用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為"在其他器 件或構(gòu)造上方"或"在其他器件或構(gòu)造之上"的器件之后將被定位為"在其他器件或構(gòu)造下 方"或"在其他器件或構(gòu)造之下"。因而，示例性術(shù)語"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方 位），并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。
[0033] 正如【背景技術(shù)】部分所介紹的，目前半導(dǎo)體制備過程中摻雜形成柵極和源漏極時(shí)， 容易出現(xiàn)源漏極導(dǎo)通所導(dǎo)致的隧穿效應(yīng)。為了解決這一問題，本申請(qǐng)申請(qǐng)人提供了一種摻 雜柵極和源漏極的方法，如圖1所示，其包括以下步驟：提供形成有預(yù)備柵極20"的襯底10 ; 快速熱退火處理所述形成有預(yù)備柵極20"的襯底10 ;在襯底10表面上，形成環(huán)繞預(yù)備柵極 20"設(shè)置的抗反射層30 ;對(duì)預(yù)備柵極20"進(jìn)行第一次離子注入，形成過渡柵極20';去除抗反 射層30,并對(duì)過渡柵極20'和過渡柵極20'兩側(cè)的襯底10進(jìn)行第二次離子注入，以形成柵 極20和位于所述柵極兩側(cè)的源極110和漏極120 ;其中，抗反射層30為固體抗反射層30。 本申請(qǐng)上述的"預(yù)備柵極"指的是位于半導(dǎo)體襯底10上未進(jìn)行摻雜前的待摻雜柵極。
[0034] 本申請(qǐng)上述的方法中，在環(huán)繞預(yù)備柵極20"的襯底10上方形成抗反射層30,有利 于在第一次離子注入過程中，利用該抗反射層30阻止離子進(jìn)入預(yù)備柵極20"兩側(cè)的襯底10 中，而僅進(jìn)入預(yù)備柵極20"中形成過渡柵極20'。待第一次離子注入結(jié)束后，將抗反射層30 去除，能夠在第二次離子注入過程中使離子同時(shí)進(jìn)入過渡柵極20'和其兩側(cè)的襯底10中， 形成柵極20、源極110和漏極120。上述過程中，兩次離子注入時(shí)均對(duì)預(yù)備柵極20"進(jìn)行了 摻雜，而僅在第二次離子注入時(shí)進(jìn)行了源漏極的摻雜，使得柵極20中的離子摻雜濃度大于 源漏極的摻雜濃度。
[0035] 同時(shí)，本申請(qǐng)上述摻雜柵極和源漏極的方法中將快速熱退火處理的步驟設(shè)定在進(jìn) 行第一次離子注入之前進(jìn)行，此時(shí)，快速熱退火處理的執(zhí)行能夠提高預(yù)備柵極20"中的多晶 硅晶粒的完整性和密度。晶粒的完整性和密度越高，晶粒之間的縫隙越小，這就有利于避免 后期離子注入時(shí)所注入的離子穿過預(yù)備柵極20"進(jìn)入襯底10,進(jìn)而有利于避免因后期源漏 極的導(dǎo)通形成的隧穿效應(yīng)。更值得注意的是，在快速熱退火處理的步驟之后執(zhí)行第一次離 子注入的步驟，還有利于防止在快速熱退火的過程中由于摻雜離子的促進(jìn)作用所導(dǎo)致的多 晶硅晶粒長(zhǎng)大的問題。較小的晶粒之間的縫隙相對(duì)較小，這就有利于避免二次離子注入時(shí) 所注入離子易穿過預(yù)備柵極20"進(jìn)入襯底10。從而進(jìn)一步降低因源漏極導(dǎo)通所形成的隧穿 效應(yīng)。
[0036] 此外，上述方法中所形成的抗反射層30為固態(tài)抗反射層。相比于流動(dòng)態(tài)抗反射層 而言，固態(tài)抗反射層中晶?；蚍肿娱g距離較小，且晶?；蚍肿娱g的作用力較強(qiáng)，這就使得抗 反射層30能夠承受更強(qiáng)的離子撞擊。在此基礎(chǔ)上，在第一次離子注入的過程中，能夠進(jìn)一 步防止離子穿過抗反射層30進(jìn)入襯底10之中。同時(shí)還能夠使更多的離子被摻雜至預(yù)備柵 極20"中，更有利于靈活調(diào)節(jié)最終柵極和源漏極中離子摻雜濃度之間的差異。
[0037] 下面將更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式 可以由多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng) 理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí) 施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在附圖中，為了清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域 的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的器件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0038] 首先，提供如圖2所示的形成有預(yù)備柵極20"的襯底10。其中，預(yù)備柵極20"和 襯底10的材料可以為單晶硅、絕緣體上硅（SOI)或鍺硅（SiGe)等。作為示例，在本實(shí)施例 中，襯底10選用P型的單晶硅材料構(gòu)成。此外，在實(shí)際操作中，可以在預(yù)備柵極20"和襯底 10之間還設(shè)置有一層?xùn)艠O介質(zhì)層以隔離預(yù)備柵極20"和襯底10。該柵極介質(zhì)層如圖2中 標(biāo)號(hào)40所示，該柵極介質(zhì)層40可以為氧化物層，優(yōu)選為氧化硅層。
