覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別設(shè)及一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管因具有生產(chǎn)成本低、結(jié)構(gòu)簡單、低能耗低污染、體積小及容易安裝等優(yōu) 勢被大量用于照明光源及顯示技術(shù)中。
[0003] 傳統(tǒng)的覆晶式發(fā)光二極管包括依次堆疊設(shè)置的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體 層及形成在覆晶式發(fā)光二極管形同一側(cè)并與N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層電連接的N電極 及P電極。在覆晶式發(fā)光二極管封裝時，所述覆晶式發(fā)光二極管通過導(dǎo)電膠固定在基板上， 并將覆晶式發(fā)光二極管電極與基板上對應(yīng)電極連接。然而在通常情況下，因為導(dǎo)電膠會沿 著導(dǎo)熱率大的N電極及P電極流動而使N電極與P電極之間虛焊而導(dǎo)致爬錫現(xiàn)象產(chǎn)生，進而 導(dǎo)致N電極與P電極之間容易發(fā)生短路，使得覆晶式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)不能正常工作，而且因 爬錫而露出至覆晶式發(fā)光二極管外部的導(dǎo)電膠會吸收覆晶式發(fā)光二極管邊緣發(fā)出的光線， 導(dǎo)致覆晶式發(fā)光二極管出光效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種性能穩(wěn)定出光效率高的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。 陽0化]一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板及位于基板之上的L邸忍片，所述LED 忍片包括P電極和N電極，還包括固定于基板的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二 電極分別具有位于基板頂面之上的第一凸起和第二凸起，所述P電極與N電極分別通過導(dǎo) 電膠固定于所述第一凸起和第二凸起的頂面且P電極及N電極的底面邊緣超出所述第一凸 起及第二凸起的頂面邊緣。
[0006] 本發(fā)明所述覆晶式發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)可W避免所述L邸忍片封裝過程中導(dǎo) 電膠爬錫而造成L邸忍片短路，提升覆晶式發(fā)光二極管的穩(wěn)定性及出光效率。
【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明第一實施例所示覆晶式發(fā)光二極管封裝基板的剖視圖。
[0008] 圖2為本發(fā)明第一實施例所示覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0009] 圖3為本發(fā)明第二實施例所示覆晶式發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0010] 主要元件符號說明

如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0011] 如圖1-2所示，本發(fā)明第一實施例中的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板10、 貫穿于于基板10內(nèi)的第一電極20和第二電極30,W及位于基板10之上與第一電極20及 第二電極30電連接的LED忍片40。
[0012] 所述基板10由絕緣材料制成，呈平板狀。所述的第一電極20及第二電極30分別 自基板10底部貫穿頂部，將基板10分割為相互獨立的第一基板11、第二基板12和第=基 板13。所述的第一電極20及第二電極30之間通過第二基板12間隔。
[0013] 所述L邸忍片40為為覆晶式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。所述L邸忍片40包括由金屬材質(zhì) 制成的一P電極41和一N電極42。所述L邸忍片40通過導(dǎo)電膠60固定于所述第一電極 20或第二電極30之上。
[0014] 所述第一電極20和第二電極30由導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能良好的材料制成，且第一電極 20及第二電極30的高度大于基板10的高度。所述第一電極20包括位于基板10底部的 一第一焊接部21、位于基板10頂部的一第一凸起22,W及連接第一焊接部21和第一凸起 22的第一連接部23。同理，所述第二電極30包括位于基板10底部的一第二焊接部31、位 于基板10頂部的一第二凸起32,W及連接第二焊接部31及第二凸起32的第二連接部33。 所述第一連接部23和第二連接部33的縱截面呈矩形。所述第一凸起22、第二凸起32W及 第一焊接部21、第二焊接部31的縱截面亦呈矩形。所述第一焊接部21及第二焊接部31的 縱截面面積分別大于所述第一凸起22及第二凸起32的縱截面面積。所述第一凸起22和 第二凸起32用于承載L邸忍片40,所述第一凸起22和第二凸起32的頂面面積之和小于所 述P電極41和N電極42的底面積之和。
