有機(jī)發(fā)光二極管以及包括其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 提供了有機(jī)發(fā)光二極管W及包括該有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器化CD)可替代陰極射線管（CRT) W有助于降低監(jiān)視器和電視機(jī)的重量 和厚度。為被動(dòng)發(fā)光裝置的液晶顯示器需要單獨(dú)的背光，并可能具有有限的響應(yīng)速度和視 角。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 可W通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施方案，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括彼此相 向的第一電極和第二電極；在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層；W及在所述第 一電極與所述發(fā)射層之間的空穴注入層，所述空穴注入層包含偶極材料，所述偶極材料包 含具有不同極性的第一組分和第二組分。
[0004] 所述第一組分可W為功函為4. OeV或大于4. OeV的金屬或非金屬，并且所述第二 組分可W包含面素。 陽(yáng)0化]所述第一組分可 W包含 Ag、Au、B、Be、C、Co、化、化、Fe、Hg、Ir、Mo、佩、Ni、Os、Pd、 Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In 和化中的一種或多種。
[0006] 所述第二組分可W包含F(xiàn)、Cl、化和I中的一種或多種。
[0007] 所述偶極材料可W包含Ni12、C0I2、化I、AgI、SnIz和InI3中的一種或多種。
[0008] 所述有機(jī)發(fā)光二極管還可W包括在所述發(fā)射層與所述第二電極之間的電子注入 層。所述電子注入層可W具有3. OeV或小于3. OeV的功函，并且可W包含堿金屬、堿±金屬、 稀±元素和過(guò)渡金屬和其合金中的一種或多種。
[0009] 所述電子注入層可W包含Li、化、K、化、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、孔和其合 金中的一種或多種。
[0010] 所述偶極材料的偶極矩可W為5德拜或大于5德拜。
[0011] 所述第一組分可W包含堿金屬、堿±金屬、稀±元素和過(guò)渡金屬中的一種或多種， 并且所述第二組分可W包含面素。 陽(yáng)01引所述第一組分可W具有3. OeV或小于3. OeV的功函，并可W包含Li、化、K、化、Cs、 Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、孔和其合金中的一種或多種。
[0013] 所述空穴注入層還可W包含功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬。
[0014] 所述功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬可W包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、 Hg、Ir、Mo、佩、Ni、Os、Pd、Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W 和化中的一種或 多種。
[0015] 所述空穴注入層還可W包含相對(duì)介電常數(shù)為10或大于10的氧化物。
[0016] 所述氧化物可W包括W〇3、M〇〇3、化2〇、孔2〇3、Sm2〇3、佩2〇3、Gd2〇3和化2〇3中的一種或 多種。
[0017] 所述有機(jī)發(fā)光二極管還可W包括在所述發(fā)射層與所述空穴注入層之間的空穴傳 輸層W及在所述發(fā)射層與所述第二電極之間的電子傳輸層。所述空穴傳輸層和所述電子傳 輸層可W包含有機(jī)材料。
[0018] 所述空穴注入層還可W包含功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬和相對(duì)介電常數(shù)為 10或大于10的氧化物中的至少一種。
[0019] 所述空穴注入層可W由多個(gè)層組成，并且所述多個(gè)層中的每一層可W包含所述偶 極材料、所述功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬W及所述相對(duì)介電常數(shù)為10或大于10的 氧化物中的至少一種。
[0020] 可W通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施方案，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯 底；在所述襯底上的柵極線；數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線；連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的開(kāi) 關(guān)薄膜晶體管；連接至所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動(dòng)電壓線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；W及連 接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管。所述有機(jī)發(fā)光二極管包括彼此相向的第一電 極和第二電極；在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層；W及在所述第一電極與所 述發(fā)射層之間的空穴注入層，所述空穴注入層包含具有不同極性的第一組分和第二組分的 偶極材料。
[0021] 所述第一組分可W為功函為4. OeV或大于4. OeV的金屬或非金屬，并且所述第二 組分可W包含面素。
[0022] 所述第一組分可 W包含 Ag、Au、B、Be、C、Co、化、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、佩、Ni、Os、Pd、 Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In 和化中的一種或多種。
[0023] 所述第二組分可W包含F(xiàn)、Cl、化和I中的一種或多種。
[0024] 所述偶極材料可W包含Ni 12、Col2、化I、AgI、SnIz和InI 3中的一種或多種。
[00巧]所述偶極材料的偶極矩可W為5德拜或大于5德拜。
[00%] 所述第一組分可W包含堿金屬、堿±金屬、稀±元素和過(guò)渡金屬中的一種或多種， 并且所述第二組分可W包含面素。
