m的工件，更加優(yōu)選為1~6 μ m的工件。如上所述一樣具有較粗糙 表面的工件與半導(dǎo)體晶圓等半導(dǎo)體襯底（例如，硅鏡面晶圓（通常Ra為0.005 μ m左右）） 相比較，存在在粘貼有切割片時(shí)不能發(fā)揮充分的固定性能的傾向。作為所述工件，具有例如 半導(dǎo)體封裝、設(shè)有使背面保護(hù)薄膜固化而成的保護(hù)膜的帶保護(hù)膜晶圓等，尤其優(yōu)選為半導(dǎo) 體封裝。另外，半導(dǎo)體封裝是將在襯底上安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片而成的部件進(jìn)行一次性樹脂 密封的電子部件組合件。
[0032] 1.基材
[0033] 本實(shí)施方式的切割片1的基材2只要在切割工序之后進(jìn)行的擴(kuò)張工序等中不斷 裂，其構(gòu)成材料就不受特別限定，通常由將樹脂類材料作為主要材料的薄膜構(gòu)成。作為該薄 膜的具體例，可以例舉出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯_(甲基）丙烯酸共聚物薄膜、 乙烯_(甲基）丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯類共聚物薄膜；低密度聚乙烯（LDPE)薄膜、線性 低密度聚乙烯（LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯（HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜、聚丁烯 薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等 聚烯烴類薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯類薄膜；聚對苯二甲酸乙二 酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜等聚酯類薄膜；聚氨酯薄膜；聚酰亞胺薄膜；聚苯乙烯薄 膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。此外，還可以使用諸如他們的交聯(lián)薄膜、離聚物薄膜等 之類的改性薄膜。上述基材2可以是由他們中的一種形成的薄膜，此外還可以是組合了他 們中的兩種以上的層疊薄膜。另外，本說明書中的"（甲基）丙烯酸"是指丙烯酸以及甲基 丙烯酸兩者。關(guān)于其他類似用語，也相同。
[0034] 構(gòu)成基材2的薄膜優(yōu)選為具有乙烯類共聚物薄膜以及聚烯烴類薄膜中的至少一 種。乙烯類共聚物薄膜通過改變其共聚合比等而很容易在廣泛的范圍內(nèi)控制其機(jī)械特性。 因此，具有乙烯類共聚物的基材2很容易滿足作為本實(shí)施方式的切割片1的基材所要求的 機(jī)械特性。此外，由于乙烯類共聚物薄膜對粘合劑層3的粘附性較高，因此在作為切割片使 用時(shí)，很難在基材2與粘合劑層3之間的界面上發(fā)生剝離。
[0035] 乙烯類共聚物薄膜及聚烯烴類薄膜對作為切割片的特性造成不良影響的成分 (例如，在聚氯乙烯類薄膜等中，在該薄膜中含有的塑化劑從基材2轉(zhuǎn)移到粘合劑層3,進(jìn)一 步分布到粘合劑層3的與面向基材2的一側(cè)相反的面上，有時(shí)會降低對切割片1的被粘物 的粘合力）含量較少，因此很難產(chǎn)生對切割片1的被粘物的粘合力下降等問題。即，乙烯類 共聚物薄膜及聚烯烴類薄膜具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性。
[0036] 基材2可以在上述以樹脂類材料為主要材料的薄膜內(nèi)含有顏料、阻燃劑、塑化劑、 抗靜電劑、潤滑劑、填充劑等各種添加劑。作為顏料，可以列舉出例如二氧化鈦、炭黑等。另 外，作為填充劑，可以列舉出如三聚氰胺樹脂這樣的有機(jī)類材料、如煅制二氧化硅這樣的無 機(jī)材料以及如鎳顆粒這樣的金屬類材料。雖然沒有特別限定這些添加劑的含量，但應(yīng)該限 制在基材2可以發(fā)揮所需的功能且不失去光滑性及柔軟性的范圍內(nèi)。
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