薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明是有關(guān)于薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)結(jié)構(gòu)及制造方法，且特別是適用于低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon(LTPS))制程的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具有增加的儲(chǔ)存電容器(Cst)。
【背景技術(shù)】
[0002]在低溫多晶娃制程的薄膜晶體管液晶顯示器(Liquid Crystal Display(LCD))中，儲(chǔ)存電容器主要是由共同電極(Com)和像素電極(Pixel)所構(gòu)成。共同電極和像素電極一般是由透明的氧化銦錫Indium Tin Oxide(ΙΤ0)所制成。伴隨著高像素的產(chǎn)品的開發(fā)，像素電極的充電時(shí)間愈來愈短，而其尺寸也愈來愈小，導(dǎo)至儲(chǔ)存電容器充電不足，進(jìn)而影響畫面質(zhì)量。
[0003]參考圖1，為一習(xí)用依低溫多晶硅制程的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)100，包括有一玻璃基層(glass layer) 102、一緩沖層(buffer layer) 104、一有源層106由半導(dǎo)體材料所制成、一柵極絶緣(gate insulat1n)層108、一柵極(gate)層110、一內(nèi)部介電層(ILD) 112、一源/漏極(SD)層114、一有機(jī)材料(organic)層116、一共同電極(COM)層118、一鈍化(pas si vat 1n(PV))層120和一像素電極(pixel)層122。其中，該共同電極層118和像素電極層122皆是由透明的氧化銦錫所制成。一儲(chǔ)存電容器Cst是由該共同電極層118和像素電極層122所構(gòu)成。如此的單一儲(chǔ)存電容器構(gòu)造無法符合高解析屏幕日益增加像素?cái)?shù)量的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是一適用于低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon(LTPS))制程的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其具有二個(gè)儲(chǔ)存電容器。依據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括有一玻璃基層，一有源層位在該玻璃基層的上方，一柵極層位該有源層的上方，包括有一柵極位在該有源層的正上方和一獨(dú)立電極，一源/漏極層位在該柵極層的上方，具有一源極和該有源層相連接，一漏極和該有源層相連接，和第一導(dǎo)電材料和該獨(dú)立電極相連接，該漏極有一橫向延伸部位在該獨(dú)立電極的上方;一共同電極位在該源/漏極層的上方，具有一第二導(dǎo)電材料和該第一導(dǎo)電材料相連接;及一像素電極層位在該源/漏極層的上方，具有一像素電極和該漏極相連接，該像素電極和該共同電極構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容器，該漏極橫向延伸部和該獨(dú)立電極構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容器。
[0005]系據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步教導(dǎo)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括有一緩沖層位于該玻璃基層和該有源層之間。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的另一教導(dǎo)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括有一柵極絶緣層位在該緩沖層之上并包覆該有源層在其中。
[0007]再者，依本發(fā)明的教導(dǎo)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括有一內(nèi)部介電層位在該柵極絶緣層之上并包覆該柵極和獨(dú)立電極在其中，該源極和該漏極系向下延伸穿過該內(nèi)部介電層和該柵極絶緣層來和該有源層相連接。
[0008]同時(shí)，依據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之該柵極系位在該源極和漏極之間。
[0009]進(jìn)一步地，依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括有一有機(jī)材料層位在該內(nèi)部介電層上方并包覆該源極、漏極橫向延伸部和該第一導(dǎo)電材料在其中，該共同電極層系形成在該有機(jī)材料層上，該第二導(dǎo)電材料系向下延伸穿過該有機(jī)材料層來和該第一導(dǎo)電材料相連接。
[0010]最后，依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括有一鈍化層位在該共同電極層的上方并覆蓋該共同電極層在其中，該像素電極層系住在該鈍化層之上，該像素電極系向下延伸穿過該鈍化層來和該漏極相連接。
【附圖說明】
[0011]本發(fā)明在此藉由僅為范例的方式，參照附圖來被說明，其中:
[0012]圖1系一剖面圖，其顯示一依據(jù)習(xí)用技術(shù)所制成的低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；
[0013]圖2系一剖面圖，其顯示一依據(jù)本發(fā)明所制成的低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；
[0014]圖3系一剖面圖，其顯示一制造本發(fā)明之低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之第一?五步驟；
[0015]圖4系一剖面圖，其顯示一制造本發(fā)明之低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之第六?七步驟；
[0016]圖5系一剖面圖，其顯示一制造本發(fā)明之低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之第八步驟；
[0017]圖6系一剖面圖，其顯示一制造本發(fā)明之低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之第九步驟；及
[0018]圖7系一剖面圖，其顯示一制造本發(fā)明之低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之第十步驟。
[0019]較佳實(shí)施例說明
[0020]本發(fā)明系一低溫多晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其可用在液晶顯示器上，每個(gè)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)具有二個(gè)儲(chǔ)存電容器。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的原理、操作和制造系可藉由參考附圖和其伴隨的說明而被較佳地了解。
[0022]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0023]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0024]現(xiàn)在請(qǐng)參考附圖，圖2顯示依據(jù)本發(fā)明所構(gòu)建的薄膜晶體管200，其在沿由下往上的方向具有:一玻璃基層202、一緩沖層204、一有源層206、一柵極絶緣層208、一柵極層210、一內(nèi)部介電層212、一源/漏極層214、一有機(jī)材料層216、一共同電極層218、一鈍化層220和一像素電極層222。在此可了解的是該玻璃基層202可具有一大型尺寸以在其上形成多個(gè)薄膜晶體管200以形成一薄膜晶體管數(shù)組。
[0025]依據(jù)本發(fā)明，該有源層206為由半導(dǎo)體材料所制成。該柵極層210具有一柵極2102及一獨(dú)立電極2104和該柵極2102為電氣隔離。該源/漏極層214具有一源極2142和一漏極2144和該有源層206電氣連接，其中，該漏極2144系有一延伸部2146平行延伸至該獨(dú)立電極2104的上方，并和該獨(dú)立電極2104間以內(nèi)部介電層212來間隔相距。該柵極2102系位在該源極2142和該漏極2144之間。該內(nèi)部介電層212中介定有一第一通孔2122位在該漏極延伸部2146的一側(cè)并和該獨(dú)立電極2104相通。該第一通孔2122中填充有用于形成該源/漏極2142、2144的第一導(dǎo)電材料2124。該有機(jī)材料層216中形成有一第二通孔2162和該第一通孔2122相通。該第二通孔2162中填充有形成該共同電極層218的一第二導(dǎo)電材料2164，該第二導(dǎo)電材料2164和該共同電極層218為一體形成。藉此該共同電極層218系通過該第二及第一導(dǎo)電材料2164、2124來和該獨(dú)立電極2104電氣連接。該像素電極層222系有一向下延伸部2222穿過該鈍化層220之在共同電極層218和有機(jī)材料層216中的區(qū)間2202來和該漏極2144電氣連接。依據(jù)本發(fā)明，一第一儲(chǔ)存電容器Cstl系形成介于該像素電極層222和該共同電極層218之間，而一第二儲(chǔ)能電容器Cst2系形成介于該漏極延伸部2146和該獨(dú)立電極2104之間。
[0026]本發(fā)明亦提供一制造本發(fā)明之薄膜晶體管200的方法，其步驟如下:
[0027]1.參考圖3，首先提供一基層202，較佳地為(但不限于)玻璃所制成，變化地，該基層202亦可由例如是透明塑料板所制成；
[0028]2.在該玻璃基層202上以沉積的方