調(diào)節(jié)劑Su計IonS-611(SEIMICHEMICAL制造），因此無法在橡皮布上形成平滑的分散體 涂膜。將無法在橡皮布上平滑地形成分散體涂膜的示例示于圖2。由于無法用該分散體在 基板上印刷源極和漏極，因此無法測定電極的體積電阻率。 陽153][比較例3]
[0154] 向?qū)嵤├?中得到的濃縮分散體0. 20g中加入正下醇0. 79g和Sudlon S-61USEIMICHEMICAL制造）0.OlOg，利用均質(zhì)器進行分散，由此得到氧化亞銅分散體。平 均二次粒徑為30nm。
[0155] 嘗試了通過反轉(zhuǎn)印刷將該分散體在陽N基板上涂布成圖案狀，但由于不含有碳原 子數(shù)為10W下的多元醇1，2-丙二醇（和光純藥制造），因此產(chǎn)生印刷不良，無法得到所期 望的導(dǎo)電圖案。由于無法用該分散體在基板上印刷源極和漏極，因此無法測定電極的體積 電阻率。
[0156] [比較例" 陽157] 向?qū)嵤├?中得到的濃縮分散體0. 40g中加入正下醇0. 44g、l，2-丙二醇0. 15g和SurflonS-611(SEIMICHEMICAL制造）0.OlOg，利用均質(zhì)器進行分散，由此得到氧化亞銅 分散體。平均二次粒徑為30nm。
[0158] 嘗試了通過反轉(zhuǎn)印刷將該分散體在陽N基板上涂布成圖案狀，但由于分散體中碳 原子數(shù)為10W下的多元醇的含量超過10.0質(zhì)量％，因此產(chǎn)生印刷不良，無法得到所期望的 導(dǎo)電圖案。由于無法用該分散體在基板上印刷源極和漏極，因此無法測定電極的體積電阻 率。
[0159] [比較例引
[0160] 按照與實施例1同樣的步驟，加入水W代替正下醇，得到含有氧化亞銅微粒30g、 Disperbyk-HS(畢克化學(xué)制造）6.Og和水24g的濃縮分散體60g。向該濃縮分散體0. 40g 中加入水 0. 53g、1，2-丙二醇 0. 060g、和Su計IonS-611(SEIMICHEMICAL制造）0.OlOg，使 用均質(zhì)器嘗試了進行分散，但由于不含有碳原子數(shù)為10W下的一元醇，因此在大氣中發(fā)生 了凝聚。平均二次粒徑為600nm，無法用于反轉(zhuǎn)印刷。無法用該分散體在基板上印刷源極和 漏極，因此無法測定電極的體積電阻率。 陽1W][比較例6] 陽162] 向?qū)嵤├?中得到的濃縮分散體2.Omg中加入正下醇0. 99g、1，2-丙二醇1.Omg、 和Su計IonS-611(SEIMIC肥MICAL制造HOmg，利用均質(zhì)器進行分散，由此得到氧化亞銅 分散體。平均二次粒徑為20nm。
[0163] 嘗試了通過反轉(zhuǎn)印刷將該分散體在陽N基板上涂布成圖案狀，但由于氧化亞銅微 粒的含量低，因此產(chǎn)生印刷不良，無法得到所期望的導(dǎo)電圖案。由于無法用該分散體在基板 上印刷源極和漏極，因此無法測定電極的體積電阻率。
[0164] [比較例7] 陽1化]向CIK NANOTEC制造的氧化銅微粒0. 70g中加入Disperbyk-145(畢克化學(xué) 制造）〇. 14g、正下醇0. 15g、l, 2-丙二醇5. Omg、和Surflon S-61USEIMI C肥MICAL制 造）5. Omg,使用均質(zhì)器嘗試了進行分散，但由于氧化銅的含量高，因此粘性高，形成了糊狀。 無法測定平均二次粒徑，無法用于印刷。由于無法用該分散體在基板上印刷源極和漏極，因 此無法測定電極的體積電阻率。
[0166][比較例8] 陽167]向?qū)嵤├?中得到的濃縮分散體0.54g中加入Disperbyk-145 (畢克化學(xué)制 造）0. 076g、正下醇 0. 32g、l, 2-丙二醇 0. 027g和Su計IonS-611(SEIMICHEMICAL制 造）0. 027g，利用均質(zhì)器進行分散，由此得到氧化亞銅分散體。平均二次粒徑為30nm。
[0168] 嘗試了通過反轉(zhuǎn)印刷將該分散體在陽N基板上涂布成圖案狀，但由于分散體中表 面能調(diào)節(jié)劑的含量超過2.O質(zhì)量％，因此產(chǎn)生印刷不良，無法得到所期望的導(dǎo)電圖案。由于 無法用該分散體在基板上印刷源極和漏極，因此無法測定電極的體積電阻率。 陽1例[表U
陽171] 上述表中的簡寫符號等的含義如下：
[0172] 銅氧化物：氧化亞銅或氧化銅的含量、單位為wt% 陽173] BuOH:正下醇的含量、單位為wt% 陽174] &0:水的含量、單位為wt% 陽 175] BYK:Dispe;rbyk-145 的含量、單位為wt% 陽176] PG:1，2-丙二醇的含量、單位為Wt%
[0177] S611:SurflonS-611 的含量、單位為wt%
[0178] 粒徑：平均二次粒徑、單位為nm 陽179] 印刷：A…印刷良好、B…印刷不良
[0180] 膜厚：單位為ym 陽1W] 比電阻：體積電阻率、單位為106Q?cm
[0182] 遷移率：半導(dǎo)體的遷移率、單位為102cm2/(V ? S) 陽183] 工業(yè)實用性
[0184] 本發(fā)明的晶體管具有通過銅或銅氧化物分散體的印刷工序所形成的微細的圖案 狀的電極。因此，本發(fā)明的晶體管適合用于高性能的電子器件等用途。
