扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本
【發(fā)明內(nèi)容】
涉及一種扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種具有良好散熱效果的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，由于扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)(fan-out wafer level packages,F0WLP)具有高效能及低成本的特點，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的制作。舉例而言，扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)，已經(jīng)作為一種采用28納米規(guī)格的晶片制作行動式產(chǎn)品的方式。
[0003]然而，仍然有一些課題需要解決，例如是散熱效率以及結(jié)構(gòu)脫層(structuraldelaminat1n)。因此，對于具有可靠效能的改良的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)仍一直有需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)，在該扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電散熱板形成于第一扇出結(jié)構(gòu)上，有助于提高整體的散熱效果，進(jìn)而提高扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性。
[0005]為達(dá)上述目的，根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的一實施例，提出一扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)。扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體元件、一封膠、一第一扇出結(jié)構(gòu)、一導(dǎo)電散熱板以及多個焊接球。半導(dǎo)體元件包括多個接合墊。封膠包覆半導(dǎo)體元件。第一扇出結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體元件上，其中第一扇出結(jié)構(gòu)具有多個扇出接觸點，此些扇出接觸點電連接于此些接合墊。導(dǎo)電散熱板形成于第一扇出結(jié)構(gòu)上，其中導(dǎo)電散熱板具有多個填充一導(dǎo)電材料的穿孔。焊接球形成于導(dǎo)電散熱板上，其中焊接球經(jīng)由填充導(dǎo)電材料的穿孔電連接至第一扇出結(jié)構(gòu)。
[0006]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0007]圖1為本
【發(fā)明內(nèi)容】
一實施例的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0008]圖2為本
【發(fā)明內(nèi)容】
一實施例的導(dǎo)電散熱板的局部示意圖；
[0009]圖3為本
【發(fā)明內(nèi)容】
再一實施例的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0010]圖4為本
【發(fā)明內(nèi)容】
又一實施例的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0011]圖5為本
【發(fā)明內(nèi)容】
還一實施例的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0012]符號說明
[0013]10、20、30、40:扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)
[0014]100:半導(dǎo)體元件
[0015]110:接合墊
[0016]120:介電結(jié)構(gòu)
[0017]200:封膠
[0018]200T:封膠穿孔
[0019]300:第一扇出結(jié)構(gòu)
[0020]310:扇出接觸點
[0021]320:有機介電層
[0022]330:扇出導(dǎo)線
[0023]400:導(dǎo)電散熱板
[0024]400s:側(cè)壁
[0025]400T:穿孔
[0026]410:導(dǎo)電材料
[0027]420:絕緣層
[0028]430:導(dǎo)電層
[0029]430s:表面
[0030]440:氧化層
[0031]500:焊接球
[0032]2300:第二扇出結(jié)構(gòu)
[0033]3300:第三扇出結(jié)構(gòu)
[0034]W1:第一線寬
[0035]W2:第二線寬
【具體實施方式】
[0036]根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實施例，扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電散熱板形成于第一扇出結(jié)構(gòu)上，有助于提高整體的散熱效果，進(jìn)而提高扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性。附圖中相同的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或類似的部分。需注意的是，附圖已簡化以利清楚說明實施例的內(nèi)容，實施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)僅為舉例說明之用，并非對本
