顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)EL(Electro Luminescence，電致發(fā)光)顯示裝置等顯示裝置中，有時(shí)控制包含有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，OLED)等自發(fā)光元件的像素來(lái)顯示圖像。以往，形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)層中的空穴傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)或者空穴注入層(Hole Inject1n Layer，HIL)對(duì)于多個(gè)像素設(shè)置成共用。
[0003]日本特開2012-155953號(hào)公報(bào)中記載了如下EL顯示裝置，具有包圍正極電極的周圍且與有機(jī)層電連接的金屬布線，金屬布線的電位比正極電極的電位低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因?yàn)榭昭▊鬏攲踊蛘呖昭ㄗ⑷雽訉?duì)于多個(gè)像素設(shè)置成共用，所以即使意圖使特定像素發(fā)光而使電流流動(dòng)，也有時(shí)沿空穴傳輸層或者空穴注入層等而產(chǎn)生泄漏電流。有時(shí)泄漏電流到達(dá)相鄰像素，招致相鄰像素的非意圖的發(fā)光。
[0005]于是，本發(fā)明的目的在于提供防止了像素的非意圖的發(fā)光的顯示裝置。
[0006]本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，具有:多個(gè)像素電極，其在絕緣表面上彼此分離地設(shè)置；多個(gè)第一層，其在所述多個(gè)像素電極上分別彼此分離地設(shè)置，包含多個(gè)第一載流子傳輸層或者多個(gè)第一載流子注入層；發(fā)光層，其設(shè)置于所述多個(gè)第一層上；以及第二層，其設(shè)置于所述發(fā)光層上，包含第二載流子傳輸層或者第二載流子注入層；以及對(duì)置電極，其設(shè)置于所述第二層上。
[0007]本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，具有:多個(gè)像素電極，其在絕緣表面上彼此分離地設(shè)置；第一層，其遍及所述多個(gè)像素電極上地連續(xù)設(shè)置，包含第一載流子傳輸層或者第一載流子注入層；發(fā)光層，其設(shè)置于所述第一層上；第二層，其設(shè)置于所述發(fā)光層上，包含第二載流子傳輸層或者第二載流子注入層；以及對(duì)置電極，其設(shè)置于所述第二層上，所述第一層具有俯視觀察時(shí)設(shè)置于所述多個(gè)像素電極的相鄰的2個(gè)像素電極之間的中間部分，所述中間部分的載流子迀移率比所述第一層中設(shè)置于所述像素電極上的部分的載流子迀移率低。
[0008]本發(fā)明的顯示裝置的制造方法中，在絕緣表面上形成像素電極層，在所述像素電極層上形成作為第一載流子傳輸層或者第一載流子注入層中的至少一方的公共層，使所述像素電極層和所述公共層形成圖案，形成彼此分離地設(shè)置的多個(gè)像素電極和在所述多個(gè)像素電極上分別彼此分離地設(shè)置、作為多個(gè)所述第一載流子傳輸層或者多個(gè)所述第一載流子注入層中的至少一方的多個(gè)第一層，在所述第一層上形成發(fā)光層，在所述發(fā)光層上形成作為第二載流子傳輸層或者第二載流子注入層中的至少一方的第二層，在所述第二層上形成對(duì)置電極層。
[0009]本發(fā)明的顯示裝置的制造方法在絕緣表面上形成像素電極層，使所述像素電極層形成圖案，形成彼此分離地設(shè)置的多個(gè)像素電極，遍及所述多個(gè)像素電極上地形成作為第一載流子傳輸層或者第一載流子注入層中的至少一方的第一層，對(duì)覆蓋所述第一層中的所述多個(gè)像素電極的部分或者覆蓋所述第一層中的所述絕緣表面的部分照射粒子線或者光線，在所述第一層上形成發(fā)光層，在所述發(fā)光層上形成作為第二載流子傳輸層或者第二載流子注入層中的至少一方的第二層，在所述第二層上形成對(duì)置電極層。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的立體圖。
[0011]圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置的布線圖。
[0012]圖3是第一實(shí)施方式的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0013]圖4是第一變形例的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0014]圖5是第二變形例的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0015]圖6是第三變形例的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0016]圖7是第二實(shí)施方式的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0017]圖8是第三實(shí)施方式的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0018]圖9是第四實(shí)施方式的有機(jī)EL面板的像素的剖視圖。
[0019]圖10是本實(shí)施方式的有機(jī)EL面板制作工序的流程圖。
[0020]圖11是示出下部構(gòu)造形成工序的第一例的像素電極層和公共層的圖。
[0021]圖12是示出下部構(gòu)造形成工序的第一例的像素電極和空穴傳輸層的圖。
[0022]圖13是示出下部構(gòu)造形成工序的第二例的像素電極和公共層的圖。
[0023]圖14是示出下部構(gòu)造形成工序的第二例的像素電極和空穴傳輸層的圖。
[0024]圖15是示出下部構(gòu)造形成工序的第三例的粒子線的照射的圖。
