低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法。
【背景技術】
[0002]LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，即低溫多晶娃)顯示屏在小尺寸產品已獲得大量應用，目前許多市場上的主流手機均使用LTPS顯示屏。LTPS技術可以通過激光退火等方法在玻璃基板上形成高迀移率的多晶硅半導體層，使顯示屏具有高分辨率、高開口率、高反應速度、低功耗等優(yōu)點。但LTPS在電子迀移率提升的同時，TFT器件的發(fā)熱量也隨之變大，不利于產品的可靠性。
[0003]因此，需要提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法，以解決上述問題。
【發(fā)明內容】
[0004]本發(fā)明主要解決的技術問題是:提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法，能夠使低溫多晶硅薄膜晶體管的溝道寬度值明顯變小，薄膜晶體管之間的線距變大，更利于低溫多晶硅薄膜晶體管的散熱，從而有利于制作低溫多晶硅薄膜晶體管電性更穩(wěn)定的低溫多晶娃顯不廣品O
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法，方法包括:提供基板；在基板上形成緩沖層；對緩沖層進行濕蝕刻；在濕蝕刻后的緩沖層上形成非晶硅層；對非晶硅層進行干蝕刻，形成由至少一個溝道構成的非晶硅圖案；將緩沖層部分蝕刻；將非晶硅圖案進行處理使其中的非晶硅轉變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案；對溝道進行摻雜；在緩沖層和多晶硅圖案上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成第一金屬層。
[0006]其中，在基板上形成緩沖層包括:在基板上形成第一緩沖層；在第一緩沖層上形成第二緩沖層；對緩沖層進行濕蝕刻包括:對第二緩沖層進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層僅覆蓋第一緩沖層的部分區(qū)域，且第二緩沖層的側面與其底面的夾角小于90度；在濕蝕刻后的緩沖層上形成非晶硅層包括:在未被第二緩沖層覆蓋的第一緩沖層的頂面上、第二緩沖層的頂面以及第二緩沖層的側面上形成非晶硅層；對非晶硅層進行干蝕刻，形成由至少一個溝道構成的非晶硅圖案包括:將第二緩沖層的頂面上的非晶硅層完全蝕刻，將第一緩沖層的頂面上的非晶硅層部分蝕刻，將第二緩沖層的側面上的非晶硅層部分蝕刻，保留第一緩沖層和第二緩沖層相接處的部分非晶硅層，其中保留的非晶硅層為非晶硅圖案；將緩沖層部分蝕刻包括:將第二緩沖層完全蝕刻去除。
[0007]其中，將非晶硅圖案進行處理使其中的非晶硅轉變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案包括:將非晶硅圖案進行固相結晶化處理使其中的非晶硅轉變?yōu)槎嗑Ч枰孕纬啥嗑Ч鑸D案。
[0008]其中，在柵絕緣層上形成第一金屬層之后還包括:在第一金屬層上形成層間介質層；在層間介質層上形成第二金屬層。
[0009]其中，在第一緩沖層上形成第二緩沖層具體為:在第一緩沖層上形成厚度為
0.5-1.5微米的第二緩沖層。
[0010]其中，第一緩沖層為氮化硅，第二緩沖層為二氧化硅，將第二緩沖層完全蝕刻去除具體為:利用二氧化硅蝕刻液將第二緩沖層除去。
[0011]其中，對第二緩沖層進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層僅覆蓋第一緩沖層的部分區(qū)域，且第二緩沖層的側面與其底面的夾角小于90度具體為:對第二緩沖層進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層僅覆蓋第一緩沖層的部分區(qū)域，且第二緩沖層的側面與其底面的夾角在60-70度之間。
[0012]其中，在基板上形成第一緩沖層具體為:利用氣體氣相沉積法在基板上形成第一緩沖層；在第一緩沖層上形成第二緩沖層具體為:利用氣體氣相沉積法在第一緩沖層上形成第二緩沖層；在未被第二緩沖層覆蓋的第一緩沖層的頂面上、第二緩沖層的頂面以及第二緩沖層的側面上形成非晶硅層具體為:利用氣體氣相沉積法在未被第二緩沖層覆蓋的第一緩沖層的頂面上、第二緩沖層的頂面以及第二緩沖層的側面上形成非晶硅層。
[0013]其中，二氧化硅蝕刻液為氫氟酸。
[0014]其中，多個溝道間隔設置構成非晶硅圖案，在對非晶硅層進行干蝕刻，形成非晶硅圖案后，每一溝道的線寬均小于第二緩沖層的厚度。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明通過合理設計利用對緩沖層濕蝕刻再對非晶硅層直接干蝕刻，能夠使得制造的低溫多晶硅薄膜晶體管溝道尺寸較小，低溫多晶硅薄膜晶體管之間的線距較大，更利于低溫多晶硅薄膜晶體管的散熱，從而有利于制作低溫多晶硅薄膜晶體管電性更穩(wěn)定的LTPS顯示產品。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法優(yōu)選實施例的流程圖；