[0027] 所述第一組分可W具有3. OeV或小于3. OeV的功函，并可W包含Li、化、K、化、Cs、 Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、孔和其合金中的一種或多種。
[0028] 所述空穴注入層還可W包含功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬。
[0029] 所述功函為4. 3eV或大于4. 3eV的金屬可W包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、 Hg、Ir、Mo、佩、Ni、Os、Pd、Pt、Re、化、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W 和化中的一種或 多種。
[0030] 所述空穴注入層還可W包含相對(duì)介電常數(shù)為10或大于10的氧化物。
[0031] 所述氧化物可W包括W〇3、M〇〇3、化2〇、孔2〇3、Sm2〇3、佩2〇3、Gd2〇3和化2〇3中的一種或 多種。
[0032] 所述發(fā)射層可W包括紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層，并且還可W包括在 所述藍(lán)色發(fā)射層下的輔助層。
[0033] 所述有機(jī)發(fā)光二極管還可W包括布置在所述紅色發(fā)射層之下的紅色共振輔助層 W及布置在所述綠色發(fā)射層之下的綠色共振輔助層。
[0034] 所述輔助層可W包含由W下化學(xué)式1表示的化合物：
[0035]
[0036] A1、A2和A3可W各自為H、烷基、芳基、巧挫基、二苯并嚷吩基、二苯并巧喃基值BF) W及聯(lián)苯基，并且a、b和C可W各自為0至4的正數(shù)。
[0037] 所述輔助層可W包含由W下化學(xué)式2表示的化合物：
[0038]
[0039] a可W為0至3, b和C可W各自為0至3, X可W選自0、N和S，并且X各自可W 相同或不同。
【附圖說(shuō)明】
[0040] 通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方案，特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言會(huì)變得顯 而易見(jiàn)，其中：
[0041] 圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面視圖；
[0042] 圖2示出放大圖1的有機(jī)發(fā)光二極管的橫截面視圖；
[0043] 圖3示出部分改變的圖2的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖；
[0044] 圖4示出部分改變的圖2的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖； W45] 圖5示出圖2的有機(jī)發(fā)光二極管的改變的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖；
[0046] 圖6示出部分改變的圖5的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖；
[0047] 圖7示出部分改變的圖5的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖；
[0048] 圖8示出部分改變的圖5的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖；W 及
[0049] 圖9示出部分改變的圖5的有機(jī)發(fā)光二極管的示例性實(shí)施方案的橫截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050] 現(xiàn)在將參考附圖在下文中更全面地描述示例實(shí)施方案；然而，它們可WW不同的 形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為局限于本文所述的實(shí)施方案。相反，提供運(yùn)些實(shí)施方案，W使得 本公開(kāi)將全面和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地表達(dá)示例性實(shí)施。
[0051] 在附圖中，為了例示清楚，可W放大層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)理解，當(dāng)層或元件被稱(chēng) 為在另一層或襯底"上"時(shí)，其可直接在另一層或襯底上，或還可W存在中介層。此外，應(yīng)理 解，當(dāng)層被稱(chēng)為在另一層"下"時(shí)，其可W直接在下面，并且還可W存在一個(gè)或多個(gè)中介層。 此外，還應(yīng)理解，當(dāng)層被稱(chēng)為在兩個(gè)層"之間"時(shí)，其可W為所述兩個(gè)層之間的唯一的層，或 還可W存在一個(gè)或多個(gè)中介層。全文中相同的參考數(shù)字指代相同的元件。
[0052]本文中，烷基可W是指由直鏈或支鏈的Ci-Cw飽和控衍生的單價(jià)取代基。在某些 實(shí)施方案中，烷基可W是Ci-Cw烷基。在某些實(shí)施方案中，烷基可W是Ci-Ci。烷基。在某些 實(shí)施方案中，烷基可W是Ci-Ce烷基。烷基的非限制性實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異下基、仲 下基、戊基、異戊基、己基等。
[0053] 本文中，芳基可W是指由具有至少一個(gè)環(huán)的Ce-Cw芳香族不飽和控衍生的單價(jià)取 代基。當(dāng)芳基包含兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí)，所述環(huán)可W經(jīng)由單鍵彼此連接或可W彼此稠合。在 某些實(shí)施方案中，芳基可W是Ce-Cw芳基。在某些實(shí)施方案中，芳基可W是Ce-Cis芳基。在 某些實(shí)施方案中，芳基可W是Ce-Ci。芳基。芳基的非限制性實(shí)例包括苯基、糞基、菲基和蔥 基。
[0054] 在下文中，將描述有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為裝備有根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光 二極管的實(shí)例。
[0055] 圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的橫截面視圖。圖2示出放大 圖1的有機(jī)發(fā)光二極管的一部分的橫截面視圖。