[0025]圖16是示出下部構(gòu)造形成工序的第四例的粒子線的照射的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下，對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。此外，公開內(nèi)容只不過(guò)是一例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言關(guān)于保持發(fā)明的主旨的適當(dāng)變更而容易想到的技術(shù)當(dāng)然也包含于本發(fā)明的范圍。另外，附圖為了使說(shuō)明更加明確，有時(shí)與實(shí)際的情況相比，對(duì)于各部分的寬度、厚度、形狀等示意性示出，只不過(guò)是一例，不限定本發(fā)明的解釋。
[0027]另外，在本說(shuō)明書與各圖中，對(duì)于已經(jīng)出現(xiàn)的圖中與前述的內(nèi)容同樣的要素，有時(shí)附上相同的符號(hào)，并適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0028]圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置1的立體圖。有機(jī)EL顯示裝置1由以由上框2和下框3夾住的方式固定的有機(jī)EL面板10構(gòu)成。
[0029]圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置1的布線圖。有機(jī)EL面板10，通過(guò)由影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路12和掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路13控制呈矩陣狀設(shè)置在顯示區(qū)域11的各像素，而顯示圖像。此處，影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路12是生成并發(fā)送向各像素輸送的影像信號(hào)的IC(Integrated Circuit:集成電路)。另外，掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路13是生成并發(fā)送向設(shè)置在像素的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的掃描信號(hào)的1C。此外，在附圖中，影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路12和掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路13圖示成形成為2處，但也可以組裝于一個(gè)1C，還可以形成為分成3處以上。
[0030]傳遞來(lái)自掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路13的信號(hào)的掃描線15電連接于在各像素區(qū)域形成的像素晶體管的柵極。掃描線15對(duì)于排列成1行的像素晶體管是共用的。像素晶體管是其源極或者漏極電連接于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管是源極電連接于有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極的晶體管。有機(jī)發(fā)光二極管的陰極固定于接地電位。另外，傳遞來(lái)自影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路12的信號(hào)的影像信號(hào)線14電連接于像素晶體管的源極或者漏極。影像信號(hào)線14對(duì)于排成1列的像素晶體管是共用的。在對(duì)掃描線15施加掃描信號(hào)時(shí)，像素晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)。若在該狀態(tài)下對(duì)影像信號(hào)線14施加影像信號(hào)，則會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加影像信號(hào)，驅(qū)動(dòng)晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)。在驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接有電源線16。對(duì)電源線16施加用于使有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光的電源電壓。若驅(qū)動(dòng)晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)，則與影像信號(hào)的大小相應(yīng)的電流向有機(jī)發(fā)光二極管流動(dòng)，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
[0031][第一實(shí)施方式]
[0032]圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)EL面板10的像素的剖視圖。圖3是示出圖2的II1-1II剖面的圖。在有機(jī)EL面板10的最下層配置有基板20?；?0由玻璃或者人工樹脂等形成。
[0033]在基板20上形成由3丨隊(duì)3丨02等形成的基底膜21。在基底膜21上，形成將驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電極30和源極電極33電連接的溝道層32。溝道層32由多晶硅形成。此外，溝道層32也可以由非晶質(zhì)硅等形成。在基底膜21和溝道層32上，由SiN、5102等形成第一絕緣膜22。在第一絕緣膜22上，由金屬材料形成驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極31。在第一絕緣膜22和柵極電極31上，由SiN、Si02等形成第二絕緣膜23。在第二絕緣膜23和第一絕緣膜22中設(shè)置有達(dá)到溝道層32的通孔，由金屬材料形成驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電極30和源極電極33。在漏極電極30、源極電極33以及第二絕緣膜23上，由3丨隊(duì)5丨02等形成層間絕緣膜24。在層間絕緣膜24上，由金屬材料形成布線34。布線34是電源線16或者影像信號(hào)線14等。