系統(tǒng)級(jí)封裝模塊和封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及電子封裝技術(shù)，尤其涉及一種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊和封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]系統(tǒng)級(jí)封裝(System In a Package，簡(jiǎn)稱:SiP)模塊是一種將多個(gè)具有不同功能的電子元件集成在一個(gè)封裝內(nèi)，用于實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整功能的模塊。市面上常見的SiP模塊有電源系統(tǒng)級(jí)封裝(Power System In a Package，簡(jiǎn)稱:PSiP)模塊、藍(lán)牙模塊、影像感測(cè)模塊、記憶卡等。
[0003]以用于轉(zhuǎn)換電壓的PSiP模塊為例，該P(yáng)SiP模塊內(nèi)部包括引線框架、電感、供電芯片以及阻容器件等。其中，電感、供電芯片以及阻容器件均貼裝在引線框架上，并通過(guò)塑料封包封固定從而形成一 PSiP模塊。然而，在上述PSiP模塊中，由于電感架空或者平鋪的貼裝在引線框架上，使得PSiP模塊整體的封裝厚度均較高，體積較大，同時(shí)，由于電感的磁芯被塑料封包覆，使得PSiP模塊在工作時(shí)散熱較差。
[0004]故，現(xiàn)有的這種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，無(wú)論是從厚度、體積還是從散熱效果上來(lái)說(shuō)，都無(wú)法滿足系統(tǒng)級(jí)封裝模塊在實(shí)際使用時(shí)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊和封裝方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中系統(tǒng)級(jí)封裝模塊中的無(wú)源二端元件通過(guò)架空或者平鋪的方式設(shè)置在引線框架上時(shí)，使得系統(tǒng)級(jí)封裝模塊整體的封裝厚度均較高，體積較大的技術(shù)問(wèn)題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，該系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，包括:弓丨線框架、芯片、無(wú)源二端元件，所述芯片包括第一引腳和第二引腳，所述無(wú)源二端元件包括元件本體和第三引腳；其中，所述引線框架上設(shè)置有挖空的用于容納所述無(wú)源二端元件的容納空間；
[0007]所述芯片通過(guò)所述第一引腳設(shè)置在所述引線框架上，所述元件本體設(shè)置在所述容納空間中，且所述元件本體的底部與所述引線框架的底部同高；所述芯片的第二引腳與所述無(wú)源二端元件的第三引腳直接連接。
[0008]通過(guò)第一方面提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，即通過(guò)將無(wú)源二端元件的元件本體直接設(shè)置在引線框架的容納空間中，使得無(wú)源二端元件的元件本體與引線框架的底部位于同一水平線上，降低了無(wú)源二端元件在系統(tǒng)級(jí)封裝模塊內(nèi)部的垂直高度，進(jìn)而降低了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊整體的封裝厚度，減小了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的體積；同時(shí)，由于無(wú)源二端元件的元件本體的底部與引線框架的底部位于同一水平線上，使得無(wú)源二端元件的元件本體可以直接裸露在系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的底部的表面，進(jìn)而使得無(wú)源二端元件的元件本體可以直接與外界進(jìn)行熱交換，提高了無(wú)源二端元件的散熱效果，進(jìn)而提高了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的散熱效果；進(jìn)一步地，由于上述芯片與無(wú)源二端元件直接連接，因此可以降低芯片和無(wú)源二端元件電連接的互聯(lián)電阻，進(jìn)而可以降低系統(tǒng)級(jí)封裝模塊內(nèi)部的通流功耗。
[0009]進(jìn)一步地，在第一方面的第一種可能的實(shí)施方式中，所述無(wú)源二端元件還包括:第四引腳；所述第四引腳設(shè)置在所述容納空間中，且所述第四引腳的底部與所述引線框架的底部同高。
[0010]通過(guò)該第一種可能的實(shí)施方式提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，使得無(wú)源二端元件的第四引腳的底部可以直接裸露在系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的底部的表面，進(jìn)而使得無(wú)源二端元件可以直接通過(guò)該第四引腳與外部導(dǎo)線、模塊或設(shè)備連接，或直接通過(guò)該第四引腳與系統(tǒng)級(jí)封裝模塊內(nèi)部的其他無(wú)源二端元件連接，因此，可以降低無(wú)源二端元件與外部導(dǎo)線、模塊或設(shè)備之間電連接的互聯(lián)電阻，或降低無(wú)源二端元件與其他無(wú)源二端元件之間電連接的互聯(lián)電阻，進(jìn)而降低了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的通流功耗。
[0011]可選的，在第一方面的第二種可能的實(shí)施方式中，所述無(wú)源二端元件為電感、電容、電阻中的任一個(gè)二端元件。
[0012]可選的，在第一方面的第三種可能的實(shí)施方式中，所述無(wú)源二端元件的兩個(gè)引腳的結(jié)構(gòu)為海鷗腳結(jié)構(gòu)。
[0013]進(jìn)一步地，在第一方面的第四種可能的實(shí)施方式中，所述系統(tǒng)級(jí)封裝模塊為電源系統(tǒng)級(jí)封裝PSiP模塊，所述無(wú)源二端元件為所述PSiP模塊中的電感，所述元件本體為所述PSiP模塊中的電感的磁芯，所述無(wú)源二端元件的第三引腳和第四引腳分別為所述PSiP模塊中的電感的輸入引腳和輸出引腳；
