一種半導體加工設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導體加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路、半導體照明以及微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域的晶片刻蝕工藝中，通常采用等離子體干法刻蝕設(shè)備實現(xiàn)對晶片的刻蝕工藝。等離子體干法刻蝕設(shè)備通常包括反應(yīng)腔室
10、傳輸腔室11以及在反應(yīng)腔室10和傳輸腔室11之間設(shè)置的門閥12，如圖1所示，在傳輸腔室11內(nèi)設(shè)置有機械手111，機械手用于將未完成工藝的晶片傳輸至反應(yīng)腔室10內(nèi)，以及將完成工藝的晶片傳出反應(yīng)腔室10 ;門閥12用于控制反應(yīng)腔室10和傳輸腔室11之間的連通或者斷開。
[0003]在實際應(yīng)用中，機械手111往往可能會發(fā)生滑片，S卩，晶片偏移其正確位置，這種情況下，關(guān)閉門閥12可能造成晶片被夾碎，因此，在工藝過程中需要判定機械手111上的晶片位置是否正確。為此，等離子體干法刻蝕設(shè)備還包括檢測單元、控制單元和報警單元，檢測單元包括傳感器，用以檢測機械手111上是否存在晶片；控制單元用于根據(jù)檢測單元的檢測結(jié)果判斷晶片位置是否準確，若是，則控制門閥打開或關(guān)閉，若否，則停止工作且控制報警單元報警。下面結(jié)合圖2詳細描述機械手向反應(yīng)腔室10內(nèi)放片的過程，具體地，包括以下步驟:步驟S10，在機械手位于傳輸腔室11的預(yù)設(shè)位置時，檢測單元判斷機械手111上是否存在晶片，若是，則進入步驟S11，若否，則進入步驟S14;步驟S11，控制單元判斷晶片位置準確，并控制門閥12打開，機械手經(jīng)由門閥傳輸至反應(yīng)腔室10的預(yù)設(shè)位置進行放片，之后空載的機械手傳回傳輸腔室11的預(yù)設(shè)位置；步驟S12，檢測單元判斷機械手111上是否存在晶片，若否，則進入步驟S13 ;若是，則進入步驟S14 ;步驟S13，控制單元判斷判斷晶片位置準確，并控制門閥12關(guān)閉，在反應(yīng)腔室10內(nèi)進行工藝；步驟S14，控制單元判斷晶片位置錯誤，并停止工藝流程且控制單元控制報警單元報警。
[0004]下面結(jié)合圖3詳細描述機械手從反應(yīng)腔室內(nèi)取片的過程，具體地，包括以下步驟:步驟S20，在機械手111位于傳輸腔室11的預(yù)設(shè)位置時，檢測單元判斷機械手111上是否存在晶片，若否，則進入步驟S21 ;若是，則進入步驟S24 ;步驟S21，控制單元判斷晶片位置準確，并控制門閥12打開，機械手111經(jīng)由門閥12傳輸至反應(yīng)腔室10的預(yù)設(shè)位置進行取片，之后承載晶片的機械手111傳回傳輸腔室11的預(yù)設(shè)位置；步驟S22，檢測單元判斷機械手111上是否存在晶片，若是，則進入步驟S23 ;若否，則進入步驟S24 ;步驟S23，控制單元判斷晶片位置準確，并控制門閥12關(guān)閉；步驟S24，控制單元判斷晶片位置錯誤，并停止工藝流程且控制單元控制報警單元報警。
[0005]然而，采用上述等離子體干法刻蝕設(shè)備在實際應(yīng)用中仍然不可避免的會存在以下問題:通過上述方式判斷晶片位置是否準確具有一定局限性，例如，如圖4所示，機械手111發(fā)生滑片造成晶片S掉落在門閥12通道內(nèi)，檢測單元13會檢測到機械手111上存在晶片S，則會誤判斷晶片位置準確，S卩，現(xiàn)有的檢測單元13無法準確判斷晶片位置錯誤，這會使得門閥12關(guān)閉造成晶片S被門閥12夾碎，甚至造成門閥12損壞，因而造成晶片S的碎片率高，從而造成工藝的穩(wěn)定性差和成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種半導體加工設(shè)備，其可以通過檢測單元檢測裝置本體上的通道是否存在晶片來判斷晶片是否靠近門閥，以判斷晶片是否掉落在門閥通道內(nèi)，從而可以在晶片掉落在門閥通道內(nèi)時停止工藝流程，以避免門閥關(guān)閉造成晶片被門閥夾碎甚至損壞門閥，進而可以提高工藝的穩(wěn)定性和降低成本。
