施例中，所述襯底200為硅襯底，采用濕法腐蝕后，形成了類(lèi)似六邊形的開(kāi)口的溝槽220。
[0039]在本實(shí)施例中，選擇特定型號(hào)產(chǎn)品的晶片為采樣襯底，并測(cè)量其在源漏溝槽形成后的質(zhì)量，該襯底上已形成有柵極結(jié)構(gòu)和源漏溝槽；而后，通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)該襯底的源漏溝槽的形貌和深度進(jìn)行分析，如在SEM下的溝槽形狀以及溝槽的深度是否符合要求，對(duì)于符合要求的襯底，確定其質(zhì)量為質(zhì)量目標(biāo)值。
[0040]接著，測(cè)量該類(lèi)型產(chǎn)品的其他多批次晶圓在形成源漏溝槽后的質(zhì)量，這樣，得到源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量變化數(shù)據(jù)，根據(jù)這些質(zhì)量數(shù)據(jù)，確定質(zhì)量容差范圍(spec)。
[0041]也可以獲得多個(gè)晶片的質(zhì)量后，根據(jù)其他的算法來(lái)獲得晶片的質(zhì)量目標(biāo)值和質(zhì)量容差范圍。
[0042]而后，提供襯底，在襯底上形成源漏溝槽。
[0043]在該步驟中，即對(duì)上述特定型號(hào)產(chǎn)品的量產(chǎn)的晶片進(jìn)行監(jiān)測(cè)。同上步驟中采樣襯底的質(zhì)量的確定，在量產(chǎn)的晶片上形成源漏溝槽。
[0044]接著，獲得源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量。
[0045]以上襯底質(zhì)量的獲得，可以通過(guò)高精度的質(zhì)量量測(cè)設(shè)備獲得。
[0046]最后，判斷該質(zhì)量是否在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。
[0047]如果量產(chǎn)晶片質(zhì)量在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)，可以認(rèn)為源漏溝槽達(dá)到工藝要求，反之，可以認(rèn)為源漏溝槽沒(méi)有達(dá)到工藝要求，當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)沒(méi)有達(dá)到工藝要求的晶圓時(shí)，可以進(jìn)一步進(jìn)行分析，并對(duì)工藝條件進(jìn)行調(diào)整。
[0048]實(shí)施例二
[0049]以下將結(jié)合圖5詳細(xì)描述以源漏溝槽形成前、后質(zhì)量差為目標(biāo)進(jìn)行監(jiān)測(cè)的實(shí)施例。
[0050]首先，提供源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量差目標(biāo)值以及其容差范圍。
[0051]在通常的源漏應(yīng)力工程的器件制造工藝中，首先，在襯底300上形成柵極結(jié)構(gòu)310，如圖6所示；而后，進(jìn)行源漏溝槽320的刻蝕，如圖7所示。
[0052]同實(shí)施例一，柵極結(jié)構(gòu)可以為高k/金屬柵結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，在選擇特定型號(hào)的晶片為采樣晶片后，首先獲得在進(jìn)行源漏刻蝕之前，即形成柵極結(jié)構(gòu)之后的晶片的第一質(zhì)量；而后，進(jìn)行源漏溝槽的刻蝕，形成源漏溝槽后，獲得晶片的第二質(zhì)量，并通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)該晶圓的源漏形貌和深度進(jìn)行分析，如在SEM下的溝槽形狀以及溝槽的深度是否符合要求，對(duì)于符合要求的襯底，確定其質(zhì)量為質(zhì)量差目標(biāo)值。
[0053]接著，測(cè)量該類(lèi)型產(chǎn)品的其他多批次晶片在源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量，這樣，得到源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量差變化數(shù)據(jù)，根據(jù)這些質(zhì)量差的數(shù)據(jù)，確定質(zhì)量差容差范圍(spec)。
[0054]也可以在獲得多個(gè)晶片的質(zhì)量后，根據(jù)其他的算法來(lái)獲得晶片的質(zhì)量差目標(biāo)值和質(zhì)量差容差范圍。
[0055]而后，進(jìn)行該型號(hào)的量產(chǎn)晶片的源漏溝槽工藝的監(jiān)測(cè)。
[0056]首先，提供源漏溝槽形成前的襯底，獲得該襯底的第一質(zhì)量。
[0057]對(duì)于該類(lèi)型的量產(chǎn)晶片，先獲得源漏溝槽形成前的襯底的第一質(zhì)量，本實(shí)施例中，即在形成柵極結(jié)構(gòu)310之后，進(jìn)行源漏溝槽刻蝕之前，該襯底的質(zhì)量，參考圖6所示。