【發(fā)明內(nèi)容】
欲保護(hù)的范圍做限縮。具有通常知識者當(dāng)可依據(jù)實際實施態(tài)樣的需要對該些結(jié)構(gòu)加以修飾或變化。
[0037]圖1繪示根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
一實施例的扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)10的示意圖。扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)10包括一半導(dǎo)體兀件100、一封膠200、一第一扇出結(jié)構(gòu)300、一導(dǎo)電散熱板400以及多個焊接球500。圖1中所示的兩個半導(dǎo)體元件100可以是兩個相同的半導(dǎo)體元件或是兩個不同的半導(dǎo)體元件。此處所指的相同或不同指其功能或面積或厚度或制作工藝世代(如90nm、65nm、28nm的制作工藝世代)。半導(dǎo)體元件100包括多個接合墊110，封膠200包覆半導(dǎo)體元件100。第一扇出結(jié)構(gòu)300形成于半導(dǎo)體元件100上，其中第一扇出結(jié)構(gòu)300具有多個扇出接觸點310，扇出接觸點310電連接于接合墊110。導(dǎo)電散熱板400形成于第一扇出結(jié)構(gòu)300上，其中導(dǎo)電散熱板400具有多個填充導(dǎo)電材料410的穿孔400T。焊接球500形成于導(dǎo)電散熱板400上，其中焊接球500經(jīng)由填充導(dǎo)電材料410的穿孔400T電連接至第一扇出結(jié)構(gòu)300。
[0038]根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實施例，導(dǎo)電散熱板400形成于第一扇出結(jié)構(gòu)300上，有助于提高整體的散熱效果。當(dāng)散熱效果獲得有效的提升，扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)中，多個層結(jié)構(gòu)便不容易發(fā)生因受熱而發(fā)生變形程度不同導(dǎo)致的脫層(delaminat1n)。如此一來，能夠進(jìn)而提高扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性。
[0039]再者，第一扇出結(jié)構(gòu)300具有多個電性接觸點，用以電連接至第一扇出結(jié)構(gòu)300之外的元件，例如是扇出接觸點310。此些電性接觸點是制作工藝中的弱點(weak point),當(dāng)此些電性接觸點的結(jié)構(gòu)直接連接至外部元件時，例如是焊接球500，容易在制作工藝中發(fā)生故障的情形，而影響到整個扇出型晶片級封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝良率。然而，根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
的實施例，焊接球500經(jīng)由填充導(dǎo)電材料410的穿孔400T電連接至第一扇出結(jié)構(gòu)300，如此一來，可以避免第一扇出結(jié)構(gòu)300以結(jié)構(gòu)弱點連接至焊接球500的情形，有效增加結(jié)構(gòu)的強度與穩(wěn)定性。
[0040]實施例中，穿孔400T例如是經(jīng)由激光鉆孔(laser drilling)、機械鉆孔(mechanical drilling)和/或蝕刻制作工藝(etching process)制作，之后再填入導(dǎo)電材料410于穿孔400T中。導(dǎo)電材料410可以經(jīng)由例如是電鍛(electroplating)制作工藝來填入穿孔400T中，導(dǎo)電材料410電連接至焊接球500和接合墊110。
[0041]一實施例中，導(dǎo)電散熱板400例如是娃中介層(silicon interposer),填充導(dǎo)電材料410的穿孔400T例如是??圭穿孔(through silicon via, TSV)。
[0042]圖2繪示根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
一實施例的導(dǎo)電散熱板400的局部示意圖。如圖2所示，實施例中，導(dǎo)電散熱板400可包括多個絕緣層420。絕緣層420形成于填充導(dǎo)電材料410的穿孔400T的側(cè)壁400s和導(dǎo)電材料410之間。實施例中，絕緣層420例如是氧化物層或氮化物層。
[0043]如圖2所示，實施例中，導(dǎo)電散熱板400可包括一導(dǎo)電層430。導(dǎo)電層430可包括硅、銅、鋁及上述者的合金的至少其中之一。
[0044]如圖2所示，實施例中，導(dǎo)電散熱板400可還包括二氧化層440。兩個氧化層440分別形成于導(dǎo)電層430的兩個相對表面430s上。兩個氧化層440與側(cè)壁400s上的絕緣層可以是由相同制作工藝所形成的同一絕緣膜層。
[0045]如圖1所示，實施例中，第一扇出結(jié)構(gòu)300還可包括一有機介電層320以及多個扇出導(dǎo)線330。扇出導(dǎo)線330形成于有機介電層320中。第一扇出結(jié)構(gòu)300的扇出