一種印刷型發(fā)光顯示器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種印刷型發(fā)光顯示器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器件的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器件正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光二極管(0LED)其具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)其光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，這兩種發(fā)光器件是目前顯示器件研究的兩個(gè)主要方向。0LED的制備工藝主要有真空蒸鍍和溶液加工，QLED的制備工藝則主要是溶液加工。其中0LED的真空蒸鍍?cè)谛〕叽缙骷膽?yīng)用方面已經(jīng)較為成熟，目前已處于量產(chǎn)中，但生產(chǎn)成本依然居高不下。0LED和QLED的溶液加工主要有噴墨打印、噴嘴涂覆、旋涂、絲網(wǎng)印刷等工藝，其中的印刷工藝，尤其噴墨打印技術(shù)由于材料利用率高、可以實(shí)現(xiàn)大尺寸化以及易于實(shí)現(xiàn)彩色化，被認(rèn)為是大尺寸0LED和QLED顯示器件實(shí)現(xiàn)低成本量產(chǎn)的重要方式。
[0004]在目前印刷工藝制備的發(fā)光顯示器中，像素電極周邊需要制作一層像素bank，防止在制作發(fā)光元件時(shí)像素電極周邊區(qū)域因像素電極的凸起發(fā)生短路，同時(shí)為了防止墨水溢出，造成相鄰像素的相互串色，降低顯示器顯示效果。另外由于還需要對(duì)像素bank進(jìn)行疏水處理，這些都增加了制作工藝的復(fù)雜性，使制作成本居高不下。
[0005]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種印刷型發(fā)光顯示器及其制作方法，旨在解決現(xiàn)有的印刷型發(fā)光顯示器其制作工藝復(fù)雜、成本高的問題。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，包括步驟:
A、在TFT基板上覆蓋一層鈍化層，然后在鈍化層上沉積一層平坦層，再在平坦層上沉積一層光阻層，所述平坦層采用疏水材料制成；
B、通過掩膜對(duì)光阻層進(jìn)行曝光，其中待制作像素電極的區(qū)域進(jìn)行半曝光，TFT-S/D電極上端待挖孔區(qū)域進(jìn)行全曝光；
C、對(duì)曝光區(qū)域進(jìn)行顯影，其中全曝光區(qū)域的光阻層全部去除，半曝光區(qū)域殘留部分光阻層，未曝光區(qū)域光阻層厚度無變化；
D、采用干刻工藝進(jìn)行刻蝕挖孔，露出TFT-S/D電極，其中半曝光區(qū)域殘留的部分光阻層被去除，并且該半曝光區(qū)域的平坦層被刻蝕掉，形成與像素電極對(duì)應(yīng)的凹槽；
E、在所述TFT基板上沉積像素電極；
F、剝離TFT基板上殘留的光阻層； G、在TFT基板上制作發(fā)光元件，然后進(jìn)行封裝。
[0008]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述凹槽的深度為50?200nm。
[0009]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述像素電極的厚度為50?200nm。
[0010]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述發(fā)光元件為0LED或QLED。
[0011]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述0LED或QLED包括以下功能層:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和頂部電極。
[0012]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述0LED或QLED中至少有一功能層采用印刷工藝制備。
[0013]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述TFT基板為玻璃或柔性基板。
[0014]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述TFT基板中的TFT陣列為非晶硅TFT、低溫多晶硅TFT、高溫多晶硅TFT或金屬氧化物TFT。
[0015]所述的印刷型發(fā)光顯示器的制造方法，其中，所述像素電極為透明導(dǎo)電金屬氧化物或透明導(dǎo)電金屬。
[0016]一種印刷型發(fā)光顯示器，其中，采用如上所述的制作方法制成。
[0017]有益效果:本發(fā)明通過使用疏水材料制作平坦層，同時(shí)將像素電極嵌入平坦層中，省去了像素bank的制作，簡化發(fā)光顯示器的制作工藝，降低制作成本。此外采用印刷工藝制作發(fā)光元件時(shí)，疏水性的平坦層可以有效避免相鄰像素間的墨水污染問題，從而有效提高印刷型顯示器的良品率和顯示效果。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明一種印刷型發(fā)光顯示器的制造方法較佳實(shí)施例的流程圖。
[0019]圖2至圖6為本發(fā)明一種印刷型發(fā)光顯示器的制造方法在不同狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]本發(fā)明提供一種印刷型發(fā)光顯示器及其制作方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0021]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一種印刷型發(fā)光顯示器的制造方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟:
51、在TFT基板上覆蓋一層鈍化層，然后在鈍化層上沉積一層平坦層，再在平坦層上沉積一層光阻層，所述平坦層采用疏水材料制成；
52、通過掩膜對(duì)光阻層進(jìn)行曝光，其中待制作像素電極的區(qū)域進(jìn)行半曝光，TFT-S/D電極上端待挖孔區(qū)域進(jìn)行全曝光；
53、對(duì)曝光區(qū)域進(jìn)行顯影，其中全曝光區(qū)域的光阻層全部去除，半曝光區(qū)域殘留部分光阻層，未曝光區(qū)域光阻層厚度無變化；
54、采用干刻工藝進(jìn)行刻蝕挖孔，露出TFT-S/D電極，其中半曝光區(qū)域殘留的部分光阻層被去除，并且該半曝光區(qū)域的平坦層被刻蝕掉，形成與像素電極對(duì)應(yīng)的凹槽；
55、在所述TFT基板上沉積像素電極； 56、剝離TFT基板上殘留的光阻層；
57、在TFT基板上制作發(fā)光元件，然后進(jìn)行封裝。
[0022]通過采用疏水材料制作平坦層，然后采用半曝光工藝，在TFT-S/D電極上端挖