[0017]圖2是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟Sll和S12中基板和第一緩沖層的不意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟Sll和S12中基板、第一緩沖層以及第二緩沖層的示意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法經步驟S13后的基板、第一緩沖層以及第二緩沖層的示意圖；
[0020]圖5是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟S14中形成的非晶硅層的示意圖；
[0021]圖6是經步驟S15對非晶硅層進行干蝕刻后保留的非晶硅層的示意圖；
[0022]圖7是步驟S16中將第二緩沖層完全蝕刻去除后的示意圖；
[0023]圖8是在緩沖層和多晶娃圖案上形成棚■絕緣層的不意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細的說明。
[0025]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法優(yōu)選實施例的流程圖。在本實施例中，低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:
[0026]步驟Sll:提供基板。
[0027]在步驟Sll中，請結合圖1參閱圖2，圖2是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟Sll和S12中基板和第一緩沖層的示意圖。提供基板10可以具體為提供玻璃基板，或者提供基板10可以具體為提供陶瓷基板，或者提供基板10可以具體為提供石英基板。
[0028]步驟S12:在基板上形成緩沖層。
[0029]在步驟S12中，請結合圖1和圖2進一步參閱圖3，圖3是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟Sll和S12中基板、第一緩沖層以及第二緩沖層的示意圖。在基板10上形成緩沖層具體包括:在基板10上形成第一緩沖層11 ;在第一緩沖層11上形成第二緩沖層12。優(yōu)選地，第一緩沖層11為氮化硅(SiNx)，第二緩沖層12為二氧化硅(S12)。SP，第一緩沖層11的材料為氮化硅(SiNx)，第二緩沖層12的材料為二氧化硅(S12)。在第一緩沖層11上形成第二緩沖層12具體為:在第一緩沖層11上形成厚度為0.5-1.5微米的第二緩沖層12。更優(yōu)選地，在第一緩沖層11上形成第二緩沖層12具體為:在第一緩沖層11上形成厚度為I微米的第二緩沖層12。
[0030]步驟S13:對緩沖層進行濕蝕刻。
[0031]在步驟S13中，請進一步參閱圖4，圖4是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法經步驟S13后的基板、第一緩沖層以及第二緩沖層的示意圖。對緩沖層進行濕蝕刻具體包括:對第二緩沖層12進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層12僅覆蓋第一緩沖層11的部分區(qū)域，且第二緩沖層12的側面與其底面的夾角小于90度。在本實施例中，濕蝕刻為光刻濕蝕亥IJ。對第二緩沖層12進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層12僅覆蓋第一緩沖層11的部分區(qū)域，且第二緩沖層12的側面與其底面的夾角小于90度具體為:對第二緩沖層12進行濕蝕刻，蝕刻后第二緩沖層12僅覆蓋第一緩沖層11的部分區(qū)域，且第二緩沖層12的側面與其底面的夾角在60-70度之間。
[0032]步驟S14:在濕蝕刻后的緩沖層上形成非晶硅層。
[0033]在步驟S14中，請進一步參閱圖5，圖5是本發(fā)明低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法步驟S14中形成的非晶硅層的示意圖。在濕蝕刻后的緩沖層上形成非晶硅層13具體包括:在未被第二緩沖層12覆蓋的第一緩沖層11的頂面上、第二緩沖層12的頂面以及第二緩沖層12的側面上形成非晶硅層13。
[0034]步驟S15:對非晶硅層進行干蝕刻，形成由至少一個溝道構成的非晶硅圖案。
[0035]在步驟S15中，請結合圖5進一步參閱圖6，圖6是經步驟S15對非晶硅層進行干蝕刻后保留的非晶硅層的示意圖。對非晶硅層13進行