+C0F+0*+C0+C02，
[0031]由此可見，F(xiàn)離子在刻蝕氣體中所占的比例會有所提升，而F離子對于腔室中顆粒的刻蝕存在決定性的作用，因此在F離子在氣體在所占比例的提升直接導(dǎo)致了刻蝕速率的增強，從而提升了刻蝕速率，但是一旦F離子所占比例過大有可能會對產(chǎn)品良率造成影響，F(xiàn)離子會與產(chǎn)品wafer表面的娃或者氧化物反應(yīng),進(jìn)而在晶圓表面形成缺陷,這是技術(shù)人員所不愿看到的，因此在提高F在氣體在所占比例以提升清洗效率后，還需要減少對產(chǎn)品良率所造成的影響，這在下文中會有詳盡描述。
[0032]步驟S2:通入惰性氣體至反應(yīng)腔室內(nèi)，在提升效果的同時還改善通入氣體在腔室內(nèi)的均勻性。公知由于惰性氣體的化學(xué)性質(zhì)較穩(wěn)定，不容易與其他氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此通入惰性氣體至反應(yīng)腔室內(nèi)可改善腔室內(nèi)氣體的均勻性，同時還避免了與之前腔室內(nèi)通入的其他氣體或其他通入氣體互相反應(yīng)生成后的氣體產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成不必要的化學(xué)物質(zhì)，進(jìn)而影響清洗效果。進(jìn)一步的，由于在步驟SI中，F(xiàn)離子在氣體中的比例得到了很大提升，但是如果F在氣體中所占比例過大的話，則會對腔室中的產(chǎn)品wafer造成不利影響，因此本發(fā)明通過通入惰性氣體來適當(dāng)降低稀釋F在氣體中所占的比例，進(jìn)而保證在增大F比例的同時不會對產(chǎn)品造成影響。同時，根據(jù)實際情況來控制通入惰性氣體的流量來控制腔室內(nèi)氣體濃度。優(yōu)選的，在此步驟中，該惰性氣體可采用He氣體，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于He氣體，在實際應(yīng)用中也可采用其他惰性氣體，在此不予贅述。
[0033]步驟S3:繼續(xù)通入第二氣體至反應(yīng)腔室內(nèi)，優(yōu)選的，該第二氣體為N2，并進(jìn)行多次充氣和抽氣的循環(huán)處理(Cycle Purge),為后續(xù)降低腔室內(nèi)氣體對wafer的影響做準(zhǔn)備。具體步驟為:
[0034]通入一定量的N2氣體，然后抽取部分腔室內(nèi)的氣體，再通入一定量的N2氣體，然后再抽取腔室內(nèi)的部分氣體，然后再通入N2……以此循環(huán)，完成Cycle Purge操作，在完成此操作后，經(jīng)過不斷的充氣和放氣過程，F(xiàn)離子在腔室內(nèi)氣體所占的比例會不斷降低，但是在經(jīng)過處理后腔室內(nèi)F離子比例還是過大，因此為了保證產(chǎn)品良率，本發(fā)明還會進(jìn)行進(jìn)一步處理，進(jìn)而最大程度地減小腔室內(nèi)氣體對產(chǎn)品wafer所造成的影響。
[0035]步驟S4:通入NxHy (氮氫)氣體，優(yōu)選的為N2H2氣體，通過H和F的反應(yīng)(H2+2F — 2HF)，進(jìn)而可進(jìn)一步降低F離子在腔室內(nèi)氣體所占的比例，從而減小F與產(chǎn)品wafer表面的娃或氧化物反應(yīng)從而對wafer造成的影響,提升產(chǎn)品良率。
[0036]綜上所述，由于本發(fā)明采用了以上技術(shù)方案，在通入含F(xiàn)的刻蝕氣體對機臺進(jìn)行清洗的同時，還通入了含O3的等離子體，通過通入具有強氧化性的含O3等離子可提升F在腔室內(nèi)氣體所占的比重，來提升刻蝕速率進(jìn)而提升清洗速率，最后再通入N2H2氣體來降低腔室內(nèi)F在刻蝕氣體中所占的比例，以減小氣體中的F對產(chǎn)品所造成的影響，有利于提升產(chǎn)品晶圓良率。本發(fā)明在提高清洗效率的同時提高了產(chǎn)品良率，制程變動較小，實現(xiàn)成本較低，并最終提高了經(jīng)濟效益。
[0037]以上對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一機臺，所述機臺包括有一腔室； 在所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入第一氣體的同時，通入含氧等離子體； 通入惰性氣體，以提升腔室內(nèi)氣體均勻性； 通入第二氣體，并進(jìn)行多次充氣和抽氣的循環(huán)處理； 通入NxHy氣體。2.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述機臺為CVD機臺。3.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述第一氣體為含F(xiàn)元素的刻蝕氣體。4.如權(quán)利要求3所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述含F(xiàn)元素的刻蝕氣體為CF4或NF3。5.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述含氧等離子體為含O3的等離子體。6.如權(quán)利要求5所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述含O3的等離子體為O3等離子體或O3和O2混合的等離子體。7.如權(quán)利要求6所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，采用如下方法通入所述含O3等離子體: 在腔室外生成含O3的等離子體，然后將所述含O3的等離子體通入所述腔室；或 將含O3的氣體直接通入腔室，并進(jìn)行等離子處理，以在腔室內(nèi)生成含O3的等離子體。8.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述惰性氣體為He氣體。9.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述第二氣體為N2。10.如權(quán)利要求1所述的提高機臺清洗效率的方法，其特征在于，所述NxHy氣體為N2H2氣體。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種提高機臺清洗效率的方法，包括以下步驟：提供一機臺，所述機臺包括有一腔室；在所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入第一氣體的同時，通入含O等離子體；通入惰性氣體，以提升腔室內(nèi)氣體均勻性；通入第二氣體，并進(jìn)行多次充氣和抽氣的循環(huán)處理；通入NxHy氣體。本發(fā)明在提升清洗效率的同時還提高了晶圓的良率，同時制程變動較小，實現(xiàn)成本較低，提高了經(jīng)濟效益。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/02
【公開號】CN105448659
【申請?zhí)枴緾N201410499431
【發(fā)明人】陳林, 李廣寧
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2014年9月25日