[0015] 在固晶過程中，先將LED忍片40固定于基板10上，所述LED忍片40的P電極41 及N電極42通過導(dǎo)電膠60與第一凸起22或第二凸起32連接。因第一凸起22和第二凸 起32的頂部面積小于所述P電極41及N電極42的底面積之和，即所述P電極41及所述 N電極42底部邊緣超出所述第一凸起22及第二凸起32的頂部邊緣。所W通過導(dǎo)電膠60 固定所述L邸忍片40于第一凸起22及第二凸起32之上時，第一凸起22及第二凸起32的 邊緣可引導(dǎo)導(dǎo)電膠60在重力的作用下沿其周緣往下流動，從而使得導(dǎo)電膠60填滿涂設(shè)于 第一凸起22和第二凸起32與L邸忍片40之間外，溢出的導(dǎo)電膠60收容于第一凸起22和 第二凸起32外圍處并與P電極41、N電極42接觸將LED忍片40進一步固定連接。如此， 避免了大量導(dǎo)電膠60因爬錫而造成L邸忍片40的P電極41與N電極42發(fā)生短路。進一 步地，導(dǎo)電膠60流向第一凸起22及第二凸起32外側(cè)周緣處可避免導(dǎo)電膠60包裹L邸忍 片40外圍，從而提高出光效率。
[0016] 如圖3所示，為本發(fā)明第二實施例所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其與第一實 施例中所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)相似。其不同在于：所述基板10上形成有封裝膠體 層50,所述封裝膠體層50中包含有巧光粉。所述封裝膠體層50覆蓋所述LED忍片40,用 于保護所述L邸忍片40免受如水汽、灰塵等侵害。
【主權(quán)項】
1. 一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板及位于基板之上的LED芯片，所述LED芯 片包括P電極和N電極，還包括固定于基板的第一電極和第二電極，其特征在于：所述第一 電極和第二電極分別具有位于基板頂面之上的第一凸起和第二凸起，所述P電極與N電極 分別通過導(dǎo)電膠固定于所述第一凸起和第二凸起的頂面且P電極及N電極的底面邊緣超出 所述第一凸起及第二凸起的頂面邊緣。2. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極和第二 電極進一步包括位于基板底部的第一焊接部和第二焊接部，以及連接第一焊接部和第一凸 起的第一連接部、連接第二焊接部和第二凸起的第二連接部。3. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極和第二 電極將基板分割為相互獨立的第一基板、第二基板和第三基板，所述第二基板位于第一電 極和第二電極之間并將第一電極與第二電極間隔。4. 如權(quán)利要求2所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一凸起、第二凸 起以及第一焊接部和第二焊接部的縱截面呈矩形，所述第一焊接部、第二焊接部的縱截面 面積分別大于所述第一凸起、第二凸起的縱截面面積。5. 如權(quán)利要求2所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一連接部和第 二連接部的縱截面呈矩形。6. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板上還形成有 封裝膠體層，所述封裝膠體層包覆所述LED芯片。7. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板由絕緣材料 制成。8. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P電極和N電極 由金屬材料制成。9. 如權(quán)利要求1所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一電極和第二 電極由導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能良好的材料制成。
【專利摘要】一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板及位于基板之上的LED芯片，所述LED芯片包括P電極和N電極，還包括固定于基板的第一電極和第二電極，所述第一電極和第二電極分別具有位于基板頂面之上的第一凸起和第二凸起，所述P電極與N電極分別通過導(dǎo)電膠固定于所述第一凸起和第二凸起的頂面且P電極及N電極的底面邊緣超出所述第一凸起及第二凸起的頂面邊緣。本發(fā)明所述覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)性能穩(wěn)定，出光效率高。
【IPC分類】H01L33/62
【公開號】CN105428510
【申請?zhí)枴緾N201410445082
【發(fā)明人】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2014年9月3日
【公告號】US9147809