有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利說明】
[0001] 于2014年9月25日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的并且題為"Organic Light-Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof (有機發(fā)光二極管顯不器及其制造方 法）"的第10/2014/0128286號韓國專利申請通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] -個或更多個示例性實施例涉及有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 顯示裝置是用于顯示圖像的裝置。在顯示裝置中，有機發(fā)光二極管顯示器最近已 經(jīng)引起很多關(guān)注。
[0004] 與液晶裝置不同，有機發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)射的特性，因為不需要額外的 光源，因此，有機發(fā)光二極管顯示器可以更薄并且質(zhì)量更輕。另外，有機發(fā)光二極管顯示器 具有高品質(zhì)特性，例如低功耗、高亮度、高響應(yīng)速度等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種有機發(fā)光二極管顯示器包括：有機發(fā)光顯 示器裝置，包括第一電極、中間層和第二電極，中間層包括有機發(fā)射層；第一無機包封層，在 第二電極上；第二無機包封層，在第一無機包封層上；以及有機包封層，在第二無機包封層 上，其中，第一無機包封層的折射率高于第二無機包封層的折射率，并且第一無機包封層具 有在藍光波長下大約〇. 02至大約0. 07的消光系數(shù)和大約2. 1至大約2. 3的折射率。
[0006] 第一無機包封層可以具有大約500/\至大約1〇〇〇/\的厚度。
[0007] 第一無機包封層與第二無機包封層的折射率之間的差可以是大約0.6至大約 0· 9 〇
[0008] 第一無機包封層和第二無機包封層可以由硅基材料形成。
[0009] 第一無機包封層可以包括氮化硅（SiNx)。
[0010] 第一無機包封層可以直接地形成在第二電極上。
[0011] 有機發(fā)光二極管顯示器還可以包括設(shè)置在第二無機包封層與有機包封層之間的 第三無機包封層。
[0012] 第一無機包封層、第二無機包封層和第三無機包封層可以由硅基材料形成。
[0013] 第三無機包封層的折射率與有機包封層的折射率之間的差可以小于大約0. 3,第 三無機包封層的折射率與第二無機包封層的折射率之間的差可以小于大約0. 3。
[0014] 根據(jù)一個或更多個示例性實施例，一種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法包括： 在有機發(fā)光顯示裝置上形成第一無機包封層，所述第一無機包封層具有在藍光波長下大約 0. 02至大約0. 07的消光系數(shù)和大約2. 1至大約2. 3的折射率，其中，有機發(fā)光顯示裝置包 括：第一電極；中間層，形成在第一電極上并包括有機發(fā)射層；以及第二電極，形成在中間 層上；在第一無機包封層上形成第二無機包封層，其中，第二無機包封層的折射率小于第一 無機包封層的折射率；在第二無機包封層上形成有機包封層；以及在有機包封層上形成第 三無機包封層。
[0015] 第一無機包封層的形成和第二無機包封層的形成可以以原位法執(zhí)行。
[0016] 第一無機包封層和第二無機包封層可以通過化學氣相沉積形成。
[0017] 第一無機包封層可以具有大約500A至大約1000人的厚度
[0018] 第一無機包封層可以包括氮化硅（SiNx)。
[0019] 第二無機包封層的折射率比第一無機包封層的折射率小大約0. 6至大約0. 9。
[0020] 所述方法還可以包括：在形成有機包封層之間在第二無機包封層上形成第三無機 包封層。
[0021] 第三無機包封層的折射率與有機包封層的折射率之間的差可以小于大約0. 3,第 三無機包封層的折射率與第二無機包封層的折射率之間的差可以小于大約〇. 3。
【附圖說明】
[0022] 通過參照附圖詳細地描述示例性實施例，特征對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得 明顯，在附圖中：
[0023] 圖1示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的示意性剖視圖；
[0024] 圖2示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；
[0025] 圖3示出的曲線圖示出了根據(jù)實施例的消光系數(shù)的改變相對于第一無機包封層 的折射率的改變；
[0026] 圖4示出的曲線圖示出了根據(jù)實施例的消光系數(shù)相對于入射在第一無機包封層 上的光的波長的改變；
[0027] 圖5示出根據(jù)對比示例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；
[0028] 圖6示出的曲線圖示出了根據(jù)實施例的發(fā)光效率的改變相對于第一無機包封層 的厚度的改變。
【具體實施方式】
[0029] 現(xiàn)將詳細參考示例性實施例，在附圖中示出了示例性實施例的示例，其中，同樣的 附圖標記始終指同樣的元件。在這方面，本示例性實施例可以具有不同形式并且不應(yīng)該被 理解為受限于在這里所闡述的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述示例性實施例，以解釋 本描述的多個方面。
