裝置通常包括酸槽和蓋板，以及其他結(jié)構(gòu)。上述裝置可以通過(guò)在清洗裝置中的蓋板上加裝紫外燈30以及所需的電路而成。此時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易根據(jù)現(xiàn)有清洗裝置改裝得到本申請(qǐng)?zhí)峁┑娜コ酒?0中殘留電荷的裝置，且改裝的方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)行。發(fā)明人將采用改裝清洗裝置獲得的裝置用于去除芯片40中的殘留電荷，取得了很好的效果。
[0031]同時(shí)，本申請(qǐng)還提供了一種去除芯片中殘留電荷的方法。該芯片包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的通孔，且通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成，殘留電荷位于通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。如圖2所示，該方法包括:將溶液倒入本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜鲅b置中的槽體中，并將至少一個(gè)芯片置于槽體中；將裝置中的槽蓋蓋在槽體上，并使裝置中的紫外燈變亮；進(jìn)行紫外光照射處理，以使紫外光通過(guò)溶液折射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。
[0032]上述方法通過(guò)使紫外光通過(guò)槽體中溶液折射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上，并利用紫外光能夠去除殘留電荷的原理，從而去除累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的殘留電荷，并去除傳導(dǎo)至柵極上的殘留電荷，進(jìn)而減少了由殘留電荷形成的漏電流對(duì)柵極下方的柵極氧化物的損傷，并最終提高了芯片的可靠性。
[0033]下面將更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。
[0034]首先，將溶液倒入本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜鲅b置中的槽體中，并將至少一個(gè)芯片置于槽體中。在該步驟中，將溶液倒入槽體中和將芯片置于槽體中的先后順序可以改變。即可以先將溶液倒入槽體中，然后再將芯片置于槽體中；也可以先將芯片置于槽體中，再將溶液倒入槽體中。在將芯片置于槽體的步驟中，可以將芯片沿垂直于槽體底部的方向置于槽體中。
[0035]上述溶液能夠使紫外光發(fā)生折射，并照射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)本申請(qǐng)的教導(dǎo)選擇上述溶液。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，溶液的折射率不小于1.3。更為優(yōu)選地，溶液為水或醇。其中，醇可以為乙醇或異丙醇(IPA)等。需要注意的是，上述溶液不會(huì)腐蝕芯片。
[0036]完成將溶液倒入本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜鲅b置中的槽體中，并將至少一個(gè)芯片置于槽體中的步驟之后，將裝置中的槽蓋蓋在槽體上，并使裝置中的紫外燈變亮。在該步驟中，可以在將裝置中的槽蓋蓋在槽體上之后，手動(dòng)打開(kāi)紫外燈；也可以在將裝置中的槽蓋蓋在槽體上時(shí)，自動(dòng)打開(kāi)紫外燈。
[0037]完成將裝置中的槽蓋蓋在槽體上，并使裝置中的紫外燈變亮的步驟之后，進(jìn)行紫外光照射處理，以使紫外光通過(guò)溶液折射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。該紫外光能夠通過(guò)槽體中的溶液折射到通孔中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上，從而去除累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的殘留電荷，并去除傳導(dǎo)至柵極上的殘留電荷。
[0038]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際工藝需求，選擇紫外光照射處理的工藝條件，t匕如紫外光的波長(zhǎng)、紫外光的光強(qiáng)度以及照射時(shí)間等。發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量理論和實(shí)驗(yàn)研究之后，得到了紫外光照射處理的最佳工藝條件。該最佳工藝條件中，紫外光的波長(zhǎng)為100?300nm，紫外光的光強(qiáng)度為100?2000mW/cm2，紫外光的照射時(shí)間為2?10分鐘。滿足上述工藝條件的紫外光照射處理能夠更完全地去除累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的殘留電荷，并更完全地去除傳導(dǎo)至柵極上的殘留電荷，進(jìn)而進(jìn)一步減少了由殘留電荷形成的漏電流對(duì)柵極下方的柵極氧化物的損傷，并進(jìn)一步提高了芯片的可靠性。
[0039]本申請(qǐng)還提供了一種芯片，包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的通孔，且通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而形成，其中該芯片經(jīng)本申請(qǐng)上述的方法處理而成。該芯片中累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的殘留電荷得以去除，并使得柵極上的殘留電荷得以去除，從而減少了由殘留電荷形成的漏電流對(duì)柵極下方的柵極氧化物的損傷，并提高了芯片的可靠性。
