中介板及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)一種中介板,尤指一種提高制作良率的中介板及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域的技術(shù),例如芯片尺寸封裝(Chip Scale Package, CSP)、直接芯片貼附封裝(Direct Chip Attached, DCA)或多芯片組件封裝(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模組、或?qū)⑿酒Ⅲw堆迭化整合為三維積體電路(3D 1C)芯片堆迭技術(shù)等。
[0003]圖1為現(xiàn)有3D芯片堆迭的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖。如圖1所示,提供一石圭中介板(Through Silicon interposer, TSI) 1,該娃中介板1具有具有相對的置晶側(cè)10b與轉(zhuǎn)接側(cè)10a、及連通該置晶側(cè)10b與轉(zhuǎn)接側(cè)10a的多個導(dǎo)電娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 15’,且該置晶側(cè)10b上具有一線路重布結(jié)構(gòu)(Redistribut1n layer, RDL) 11。將間距較小的半導(dǎo)體芯片6的電極墊60藉由多個焊錫凸塊61電性結(jié)合至該線路重布結(jié)構(gòu)11上,再以底膠62包覆該些焊錫凸塊61,且于該導(dǎo)電硅穿孔15’上藉由多個如凸塊的導(dǎo)電元件18電性結(jié)合間距較大的封裝基板7的焊墊70,之后形成封裝膠體8于該封裝基板7上,以包覆該半導(dǎo)體芯片6。
[0004]圖1A至圖1F為現(xiàn)有硅中介板1的轉(zhuǎn)接側(cè)10a的制法的示意圖。
[0005]如圖1A所不,一板體10置放于一承載件9上,且于該板體10的置晶側(cè)10a上已具有一線路重布結(jié)構(gòu)11。
[0006]如圖1B所示,形成多個穿孔100于該板體10的轉(zhuǎn)接側(cè)10a上,以外露該線路重布結(jié)構(gòu)11的部分表面。
[0007]如圖1C所示,形成一絕緣層12于該板體10的轉(zhuǎn)接側(cè)10a上與各該穿孔100中,再形成一導(dǎo)電層13于該絕緣層12上與各該穿孔100中。
[0008]如圖1D所示,進(jìn)行圖案化制程,形成導(dǎo)電柱15于各該穿孔100中以作為如圖1所示的導(dǎo)電硅穿孔15’,且移除該板體10上的導(dǎo)電層13,使該導(dǎo)電柱15電性連接該線路重布結(jié)構(gòu)11。
[0009]如圖1E所示,進(jìn)行另一次圖案化制程,先形成另一導(dǎo)電層13’于該板體10與各該導(dǎo)電柱15上,再形成一阻層14于該導(dǎo)電層13’上,且該阻層14具有對應(yīng)各該導(dǎo)電柱15的開口區(qū)140 ;接著,形成電性接觸墊16于各該開口區(qū)140中,使該導(dǎo)電柱15電性連接該電性接觸墊16。
[0010]如圖1F所示,移除該阻層14及其下的導(dǎo)電層13’。
[0011]如圖1G所示,形成一保護(hù)層19于該板體10與該電性接觸墊16上,且外露出該電性接觸墊16的部分表面,以形成凸塊底下金屬層(Under Bump Metallurgy,簡稱UBM) 17于該電性接觸墊16的外露表面與該保護(hù)層19上。
[0012]如圖1H所示,移除多余的凸塊底下金屬層17,以形成導(dǎo)電元件18于保留的凸塊底下金屬層17’上。
[0013]之后,移除該承載件9,以形成如圖1所示的硅中介板1。
[0014]惟,前述現(xiàn)有硅中介板1的制法中,該導(dǎo)電柱15與該電性接觸墊16分開制作,所以需進(jìn)行兩次圖案化制程(如需進(jìn)行兩次制作該導(dǎo)電層13,13’的步驟),導(dǎo)致制程復(fù)雜冗長,且進(jìn)行圖案化制程的步驟繁多,因而提高制作成本,且降低產(chǎn)量(throughput),致使難以降低產(chǎn)品成本。
[0015]此外,由于該電性接觸墊16與該導(dǎo)電柱15于不同制程制作,所以該電性接觸墊16與該導(dǎo)電柱15之間會產(chǎn)生界面,因而于兩者之間會發(fā)生脫落(Peeling)或破裂(crack)等問題。
[0016]又,形成該凸塊底下金屬層17’時,需再進(jìn)行一次圖案化制程,即先全面濺鍍該凸塊底下金屬層17,之后再形成光阻(圖略)以圖案化該凸塊底下金屬層17,所以不僅制程復(fù)雜冗長,且使整體制法進(jìn)行的曝光、顯影等圖案化制程過多,因而提高制作成本,以致于產(chǎn)量不高,且產(chǎn)品良率下降。