[0030] 如這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或更多個相關(guān)所列項目的任何和所有組 合。
[0031] 將理解的是，盡管可以在這里使用術(shù)語"第一"、"第二"等來描述不同的組件，但是 這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個組件與另一組件區(qū)分開。
[0032] 如這里使用的，單數(shù)形式"一個"、"一種"和"該（所述）"也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除 非上下文另有明確指示。
[0033] 還將理解的是，這里使用的術(shù)語"包括"和/或"包含"說明存在陳述的特征或組 件，但是不排除存在或添加一個或更多個其他特征或組件。
[0034] 將理解的是，當層、區(qū)域或組件被稱為"形成在"另一層、區(qū)域或組件"上"時，該層、 區(qū)域或組件可以直接地或間接地形成在另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間層、 區(qū)域或組件。
[0035] 為了方便解釋，可以夸大附圖中的元件的尺寸。換句話說，由于附圖中的組件的尺 寸和厚度是為了方便解釋而隨意地示出的，所以下面的實施例不限于此。
[0036] 當特定的實施例可以以不同方式實施時，具體的工藝順序可以與所描述的順序不 同地執(zhí)行。例如，兩個連續(xù)描述的工藝可以大體上同時執(zhí)行或按照與所描述的順序相反的 順序執(zhí)行。
[0037] 圖1示出根據(jù)實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100的示意性剖視圖。圖2示出根 據(jù)實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0038] 參照圖1，根據(jù)實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100包括基板110、在基板110上 的有機發(fā)光顯示裝置（OLED) 120和薄膜包封層130。
[0039] 基板110可以是柔性基板，并且可以由具有高耐熱和耐久性質(zhì)的塑料形成。例如， 基板110可以由例如聚醚砜（PES)、聚丙烯酸酯（PAR)、聚醚酰亞胺（PEI)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚苯硫醚（PPS)、多芳基化合物、聚酰亞胺（PI)、 聚碳酸酯（PC)、三醋酸纖維素、醋酸丙酸纖維素（CAP)、聚芳醚砜以及它們的組合來形成。 然而，實施例不限制于此，例如，基板110可以由諸如金屬、玻璃等的其他各種材料形成。
[0040] 盡管沒有示出，但是各種元件/布線層可以設(shè)置在基板110上。各種元件/布線 層可以包括用于驅(qū)動OLED 120的驅(qū)動薄膜晶體管（TFT)、開關(guān)TFT、電容器和連接到TFT或 電容器的導(dǎo)線。
[0041] 參照圖1和圖2, OLED 120可以在基板110上，并且包括第一電極121、形成在第 一電極121上并包括有機發(fā)射層的中間層122以及形成在中間層122上的第二電極123。
[0042] 第一電極121可以是像素電極（例如，陽極），并且以紅色（R)、綠色（G)和藍色 (B)子像素為單元被圖案化。第一電極121可以是反射電極，反射電極包括例如由Ag、Mg、 Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它們的組合形成的反射膜和設(shè)置在反射膜上并由ITO、IZO、 ZnO或In2O3形成的膜。
[0043] 中間層122包括有機發(fā)射層，有機發(fā)射層包括發(fā)射紅光、藍光和綠光的有機材料。 有機發(fā)射層可以包括低分子量有機材料或尚分子量有機材料。根據(jù)包括在有機發(fā)射層中的 有機材料的類型，中間層122還可以選擇性地包括空穴傳輸層（HTL)、空穴注入層（HIL)、電 子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。例如，當有機發(fā)射層包括低分子量有機材料時，HTL、 HIL、ETL、EIL等可以圍繞有機發(fā)射層堆疊。當有機發(fā)射層包括高分子量有機材料時，中間 層122還可以包括HTL。
[0044] 第二電極123可以是對電極（例如，陰極），并具有透光性質(zhì)。第二電極123可以 是具有低逸出功并由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的組合形成的金屬薄膜。第 二電極123可以是由ΙΤΟ、IZO、ZnO或In 2O3形成的透明薄膜。
[0045] 在本實施例中，第一電極121是陽極，第二電極123是陰極，但是實施例不限于此。 在另一實施例中，根據(jù)驅(qū)動有機發(fā)光二極管顯示器100的方法，第一電極121可以是陰極， 第二電極123可以是陽極?？昭ê碗娮臃謩e從第一電極121和第二電極123注入到有機發(fā) 射層中。當注入的空穴和電子結(jié)合以形成激子并且激子從激發(fā)態(tài)降至其基態(tài)時產(chǎn)生光。
[0046] 在基板110上的薄膜包封層130覆蓋OLED 120。參照圖2,薄膜包封層130可以 包括形成在第二電極123上的第一無機包封層131、第二無機包封層132、第三無機包封層 133、有機包封層134和第四無機包封層135。
[0047] 第一無機包封層131、第二無機包封層132和第三無機包封層133可以包括硅基材 料并且可以以原位法形成，從而使制造成本最小化和使工藝道次最少