處理載體的方法、操作處理腔的方法和處理晶圓的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]多個(gè)實(shí)施例一般地涉及處理載體的方法、操作等離子體處理腔的方法和處理半導(dǎo)體晶圓的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，如用于制造集成電路的半導(dǎo)體處理可以包括各種技術(shù)中的多種處理，通常包括分層、圖案化、摻雜和/或退火。用于在半導(dǎo)體處理期間從載體去除材料的處理可包括干法蝕刻，例如等離子體蝕刻、離子束研磨或反應(yīng)離子蝕刻(RIE) ο等離子體處理，例如反應(yīng)離子蝕刻，可在處理腔(如離子處理腔)內(nèi)執(zhí)行?？捎傻入x子體形成氣體(如氣態(tài)蝕刻劑或反應(yīng)氣體)通過(guò)電感耦合等離子體(ICP)源或通過(guò)電容耦合等離子體(CCP)源提供等離子體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，處理載體的方法可包括:在處理腔中通過(guò)蝕刻劑執(zhí)行干法蝕刻處理以從載體去除第一材料；處理腔包括暴露的內(nèi)表面，其包括鋁且蝕刻劑包括鹵素；以及隨后，在處理腔內(nèi)執(zhí)行氫等離子體處理以從載體或處理腔的內(nèi)表面中的至少一個(gè)去除第二材料。
【附圖說(shuō)明】
[0004]在附圖中，不同視圖中的相同參考標(biāo)記一般指代相同部件。附圖不一定按比例繪制，而通常為說(shuō)明本發(fā)明的原理而加以強(qiáng)調(diào)。在下文描述中，本發(fā)明的各種實(shí)施例參考附圖而被描述，其中:
[0005]圖1示出用于蝕刻鈦層和在蝕刻后去除抗蝕劑掩模的通常處理的示意流程圖以及處理期間可能發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)；
[0006]圖2示出根據(jù)各種實(shí)施例的處理載體的方法示意性流程圖；
[0007]圖3示出根據(jù)各種實(shí)施例的蝕刻鈦層并在蝕刻后從載體去除抗蝕劑掩模的方法的示意性流程圖和處理中可能發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)；
[0008]圖4示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于操作等離子體處理腔的方法的示意性流程圖；
[0009]圖5示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于處理半導(dǎo)體晶圓的方法的示意性流程圖；以及
[0010]圖6示出根據(jù)各種實(shí)施例的等離子體處理腔的示意性側(cè)視圖或截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下文詳細(xì)描述參考附圖，附圖通過(guò)說(shuō)明方式顯示了本發(fā)明可被在其中實(shí)踐的具體細(xì)節(jié)和實(shí)施例。
[0012]詞語(yǔ)“示例性”在此用于表示“作為示例、實(shí)例或說(shuō)明”。本文作為“示例性”描述的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)相對(duì)其它實(shí)施例或示例不是必須構(gòu)成優(yōu)選的或有益的。
[0013]關(guān)于沉積材料形成在側(cè)面或表面“之上”所使用的詞語(yǔ)“之上”，在本文中可被用于表示沉積材料相對(duì)于所指的側(cè)面和表面可“直接在上面”形成，如與所指的側(cè)面和表面直接接觸。關(guān)于沉積材料形成在側(cè)面或表面“之上”所使用的詞語(yǔ)“之上”，在本文中可被用于表示沉積材料相對(duì)于所指的側(cè)面和表面可“間接在上面”形成，并且一個(gè)或多個(gè)額外的層被設(shè)置在所指的側(cè)面或表面和沉積材料之間。
[0014]根據(jù)各種實(shí)施例，至少一個(gè)集成電路結(jié)構(gòu)(或至少一個(gè)集成電路)可形成為在載體上或載體內(nèi)中的至少一種。載體可為半導(dǎo)體載體，如半導(dǎo)體晶圓，如半導(dǎo)體襯底，或半導(dǎo)體工件，或者載體可以是任何適合的載體，包括由半導(dǎo)體材料制成的至少一個(gè)區(qū)域。
[0015]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，載體、集成電路和/或集成電路結(jié)構(gòu)可以包括或可以被配置為提供下列中的至少一個(gè):易處理集成電路、CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路、雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、二極管、IGBT和/或微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，或其它組件或結(jié)構(gòu)，例如芯片、存儲(chǔ)器芯片、裸片、微處理或微控制器、存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)、電荷儲(chǔ)存存儲(chǔ)器、隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器、邏輯電路、集成電池結(jié)構(gòu)、傳感器、納米傳感器、集成收發(fā)器、微機(jī)械裝置、微電子裝置、納米電子裝置、電氣電路、數(shù)字電路、模擬電路和基于半導(dǎo)體技術(shù)的任何其他電子裝置。
