射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在制作射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(Rad1 Frequency LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor, RFLDMOS)中，為了提高擊穿電壓，場板的設(shè)計是必不可少的。場板技術(shù)是提高器件表面耐壓的常用終端技術(shù)，它可以有效降低反向PN結(jié)的表面電場，提高PN結(jié)的耐壓能力。即當(dāng)表面覆蓋有場板的PN結(jié)加反向偏壓時，水平方向的部分電力線將會終止于垂直方向的場板，從而降低水平方向的電場強度，提高器件的抗擊穿能力。
[0003]如下圖1所示，在制造工藝中，由于場板覆蓋在多晶硅101的側(cè)邊上，形成了很高的垂直臺階。這在后續(xù)的場板刻蝕中，非常容易出現(xiàn)殘留，如圖1中殘留的場板102這樣會導(dǎo)致最終形成的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生漏電，降低良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)場板殘留的問題。
[0005]本發(fā)明第一個方面提供一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，包括:
[0006]基板，所述基板上形成有柵極；
[0007]側(cè)壁，所述側(cè)壁位于所述柵極的兩側(cè)面，所述側(cè)壁背離所述柵極的一邊呈弧形，且所述側(cè)壁的底部大于所述側(cè)壁的頂部；
[0008]隔離氧化層，形成于所述基板、所述側(cè)壁和所述柵極上；
[0009]場板層，形成于所述隔離氧化層上。
[0010]本發(fā)明另一個方面提供一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，包括:
[0011]在基板的柵極的兩側(cè)面上形成側(cè)壁，所述側(cè)壁背離所述柵極的一邊呈弧形，且所述側(cè)壁的底部大于所述側(cè)壁的頂部；
[0012]在所述基板、所述側(cè)壁和所述柵極上形成隔離氧化層；
[0013]在所述隔離氧化層上形成場板層。
[0014]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及制作方法，由于在柵極兩側(cè)形成側(cè)壁，使得柵極兩側(cè)為斜坡形貌，對場板層的刻蝕變得相對容易，可以減少不需要的場板層的殘留，提高了射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的良品率。
【附圖說明】
[0015]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2A-2G為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的各個步驟的剖面示意圖；
[0017]圖3為根據(jù)本發(fā)明一實施例的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0018]實施例一
[0019]本實施例提供一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件如圖2E所示，包括:基板201、側(cè)壁202、隔離氧化層203和場板層204。其中，基板201上形成有柵極206，側(cè)壁202位于柵極206的兩側(cè)面；側(cè)壁202背離柵極206的一邊呈弧形，且側(cè)壁202的底部2021大于側(cè)壁202的頂部2022 ;隔離氧化層203形成基板201和側(cè)壁202上；場板層204形成于隔離氧化層203上。
[0020]如圖2A至2E所示，為制作本實施例的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的各個步驟的剖面示意圖。
[0021]首先，如圖2A所示，基板201上形成有柵極206。
[0022]基板201上還形成有源區(qū)210、漏區(qū)211、漏極漂移區(qū)212和體區(qū)213，還可以形成有柵氧化層214。該基板201具體可以為P型硅襯底，柵極206具體可以為多晶硅柵極。該基板201上各區(qū)域的形成的具體方式舉例如下:
[0023]在P+的硅襯底201上采用熱氧化方式形成柵氧化層214，例如將硅片放入高溫爐管里并通入氧氣，氧氣和硅片表面的硅發(fā)生反應(yīng)，生成二氧化硅層作為柵氧化層214，接下來進行多晶硅的沉積摻雜和刻蝕形成多晶硅柵極206，然后通過光刻和離子注入工藝形成體區(qū)213以及漏極漂移區(qū)212，例如在多晶硅柵極206的一側(cè)進行離子注入，之后經(jīng)過高溫驅(qū)入，讓離子擴散到多晶硅的另一側(cè)，進而形成體區(qū)213以及漏極漂移區(qū)212。接著通過光刻和離子注入工藝形成源區(qū)210和漏區(qū)211。該形成各區(qū)域的方式均為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0024]以上僅為基板201上形成源區(qū)210、漏區(qū)211、漏極漂移區(qū)212、體區(qū)213，以及柵氧化層214的一個方法，還可以以現(xiàn)有技術(shù)中其它方式形成，在此不再贅述。
[0025]接著，如圖2B所示，在基板201和柵極206上形成側(cè)壁氧化層205。
[0026]如圖2B所示，如果存在柵氧化層214，則在柵氧化層214和柵極206上形成側(cè)壁氧化層205，即在圖2A所示的器件上以低壓化學(xué)氣相沉積的方式形成側(cè)壁氧化層205。該側(cè)壁氧化層205的材料可以是二氧化硅，厚度為1000埃-3000埃。側(cè)壁氧化層205采用二氧化硅，可以盡量避免刻蝕采用多晶硅為材料的柵極206。
[0027]然后，如圖2C所示，采用干法刻蝕方式刻蝕側(cè)壁氧化層205，形成側(cè)壁202。
[0028]具體地，形成側(cè)壁202采用的干法刻蝕的工藝條件是:真空度為100毫托-300毫托，磁場為15G-45G,功率為250瓦-750瓦,氧氣流量為50 _升/分鐘-150 _升/分鐘，CHF3流量為25暈升/分鐘-75暈升/分鐘，刻蝕時間為20秒-80秒。具體地可米用如下工藝條件:真空度為200毫托，磁場為30G，功率為500瓦，氬氣流量為100毫升/分鐘，CHF3流量為50 _升/分鐘，刻蝕時間為20秒-80秒。
[0029]該過程中，如果存在柵氧化層214，則可以采用過刻方式。假設(shè)，將柵氧化層214上的側(cè)壁氧化層205完全刻蝕干凈的時間為t，則刻蝕時間tl可以為t < tl < 1.2。這樣，可以將柵氧化層214刻蝕一部分或者完全刻蝕。圖2C中示出的是除了被柵極206和側(cè)壁202覆蓋的部分柵氧化層214，其余柵氧化層214完全刻蝕掉的情況。
[0030]如圖2D所示，在基板201、側(cè)壁202和柵極206上形成隔離氧化層203。
[0031]具體地，可以采用低壓化學(xué)氣相沉積方式形成該隔離氧化層203。該隔離氧化層203的材料可以是氧化硅或者氮化硅，厚度為1000埃-3000埃，工藝條件可以是低壓化學(xué)氣相工藝。溫度600-800攝氏度，壓力27帕-270帕。
[0032]如圖2E所示，在隔離氧化層203上形成場板層204。
[0033]具體地，可以在隔離氧化層203上沉積一層金屬作為場板層204,該金屬可以是WS1.Ti等，或者在隔離氧化層203上形成一層低阻多晶來作為場板層204，該低阻多晶具體是多晶硅，經(jīng)過離子注入或者摻雜等低阻化工藝后，