[0058]接著，提供源漏溝槽形成后的襯底，獲得該襯底的第二質(zhì)量。
[0059]在本實(shí)施例中，即在源漏溝槽320形成之后，下一工藝制程開(kāi)始之前，參考圖7所示，該襯底的質(zhì)量。
[0060]最后，判斷第二質(zhì)量與第一質(zhì)量的質(zhì)量差是否在質(zhì)量差目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。
[0061]如果量產(chǎn)晶片質(zhì)量在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)，可以認(rèn)為源漏溝槽達(dá)到工藝要求，反之，可以認(rèn)為源漏溝槽沒(méi)有達(dá)到工藝要求，當(dāng)連續(xù)出現(xiàn)沒(méi)有達(dá)到工藝要求的晶圓時(shí)，可以進(jìn)一步進(jìn)行分析，并對(duì)工藝條件進(jìn)行調(diào)整。
[0062]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種源漏溝槽工藝的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括: 提供源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量目標(biāo)值以及其容差范圍； 提供襯底，在襯底上形成源漏溝槽； 獲得源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量； 判斷該質(zhì)量是否在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，提供質(zhì)量目標(biāo)值的步驟具體為:測(cè)量特定產(chǎn)品的襯底在源漏溝槽形成后的質(zhì)量，通過(guò)掃描電子顯微鏡分析該襯底的源漏溝槽的形貌和深度，確定該襯底的質(zhì)量為質(zhì)量目標(biāo)值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，提供質(zhì)量容差值的步驟具體為:測(cè)量該特定產(chǎn)品的其他多批次襯底在源漏形成后的質(zhì)量，得到源漏溝槽形成后的質(zhì)量變化數(shù)據(jù)，以確定容差范圍。4.一種源漏溝槽工藝的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括: 提供源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量差目標(biāo)值以及其容差范圍； 提供源漏溝槽形成前的襯底，獲得該襯底的第一質(zhì)量； 提供源漏溝槽形成后的襯底，獲得該襯底的第二質(zhì)量； 判斷第二質(zhì)量與第一質(zhì)量的質(zhì)量差是否在質(zhì)量差目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，提供質(zhì)量差目標(biāo)值的步驟具體為:測(cè)量特定產(chǎn)品的襯底在源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量，通過(guò)掃描電子顯微鏡分析該襯底的源漏溝槽的形貌和深度，確定該襯底源漏溝槽形成前、后質(zhì)量差為質(zhì)量差目標(biāo)值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，提供質(zhì)量差容差值的步驟具體為:測(cè)量該特定產(chǎn)品的其他多批次襯底在源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量，得到源漏溝槽形成前、后的質(zhì)量差變化數(shù)據(jù)，以確定容差范圍。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種源漏溝槽工藝的監(jiān)測(cè)方法，包括：提供源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量目標(biāo)值以及其容差范圍；提供襯底，在襯底上形成源漏溝槽；獲得源漏溝槽形成后的襯底的質(zhì)量；判斷該質(zhì)量是否在質(zhì)量目標(biāo)值的容差范圍內(nèi)。該方法直觀、快速并對(duì)晶圓沒(méi)有損傷，也無(wú)需特定的測(cè)試結(jié)構(gòu)，適用于量產(chǎn)時(shí)對(duì)源漏溝槽制程的有效監(jiān)測(cè)。
【IPC分類(lèi)】H01L21/66
【公開(kāi)號(hào)】CN105448759
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410409943
【發(fā)明人】楊濤, 王桂磊, 李俊峰, 崔虎山, 盧一泓, 趙超
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
【公開(kāi)日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2014年8月19日