[0014]所述PSiP模塊中的電感的輸入引腳與所述PSiP模塊中的供電芯片的輸出引腳直接連接；
[0015]所述PSiP模塊中的電感的磁芯設(shè)置在所述容納空間中，且所述磁芯的底部與所述引線框架的底部同高；
[0016]所述PSiP模塊中的電感的輸出引腳設(shè)置在所述容納空間中，且所述電感的輸出引腳的底部與所述引線框架的底部同高。
[0017]可選的，在第一方面的第五種可能的實(shí)施方式中，所述引線框架為銅合金引線框架。
[0018]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的封裝方法，該方法包括:將框架膜粘貼在引線框架的底部，并在所述引線框架的上部印刷助焊劑和錫膏，形成待貼裝框架；
[0019]將芯片的第一引腳貼裝在所述待貼裝框架的上部；其中，所述芯片還包括第二引腳，所述待貼裝框架上設(shè)置有挖空的用于容納無(wú)源二端元件的容納空間；所述無(wú)源二端元件包括元件本體和第三引腳；
[0020]將所述元件本體穿過(guò)所述容納空間粘貼在所述框架膜上，并將所述第三引腳與所述芯片的第二引腳直接焊接連接，形成待封裝模塊；
[0021]使用塑封料對(duì)所述待封裝模塊進(jìn)行包封，并將包封后的待封裝模塊的框架膜去除，并對(duì)所述包封后的待封裝模塊進(jìn)行打印、電鍍、切割，形成所述系統(tǒng)級(jí)封裝模塊。
[0022]通過(guò)第二方面提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的封裝方法，可以用于制造上述第一方面所提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，其技術(shù)效果類似，在此不再贅述。
[0023]進(jìn)一步地，在第二方面的第一種可能的實(shí)施方式中，所述無(wú)源二端元件還包括:第四引腳；
[0024]在所述將所述元件本體穿過(guò)所述容納空間粘貼在所述框架膜上之后，所述方法還包括:
[0025]將所述無(wú)源二端元件的第四引腳粘貼在所述框架膜上。
[0026]通過(guò)該第一種可能的實(shí)施方式提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的封裝方法，可以用于制造上述第一方面的第一種可能的實(shí)施方式所提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊，其技術(shù)效果類似，在此不再贅述。
[0027]進(jìn)一步地，在第二方面的第二種可能的實(shí)施方式中，所述系統(tǒng)級(jí)封裝模塊為電源系統(tǒng)級(jí)封裝PSiP模塊，所述無(wú)源二端元件為所述PSiP模塊中的電感，所述元件本體為所述PSiP模塊中的電感的磁芯，所述無(wú)源二端元件的第三引腳和第四引腳分別為所述PSiP模塊中的電感的輸入引腳和輸出引腳。
[0028]可選的，在第二方面的第三種可能的實(shí)施方式中，所述電感的輸入引腳的結(jié)構(gòu)和輸出引腳的結(jié)構(gòu)均為海鷗腳結(jié)構(gòu)。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊和封裝方法，通過(guò)將無(wú)源二端元件的元件本體直接設(shè)置在引線框架的容納空間中，使得無(wú)源二端元件的元件本體與引線框架的底部位于同一水平線上，降低了無(wú)源二端元件在系統(tǒng)級(jí)封裝模塊內(nèi)部的垂直高度，進(jìn)而降低了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊整體的封裝厚度，減小了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的體積；同時(shí)，由于無(wú)源二端元件的元件本體的底部與引線框架的底部位于同一水平線上，使得無(wú)源二端元件的元件本體可以直接裸露在系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的底部的表面，進(jìn)而使得無(wú)源二端元件的元件本體可以直接與外界進(jìn)行熱交換，提高了無(wú)源二端元件的散熱效果，進(jìn)而提高了系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的散熱效果；進(jìn)一步地，由于上述芯片與無(wú)源二端元件直接連接，因此可以降低芯片和無(wú)源二端元件電連接的互聯(lián)電阻，進(jìn)而可以降低系統(tǒng)級(jí)封裝模塊內(nèi)部的通流功耗。
【附圖說(shuō)明】
[0030]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊實(shí)施例三的俯視圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊實(shí)施例三的主視圖；
[0035]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的引線框架的俯視圖；
[0036]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的電感設(shè)置在引線框架的俯視圖；
[0037]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的電感設(shè)置在引線框架的主視圖；
[0038]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的電感的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的系統(tǒng)級(jí)封裝模塊的封裝方法實(shí)施例一的流程圖。
[0040]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0041]1:系統(tǒng)級(jí)封裝模塊；2:PSiP模塊；
[0042]11:引線框架；12:芯片；
[0043]13:無(wú)源二端元件；14:電感；
[0044]15:供電芯片；16:阻容器件；
[0045]17:塑料封；18:框架膜；
[0046]111:容納空間；112:引線框架的底部；