[0039] 在實(shí)際操作中，優(yōu)選在上述預(yù)備柵極20"的側(cè)壁上形成側(cè)壁層210,形成如圖3所 示的基體結(jié)構(gòu)。該側(cè)壁層210可以在后續(xù)步驟形成及去除抗反射層30的步驟中對(duì)預(yù)備柵 極20"進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)，還能夠用于定義所欲形成的源漏極的位置。而且該側(cè)壁層210有利 于在后期工作中防止漏電流的產(chǎn)生。在一種優(yōu)選實(shí)施方式中，該側(cè)壁層210包括第一側(cè)壁 層201和第二側(cè)壁層202。側(cè)壁層設(shè)定采用本領(lǐng)域技術(shù)人員的慣常手段即可。而第一側(cè)壁 層201和第二側(cè)壁層202的材料采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用的側(cè)壁層材料即可。作為示例， 在本實(shí)施例中，第一側(cè)壁層201的材料為氧化硅，第二側(cè)壁層202的材料為氮化硅。
[0040] 在提供形成有預(yù)備柵極20"的襯底10的步驟后（優(yōu)選在上述預(yù)備柵極20"的側(cè) 壁上形成側(cè)壁層210后），在襯底10的表面上，形成環(huán)繞預(yù)備柵極20"設(shè)置的抗反射層30， 形成如圖4所示的基體結(jié)構(gòu)（該圖以形成有側(cè)壁層210的結(jié)構(gòu)為例，下同）。在一種優(yōu)選 實(shí)施方式中，在襯底10的表面上，形成環(huán)繞預(yù)備柵極20"設(shè)置的抗反射層30的步驟包括： 在襯底10上形成覆蓋預(yù)備柵極20"的預(yù)備抗反射層30'，進(jìn)而形成如圖4-1所示的基體結(jié) 構(gòu)；去除位于預(yù)備柵極20"上方的預(yù)備抗反射層30'，形成抗反射層30。其中優(yōu)選在去除位 于所述預(yù)備柵極20"上方的預(yù)備抗反射層30'的步驟中，平坦化處理以形成如圖4中所示 的上表面與所述預(yù)備柵極20"的上表面平齊的所述抗反射層30。通過將預(yù)備抗反射層30' 平坦化處理至上表面與預(yù)備柵極20"的上表面平齊，有利于在第一次離子注入時(shí)減少調(diào)節(jié) 注入程序的次數(shù)，簡(jiǎn)化操作流程。
[0041] 上述形成抗反射層的步驟中，制備預(yù)備抗反射層30'的方法可以是本領(lǐng)域技術(shù)人 員慣用的方法，采用的抗反射層30材料只要能夠阻擋所注入的離子進(jìn)入襯底10,并且能夠 在后期被去除即可。在一種更優(yōu)選的實(shí)施方式中，采用不同于側(cè)壁層210的材料形成預(yù)備 抗反射層30'（抗反射層30)。這能夠避免在后期去除抗反射層30時(shí)對(duì)側(cè)壁層210造成傷 害。更優(yōu)選上述預(yù)備抗反射層30'（抗反射層30)為通過化學(xué)氣相沉積法形成的氧化物層、 氮氧化物層或石墨層。氧化物層、氮化物層和石墨層均具有較完整的晶體結(jié)構(gòu)，晶粒之間的 距離較近，在離子注入時(shí)，有利于阻止更高能量的離子進(jìn)入襯底10中。優(yōu)選氧化物層為二 氧化硅層，氮氧化物層為氮氧化硅層。以二氧化硅或氮氧化硅作為抗反射層30的材料，有 利于在阻礙離子進(jìn)入襯底10的同時(shí)，避免向半導(dǎo)體中引入其他雜質(zhì)，從而影響半導(dǎo)體的使 用性能。
[0042] 上述形成預(yù)備抗反射層30'的步驟中，預(yù)備抗反射層30'的厚度可以根據(jù)預(yù)備柵 極20"及過渡柵極20'中的摻雜量進(jìn)行調(diào)整，優(yōu)選將其設(shè)定為2000~5000A。該厚度下的預(yù) 備抗反射層30'有利于阻止第一次離子注入過程中噴向預(yù)備柵極20"兩側(cè)的離子進(jìn)入襯底 10之中，同時(shí)使預(yù)備抗反射層30的平坦化處理時(shí)間縮短，從而提高摻雜效率。
[0043] 在襯底10的表面上，形成環(huán)繞預(yù)備柵極20"設(shè)置的抗反射層30的步驟后，如圖5 所示，對(duì)如圖4所示的基體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一次離子注入，其中預(yù)備柵極20"進(jìn)行第一次離子注 入，形成過渡柵極20'，進(jìn)