[0017]因此,如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題,實已成目前亟欲解決的課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0018]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失,本發(fā)明的目的為提供一種中介板及其制法,該電性接觸墊與該導(dǎo)電柱之間不會產(chǎn)生界面,因而于兩者之間能避免脫落或破裂等問題。
[0019]本發(fā)明的中介板,包括:板體,其具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)、及連通該第一側(cè)的多個穿孔;導(dǎo)電柱,其設(shè)于該些穿孔中;以及電性接觸墊,其設(shè)于該導(dǎo)電柱與該板體的第一側(cè)上,且電性連接該導(dǎo)電柱,又該電性接觸墊與該導(dǎo)電柱為一體成形者。
[0020]本發(fā)明還提供一種中介板的制法,其包括:提供一具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)的板體;形成多個穿孔于該板體的第一側(cè)上;形成阻層于該板體的第一側(cè)上,且該阻層具有對應(yīng)各該穿孔的開口區(qū),使各該開口區(qū)連通各該穿孔;形成導(dǎo)電材于各該穿孔中與該開口區(qū)中,使各該穿孔中的導(dǎo)電材作為導(dǎo)電柱,且各該開口區(qū)中的導(dǎo)電材作為電性連接該導(dǎo)電柱的電性接觸墊,使該電性接觸墊與該導(dǎo)電柱為一體成形者;以及移除該阻層。
[0021 ] 前述的制法中,該導(dǎo)電材為以電鍍方式形成者。
[0022]前述的中介板及其制法中,該板體為半導(dǎo)體板體或絕緣板體。
[0023]前述的中介板及其制法中,該板體的第一側(cè)具有至少一鈍化層。
[0024]前述的中介板及其制法中,該穿孔具有連通該第一側(cè)的擴(kuò)充部,使該導(dǎo)電柱具有延伸部,且該延伸部的孔徑大于該導(dǎo)電柱本體的孔徑。
[0025]前述的中介板及其制法中,該板體為絕緣板體,且該板體中埋設(shè)至少一電子元件。
[0026]前述的中介板及其制法中,該板體的第二側(cè)上具有線路結(jié)構(gòu),且于形成該阻層前,該穿孔外露該線路結(jié)構(gòu)的部分表面,使該導(dǎo)電柱電性連接該線路結(jié)構(gòu)。
[0027]前述的中介板及其制法中,還包括于形成該阻層前,形成一絕緣層于該板體的第一側(cè)上與各該穿孔中,使該阻層形成于該板體的第一側(cè)上的絕緣層上。因此,于移除該阻層后,該絕緣層設(shè)于該板體的第一側(cè)上,且延伸至該板體的第一側(cè)與該電性接觸墊之間、及該穿孔與該導(dǎo)電柱之間。
[0028]前述的中介板及其制法中,該導(dǎo)電材的制程包括:形成導(dǎo)電層于該板體的第一側(cè)上與各該穿孔中;形成該阻層于該板體的第一側(cè)上的導(dǎo)電層上;形成該導(dǎo)電材于各該穿孔中與各該開口區(qū)中;以及移除該阻層及其下的導(dǎo)電層。因此,該導(dǎo)電層設(shè)于該板體的第一側(cè)與該電性接觸墊之間、及該穿孔與該導(dǎo)電柱之間。
[0029]前述的中介板及其制法中,還包括形成導(dǎo)電元件于各該電性接觸墊上。例如,于移除該阻層前,形成導(dǎo)電元件于各該電性接觸墊上。
[0030]另外,前述的中介板及其制法中,還包括于移除該阻層后,結(jié)合一電子裝置于該些電性接觸墊上。
[0031]由上可知,本發(fā)明的中介板及其制法,藉由僅需進(jìn)行一次圖案化制程即可形成該導(dǎo)電柱與該電性接觸墊,不僅能節(jié)省圖案化制程的成本,且能簡化制程,因而可提高良率,以降低產(chǎn)品成本。
[0032]此外,由于該電性接觸墊與該導(dǎo)電柱為一體成形者,所以該電性接觸墊與該導(dǎo)電柱之間不會產(chǎn)生界面,因而于兩者之間能避免脫落或破裂等問題。
【附圖說明】
[0033]圖1為現(xiàn)有中介板的剖面示意圖;
[0034]圖1A至圖1H為現(xiàn)有中介板的制法的剖面示意圖;
[0035]圖2A至圖2G為本發(fā)明的中介板的制法的第一實施例的剖面示意圖;
[0036]圖2H為圖2G的后續(xù)制程的剖面示意圖;
[0037]圖3A至圖3F為本發(fā)明的中介板的制法的第二實施例的剖面示意圖;以及
[0038]圖4為本發(fā)明的中介板的制法的第三實施例的剖面示意圖。
[0039]符號說明
[0040]1硅中介板
[0041]10,20,40板體
[0042]10a轉(zhuǎn)接側(cè)
[0043]10b置晶側(cè)
[0044]100, 200, 300 穿