[0007]為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種半導體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和傳輸腔室，在所述反應(yīng)腔室和傳輸腔室之間還設(shè)置有門閥，所述門閥用于控制所述反應(yīng)腔室和所述傳輸腔室之間的連通或者斷開，在所述傳輸腔室內(nèi)設(shè)置有機械手，所述機械手用于在所述反應(yīng)腔室和所述傳輸腔室之間傳輸晶片，在所述門閥和所述傳輸腔室之間設(shè)置有防夾片裝置，所述防夾片裝置包括裝置本體、檢測單元和控制單元，在所述裝置本體上設(shè)置有用于所述晶片傳輸?shù)耐ǖ?；所述檢測單元用于在所述機械手位于所述傳輸腔室內(nèi)預(yù)設(shè)位置時檢測所述通道內(nèi)是否存在所述晶片；所述控制單元用于在所述通道內(nèi)存在所述晶片時，判斷所述晶片位置錯誤，并停止工藝流程；以及在所述通道內(nèi)不存在所述晶片時，判斷所述晶片位置正確，并控制所述門閥關(guān)閉或打開。
[0008]其中，在所述裝置本體上還設(shè)置有貫穿所述裝置本體的通孔；且所述通孔與所述裝置本體的通道相連通，并且，所述檢測單元包括發(fā)射接收極和反射板，所述發(fā)射接收極和所述反射板與所述通孔的兩端一一對應(yīng)設(shè)置，所述發(fā)射接收極用于經(jīng)由所述通孔朝向所述反射板發(fā)射檢測信號，并接收來自所述反射板反射的檢測信號；若接收到所述反射板反射的檢測信號，則確定所述通道內(nèi)不存在所述晶片；若未接收到所述反射板反射的檢測信號，則確定所述通道內(nèi)存在所述晶片。
[0009]其中，在所述裝置本體上還設(shè)置有貫穿所述裝置本體的通孔；且所述通孔與所述裝置本體的通道相連通，并且，所述檢測單元包括發(fā)射極和接收極，所述發(fā)射極和所述接收極與所述通孔的兩端一一對應(yīng)設(shè)置，所述發(fā)射極用于經(jīng)由所述通孔朝向所述接收極發(fā)射檢測信號；所述接收極用于接收所述發(fā)射極發(fā)射的檢測信號，若接收到反射的檢測信號，則確定所述通道內(nèi)不存在所述晶片；若未接收到反射的檢測信號，則確定所述通道內(nèi)存在所述曰 l=!r
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[0010]其中，所述晶片沿水平方向傳輸，所述通孔沿豎直方向設(shè)置。
[0011]其中，所述通孔設(shè)置在所述通道的寬度的中心位置。
[0012]其中，所述通孔設(shè)置在靠近所述門閥的位置。
[0013]其中，所述防夾片裝置還包括與所述通孔的兩端分別對應(yīng)設(shè)置的透明窗和固定壓環(huán)，每個所述透明窗用于疊置在與之對應(yīng)所述通孔的一端上；每個所述固定壓環(huán)的靠近環(huán)孔的部分疊置在與之對應(yīng)的所述透明窗的邊緣部分，每個所述固定壓環(huán)與所述裝置本體固定連接，以使與之對應(yīng)的所述透明窗相對裝置本體固定；所述發(fā)射接收極和反射板分別設(shè)置在與之對應(yīng)的所述固定壓環(huán)的外側(cè)，且與所述固定壓環(huán)的環(huán)孔對應(yīng)位置處。
[0014]其中，所述防夾片裝置還包括與所述通孔的兩端分別對應(yīng)設(shè)置的透明窗和固定壓環(huán)，每個所述透明窗用于疊置在與之對應(yīng)所述通孔的一端上；每個所述固定壓環(huán)的靠近環(huán)孔的部分疊置在與之對應(yīng)的所述透明窗的邊緣部分，每個所述固定壓環(huán)與所述裝置本體固定連接，以使與之對應(yīng)的所述透明窗相對裝置本體固定；所述發(fā)射極和所述接收極分別設(shè)置在與之對應(yīng)的所述固定壓環(huán)的外側(cè)，且與所述固定壓環(huán)的環(huán)孔對應(yīng)位置處。
[0015]其中，在所述裝置本體與每個所述透明窗相接觸的位置處還設(shè)置有密封圈，用于密封二者之間的間隙。
[0016]其中，所述檢測單元包括反射式光電傳感器或?qū)ι涫焦怆妭鞲衅鳌?br>[0017]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0018]本發(fā)明提供的半導體加工設(shè)備，其在門閥和傳輸腔室之間設(shè)置有防夾片裝置，該防夾片裝置包括裝置本體、檢測單元和控制單元，裝置本體上設(shè)置有用于晶