[0016]在載體是晶圓的情況下，載體可包括多個(gè)集成電路結(jié)構(gòu)或集成電路，其可從載體切割以提供分別包括至少一個(gè)集成電路結(jié)構(gòu)或集成電路的多個(gè)裸片或芯片。
[0017]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，載體(如襯底、晶圓或工件)可由多種類型的半導(dǎo)體材料制造，或可包括多種類型的半導(dǎo)體材料制造，包括，例如，硅，鍺，III至V族元素或其它類型，例如包括聚合物，而在其它實(shí)施例中，其它適合的材料可被使用。在實(shí)施例中，載體由(摻雜或未摻雜)的硅制成，在可選的實(shí)施例中，載體是絕緣體上硅(SOI)晶圓。可選地，任何其它適合的半導(dǎo)體材料可用于制作載體，例如半導(dǎo)體化合物材料，如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)，以及任何適合的三元半導(dǎo)體化合物材料或四元半導(dǎo)體化合物材料，如銦鎵砷(InGaAs)。根據(jù)各種實(shí)施例，載體可為薄或超薄襯底或晶圓，如具有厚度范圍從約幾微米至約幾十微米，如范圍從約5 μ m至約50 μ m，如具有厚度小于約100 μ m或小于約50 μ m。根據(jù)各種實(shí)施例，載體可以包括SiC (碳化硅)或可以為碳化硅載體、碳化硅襯底、碳化硅晶圓或碳化硅工件。
[0018]由于可以存在用于在載體上制造集成電路結(jié)構(gòu)或集成電路、通常以順序執(zhí)行的用于半導(dǎo)體處理的許多獨(dú)立處理(如用于處理載體或用于處理半導(dǎo)體晶圓)，因此在整體制造處理中，幾個(gè)基本制造技術(shù)可能被使用至少一次。下文描述的基本技術(shù)應(yīng)被理解為說(shuō)明性示例，該技術(shù)可以被包括在本文描述的處理中。示例性描述的基本技術(shù)并不須要被解釋為相對(duì)于其它技術(shù)或方法是優(yōu)選或有利的，這是因?yàn)樗鼈儍H用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可如何實(shí)施。為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，示例性描述的基本技術(shù)的說(shuō)明可以僅為簡(jiǎn)短概述而不應(yīng)當(dāng)被理解為詳盡說(shuō)明。
[0019]根據(jù)各種實(shí)施例，一般來(lái)說(shuō)，層(也稱為膜或薄膜)可以采用沉積技術(shù)被沉積在表面之上(如載體上，晶圓上，襯底上，其它層上，多個(gè)結(jié)構(gòu)元件上等)，沉積技術(shù)可包括化學(xué)氣相沉積(CVD，或CVD處理)和/或物理氣相沉積(PVD，或PVD處理)。根據(jù)其具體功能，沉積層的厚度范圍可在幾納米上至幾微米。
[0020]根據(jù)各種實(shí)施例，取決于沉積層自身的特定功能，(形成或提供的)沉積層可以包括電絕緣材料、半導(dǎo)電材料和/或?qū)щ姴牧现械闹辽僖环N。根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，導(dǎo)電材料，例如招、招-娃合金、招-銅合金、銅、鎳絡(luò)鐵合金(鎳、絡(luò)和/或鐵的合金)、媽、鈦、氮化鈦、鉬、鉑、金、碳(石墨)等，可使用CVD處理或PVD處理被沉積。根據(jù)各種實(shí)施例，半導(dǎo)材料，例如硅(如硅，多晶體硅(也稱為多晶硅)，或非晶硅)、鍺、半導(dǎo)體化合物材料，如砷化鎵(GaAs)，磷化銦(InP)或銦鎵砷(InGaAs)可使用CVD處理沉積。絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物(如氧化鋁)、有機(jī)化合物、聚合物(等)可使用CVD處理或PVD處理沉積。根據(jù)各種實(shí)施例，這些處理的修改可如下文被采用。
[0021]根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，化學(xué)氣相沉積處理(CVD處理)可包括多種變型，例如常壓CVD (APCVD)、低壓CVD (LPCVD)、超高真空CVD (UHVCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)、高密度等離子體CVD (HDPCVD)、遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)CVD (RPECVD)、原子層CVD (ALCVD)、氣相外延(VPE)、金屬有機(jī)CVD (MOCVD)、混合物理CVD (HPCVD)等。根據(jù)各種實(shí)施例，可以使用LPCVD沉積多晶硅、氧化硅、氮化硅等，而可以使用LPCVD沉積鉬、鉭、鈦、鎳、鎢等。
[0022]根據(jù)各種實(shí)施例，物理氣相沉積可包括多種變型，例如濺射(也稱為濺射沉積)、磁控管濺射(也稱為磁控管濺射沉積)、反應(yīng)磁控濺射(也稱為反應(yīng)磁控濺射沉積)、高功率脈沖磁控濺射(也稱為高功率脈沖磁控濺射沉積)、真空蒸發(fā)、分子束外延(MBE)等。
[0023]根據(jù)各種實(shí)施例，在半導(dǎo)體技術(shù)中，圖案化處理可以用于處理載體或用于處理半導(dǎo)體晶圓，如用于制造集成電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)各種實(shí)施例，圖案化處理可以包括去除表面層的所選擇的部分或去除材料的所選擇的部分。在表面層可被部分地去除后，圖案(或圖案化層或圖案化表面層)可保留在下層結(jié)構(gòu)上(如圖案可保留在載體上)。由于可以包括多個(gè)處理，因此根據(jù)各種實(shí)施例，存在多種可能性