晶片升起組件及用于從晶片升起組件上取放晶片的機(jī)械手的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種晶片升起組件及用于從晶片升起組件上取放晶片的機(jī)械手。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著MEMS (Micro-Electro-Mechanical System,即微機(jī)電系統(tǒng))器件和 MEMS 系統(tǒng)被越來越廣泛的應(yīng)用于汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域，干法等離子體刻蝕設(shè)備逐漸被引入到MEMS加工領(lǐng)域。
[0003]相關(guān)技術(shù)中指出，在ICP(Inductive Coupled Plasma,電感f禹合等離子體)刻蝕過程中，越來越多的ICP刻蝕機(jī)使用靜電卡盤對(duì)基片進(jìn)行吸附。傳統(tǒng)基片材料Si (硅)較容易被吸附，但是，隨著MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大和深入，越來越多的襯底材料被弓I入ICP刻蝕，包括SiC(碳化硅)、Si02( 二氧化硅)等，這些材料對(duì)刻蝕機(jī)的卡盤靜電吸附能力要求較高，同時(shí)工藝后的靜電釋放不徹底，容易導(dǎo)致靜電卡盤粘片，在升針取片時(shí)，由于針不能全部同時(shí)升起，或者晶片一邊被粘住，導(dǎo)致晶片在卡盤上傾斜，如果機(jī)械手取片，就會(huì)將晶片撞碎，或者撞出卡盤，掉到腔室中，損失嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種晶片升起組件，所述晶片升起組件能避免在升針過程中出現(xiàn)晶片傾斜的問題。
[0005]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種從上述晶片升起組件上取放晶片的的機(jī)械手。
[0006]根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的晶片升起組件，包括:用于支撐晶片的卡盤，所述卡盤上設(shè)有第一通孔至第六通孔，所述第一通孔至第四通孔位于一個(gè)第一矩形的四個(gè)角上，所述第一矩形的中心與所述卡盤的中心重合，所述第五通孔和第六通孔位于所述第一矩形的一組平行邊的中垂線上、位于所述第一矩形外面且相對(duì)于所述矩形的中心彼此對(duì)稱；和第一升針至第六升針，所述第一升針至第六升針與所述第一通孔至第六通孔一一對(duì)應(yīng)，所述第一升針至第六升針相對(duì)于所述卡盤可移動(dòng)，且分別穿過對(duì)應(yīng)的所述第一通孔至第六通孔以升起支撐在所述卡盤上的晶片。
[0007]根據(jù)本發(fā)明第一方面的實(shí)施例的晶片升起組件，避免了在升針過程中粘片，或者有一個(gè)升針沒有升起，其余的升針也可以將晶片平穩(wěn)地頂起，而不會(huì)出現(xiàn)晶片傾斜的情況，從而解決了粘片后易產(chǎn)生晶片傾斜、在機(jī)械手取片過程中損壞晶片的問題。
[0008]進(jìn)一步地，所述卡盤上還設(shè)有第七通孔和第八通孔，所述第七通孔和第八通孔位于所述第一矩形的另一組平行邊的中垂線上、位于所述第一矩形外面且相對(duì)于所述第一矩形的中心彼此對(duì)稱，所述晶片升起組件還包括與所述第七通孔和第八通孔一一對(duì)應(yīng)的第七升針和第八升針。由此，通過在卡盤上設(shè)置第七升針和第八升針，可以進(jìn)一步分散作用力，從而能更加平穩(wěn)地將卡盤上的晶片頂起。
[0009]可選地，所述第五通孔至第八通孔位于第二矩形的四個(gè)角上，所述第二矩形的中心與所述卡盤的中心重合。由此，可以進(jìn)一步平穩(wěn)地頂起卡盤上的晶片。
[0010]可選地，所述第七通孔和第八通孔距離所述卡盤的邊沿為2-3厘米。
[0011]可選地，所述第一通孔至第四通孔距離所述卡盤的邊沿為I厘米。
[0012]根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的機(jī)械手，用于從根據(jù)本發(fā)明上述第一方面實(shí)施例的晶片升起組件上取放晶片，所述機(jī)械手具有彼此間隔開的第一指和第二指，在取放晶片時(shí)，所述第一指位于所述第一通孔和第二通孔之間的連線與所述第五通孔和所述第六通孔之間的連線之間，所述第二指位于所述第三通孔和第四通孔之間的連線與所述第五通孔和所述第六通孔之間的連線之間。
[0013]可選地，所述第一指和所述第二指的長度均大于所述晶片的直徑的三分之二。
[0014]進(jìn)一步地，在取放晶片時(shí)，所述第一指和第二指的自由端位于所述第二通孔和第三通孔之間的連線與所述第五通孔之間，且所述第一指和第二指的固定端位于所述卡盤的外沿外面。由此，增加了機(jī)械手與晶片之間的接觸面積，從而機(jī)械手可以更加平穩(wěn)地將晶片從卡盤上取走，且晶片不容易從第一指和第二指的自由端滑出。
[0015]更進(jìn)一步地，所述機(jī)械手包括掌部，所述第一指和所述第二指均連接在所述掌部上，且所述第一指和所述第二指的上表面均低于所述掌部的上表面，在取放晶片時(shí)，所述掌部位于所述卡盤的外沿外面。
[0016]可選地，所述第一指和所述第二指的寬度均為2厘米。
[0017]可選地，所述機(jī)械手的總長度大于所述晶片的直徑。
[0018]可選地，所述機(jī)械手上設(shè)有防滑墊。由此，防滑墊起到防滑的作用，從而可以防止機(jī)械手在縮回過程中出現(xiàn)晶片滑動(dòng)的問題。
[0019]根據(jù)本發(fā)明第二方面的實(shí)施例的機(jī)械手，通過將機(jī)械手的手指設(shè)計(jì)成細(xì)長手指，使得機(jī)械手與卡盤上的升針的距離較遠(yuǎn)，從而不易出現(xiàn)將升針撞斷的情況，而且，通過在機(jī)械手上設(shè)置防滑墊，防止機(jī)械手縮回過程中晶片滑動(dòng)，進(jìn)而解決了機(jī)械手取片過程中損壞晶片的問題。
[0020]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說明】
[0021]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片升起組件的俯視圖；
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片升起組件和機(jī)械手的俯視圖；
[0024]圖3是圖2中所示的機(jī)械手的側(cè)視圖；
[0025]圖4a-圖4e是圖2中所示的機(jī)械手從晶片升起組件上取出晶片的工作過程示意圖。附圖標(biāo)記:
[0026]100:晶片升起組件；
[0027]1:卡盤；11:第一通孔；12:第二通孔；13:第三通孔；14:第四通孔；
[0028]15:第五通孔；16:第六通孔；
[0029]21:第一升針；22:第二升針；23:第三升針；24:第四升針；
[0030]25:第五升針；26:第六升針；
[0031]3:機(jī)械手；31:第一指；32:第二指；33:掌部；34:防滑墊；35:過渡面；
[0032]300:晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0034]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0035]此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含