【主權(quán)項】
1. 一種導(dǎo)電膜層積體，其是將含有銅的導(dǎo)電膜層積于基板上而得到的導(dǎo)電膜層積體， 其中，導(dǎo)電膜層積體的面積以圓換算為直徑7英寸以上。2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜層積體，其中，所述導(dǎo)電膜是通過印刷銅和/或銅氧化物 的分散體而形成的。3. 如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電膜層積體，其中，所述印刷為反轉(zhuǎn)印刷。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項所述的導(dǎo)電膜層積體，其中，所述導(dǎo)電膜的最小線寬為 0. 10μm以上30μm以下，且最小間距寬為0. 10μm以上30μm以下。5. -種分散體，其是銅和/或銅氧化物的分散體，用于形成權(quán)利要求1~4中任一項所 述的導(dǎo)電膜層積體的導(dǎo)電膜，其中，該分散體含有〇. 50質(zhì)量％以上60質(zhì)量％以下的銅和/ 或銅氧化物微粒、以及下述（1)~（4): (1) 表面能調(diào)節(jié)劑； (2) 具有磷酸基的有機化合物； (3) 20°C的蒸汽壓為0.OlOPa以上且小于20Pa的溶劑0. 050質(zhì)量％以上10質(zhì)量％以 下；和 (4) 20°C的蒸汽壓為20Pa以上150hPa以下的溶劑。6. 如權(quán)利要求5所述的分散體，其中，所述（1)表面能調(diào)節(jié)劑為含氟表面活性劑。7. 如權(quán)利要求6所述的分散體，其中，所述含氟表面活性劑的含量為0. 10質(zhì)量％以上 2. 0質(zhì)量％以下。8. 如權(quán)利要求5~7中任一項所述的分散體，其中，所述（2)具有磷酸基的有機化合物 的含量為〇. 10質(zhì)量％以上20質(zhì)量％以下。9. 如權(quán)利要求5~8中任一項所述的分散體，其中，所述（3) 20°C的蒸汽壓為0.OlOPa 以上且小于20Pa的溶劑是碳原子數(shù)為10以下的多元醇。10. 如權(quán)利要求5~9中任一項所述的分散體，其中，所述（4) 20°C的蒸汽壓為20Pa以 上150hPa以下的溶劑是碳原子數(shù)為10以下的一元醇。11. 如權(quán)利要求5~10中任一項所述的分散體，其中，所述銅和/或銅氧化物為氧化亞 銅或氧化銅。12. 如權(quán)利要求11所述的分散體，其中，所述銅和/或銅氧化物為氧化亞銅。13. -種晶體管，其為包含柵極、源極、漏極、絕緣層和半導(dǎo)體層的晶體管，其中，該柵 極、該源極和該漏極中的至少1種電極為權(quán)利要求1~4中任一項所述的導(dǎo)電膜、或通過對 權(quán)利要求5~12中任一項所述的分散體進行反轉(zhuǎn)印刷而形成的導(dǎo)電膜。14. 一種銅和/或銅氧化物的分散體，其含有0. 50質(zhì)量％以上60. 0質(zhì)量％以下的銅和 /或銅氧化物微粒、以及下述（1)~（4): (1) 含氟表面活性劑〇. 10質(zhì)量％以上2. 0質(zhì)量％以下； (2) 具有磷酸基的有機化合物0. 10質(zhì)量％以上20質(zhì)量％以下； (3) 碳原子數(shù)為10以下的多元醇0. 050質(zhì)量％以上10質(zhì)量％以下；和 (4) 碳原子數(shù)為10以下的一元醇。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種銅和/或銅氧化物分散體，其能夠形成對于經(jīng)時變化顯示出優(yōu)異的穩(wěn)定性且為微細的圖案狀的導(dǎo)電膜；提供一種導(dǎo)電膜層積體，其是將使用所述銅和/或銅氧化物分散體制造的導(dǎo)電膜層積而得到的；以及提供一種導(dǎo)電膜晶體管。所述銅和/或銅氧化物分散體含有0.50質(zhì)量％以上60質(zhì)量％以下的銅和/或銅氧化物微粒以及下述(1)～(4)：(1)表面能調(diào)節(jié)劑；(2)具有磷酸基的有機化合物；(3)20℃的蒸汽壓為0.010Pa以上且小于20Pa的溶劑0.050質(zhì)量％以上10質(zhì)量％以下；和(4)20℃的蒸汽壓為20Pa以上150hPa以下的溶劑，并且，所述導(dǎo)電膜層積體是將含有銅的導(dǎo)電膜層積于基板上而得到的。
【IPC分類】C09D11/03, H05K3/12, H01L29/786, H01B1/20, H01B5/14, H05K1/09, H01L21/288, C09D11/52, C09C1/62
【公開號】CN105393312
【申請?zhí)枴緾N201480040975
【發(fā)明人】小川晉平, 大野榮一, 鶴田雅典
【申請人】旭化成株式會社
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2014年7月22日
【公告號】EP3026677A1, EP3026677A4, US20160155814, WO2015012264A1