[0040]從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:提供了一種包括槽體，用于密封所述槽體的槽蓋，以及設(shè)置于槽蓋朝向槽體的一面上的至少一個(gè)紫外燈的裝置，且該裝置中的槽蓋蓋在槽體上時(shí)使紫外燈變亮。該裝置中紫外燈發(fā)出的紫外光會(huì)照射到置于槽體中的芯片上，并利用紫外光能夠去除殘留電荷的原理去除芯片中殘留電荷。該芯片包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的通孔，且通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而形成，通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上形成有殘留電荷。紫外光能夠通過(guò)槽體中溶液折射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上，從而去除累積在通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上的殘留電荷，并去除傳導(dǎo)至柵極上的殘留電荷，進(jìn)而減少了由殘留電荷形成的漏電流對(duì)柵極下方的柵極氧化物的損傷，并最終提高了芯片的可靠性。
[0041]以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種去除芯片中殘留電荷的裝置，其特征在于，所述裝置包括:槽體，用于密封所述槽體的槽蓋，以及設(shè)置于所述槽蓋朝向所述槽體的一面上的至少一個(gè)紫外燈，且所述槽蓋蓋在所述槽體上時(shí)使所述紫外燈變亮。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置包括多個(gè)所述紫外燈，各所述紫外燈沿所述槽蓋的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较蛞来卧O(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，各所述紫外燈以相同間隔距離間隔設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括與所述紫外燈電連接的觸發(fā)開(kāi)關(guān)，所述觸發(fā)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)所述紫外燈變亮。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述觸發(fā)開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述槽體或所述槽蓋上，且所述槽蓋在所述槽體上時(shí)所述觸發(fā)開(kāi)關(guān)自動(dòng)打開(kāi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括設(shè)置于所述槽體中的至少一個(gè)載體，所述載體用于盛放所述芯片。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述槽體為用于清洗通孔的清洗裝置中的酸槽，所述槽蓋為所述清洗裝置中的蓋板。8.—種去除芯片中殘留電荷的方法，所述芯片包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層中的通孔，且所述通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而形成，所述殘留電荷位于所述通孔中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上，其特征在于，所述方法包括: 將溶液倒入權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置中的槽體中，并將至少一個(gè)所述芯片置于所述槽體中； 將所述裝置中的槽蓋蓋在所述槽體上，并使所述裝置中的紫外燈變亮； 進(jìn)行紫外光照射處理，以使所述紫外光通過(guò)所述溶液折射到所述通孔中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將所述溶液倒入所述槽體的步驟中，將折射率不小于1.3的所述溶液倒入所述槽體中。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述溶液為水或醇。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將所述芯片置于所述槽體的步驟中，將所述芯片沿垂直于所述槽體底部的方向置于所述槽體中。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述紫外光照射處理的步驟中，所述紫外光的波長(zhǎng)為100?300nm，所述紫外光的光強(qiáng)度為100?2000mW/cm2，所述紫外光的照射時(shí)間為2?10分鐘。13.—種芯片，包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層中的通孔，且所述通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而形成，其特征在于，所述芯片經(jīng)權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的方法處理而成。
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)了一種去除芯片中殘留電荷的裝置和方法及芯片。其中，該裝置包括：槽體，用于密封槽體的槽蓋，以及設(shè)置于槽蓋朝向槽體的一面上的至少一個(gè)紫外燈，且槽蓋蓋在槽體上時(shí)使紫外燈變亮。該芯片包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的通孔，且通孔通過(guò)刻蝕介質(zhì)層至暴露出導(dǎo)電結(jié)構(gòu)而形成，殘留電荷位于通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。該方法包括：將溶液倒入本申請(qǐng)上述的裝置中的槽體中，并將至少一個(gè)芯片置于槽體中；將裝置中的槽蓋蓋在槽體上，并使裝置中的紫外燈變亮；進(jìn)行紫外光照射處理，以使紫外光通過(guò)溶液折射到通孔中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面上。本申請(qǐng)能夠減少芯片中殘留電荷，從而提高芯片的可靠性。
【IPC分類(lèi)】H01L21/768, H01L21/02, H01L23/528
【公開(kāi)號(hào)】CN105448656
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410443826
【發(fā)明人】胡昌杰
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2014年9月2日