方式】
[0032]下面結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0033]為了達到本發(fā)明的目的，如圖1至圖4所示，在本發(fā)明的其中一種實施方式中提供一種柔性導電電極的制備方法，包括以下步驟:
[0034](1)光掩膜版制備:根據(jù)尺寸、形狀要求，設計導電線柵7，然后將導電線柵7利用激光光刻到光掩膜上，經(jīng)過顯影、去鉻后，獲得線柵型光掩膜版；
[0035](2)電沉積模具制備:在金屬基板1上涂布一層光刻膠2，然后利用步驟(1)的線柵型光掩膜版進行紫外曝光，顯影后在金屬基板1上形成圖形化線柵溝槽3，并使得圖形化線柵溝槽3部分顯露出金屬基板1;
[0036](3)電沉積工藝:將步驟(2)光刻后的金屬基板1放置于電鑄沉積槽中，使其位于電鑄沉積槽的陰極，并在電鑄沉積槽的陽極或電解液中放置沉積材料，通電后在圖形化線柵溝槽3中沉積生成電沉積層4 ；
[0037](4)生成柔性導電電極:去除步驟(3)電沉積后的金屬基板1上的光刻膠2，然后將金屬基板1上涂布一層固化膠5，再將柔性襯底6覆蓋于固化膠5上，經(jīng)過紫外固化后脫模，獲得柔性導電電極。
[0038]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實施方式制備的柔性導電電極的表面平整度只取決于所用金屬基板1的表面平整度，其表面均方根粗糙度RMS為l-10nm，具有較高平整表面，利用其生產(chǎn)的0LED裝置就不會因透明電極的表面起伏較大，引起背電極與基底相接觸，造成0LED裝置短路而損毀，大大提升了 0LED裝置的使用壽命。
[0039]根據(jù)實際情況，可以選擇，上述的光刻膠2的厚度為50nm-10ym，本實施方式可選50nm、100nm、500nm、1μηι、5μηι、ΙΟμπι;沉積材料為金屬材料、半導體材料、石墨稀或碳納米材料，本實施方式優(yōu)選金屬銅;柔性襯底為PET薄膜、ΡΙ薄膜或PEN薄膜，本實施方式優(yōu)選PET薄膜。
[0040]為了進一步地優(yōu)化本發(fā)明的實施效果，在本發(fā)明的另一種實施方式中，在前述內(nèi)容的基礎上，上述的電沉積層4的面積與導電電極整體面積之比小于5%，圖形化線柵溝槽3的線寬為50nm-10ym，本實施方式可選50nm、500nm、1μηι、5μηι、1 Ομπι，槽深為50nm_l Ομπι，本實施方式可選50nm、lOOnm、500nm、1μηι、5μηι、ΙΟμπι,電沉積層4的厚度不大于圖形化線柵溝槽3的槽深。其中，電沉積通電的電流強度為1Α-50Α，沉積時間為10s-600s，電鑄沉積槽的陽極和陰極的距離為20mm-300mm。
[0041]采用上述優(yōu)選的方案，通過調(diào)控電沉積的參數(shù)，控制電沉積層4的厚度，從而使得柔性導電電極的表面方阻值小于1 Ω /方，電導率較高。而導電電極的透過率由電沉積層的面積與導電電極整體面積的比例決定，二者之比小于5%，使得導電電極的透過率大于88%，尤其當線柵線寬選50-300nm時，透明電極同時具有增強可見光透射的作用，可有效增強0LED發(fā)光的外量子效率，大大提高發(fā)光效率。
[0042]為了進一步地優(yōu)化本發(fā)明的實施效果，在本發(fā)明的另一種實施方式中，在前述內(nèi)容的基礎上，上述的步驟(4)中將電沉積后的金屬基板1放置于NaOH溶液中，去除金屬基板1上的光刻膠2，然后利用納米壓印技術(shù)將金屬基板1上涂布一層固化膠5。
[0043]采用上述優(yōu)選的方案，利用納米印壓技術(shù)把電沉積層4內(nèi)嵌于固化膠5中，而不只是粘附在固化膠5表面，使得其與柔性襯底6粘附力較強，不容易被污染刮傷。
[0044]如圖4所示，為了進一步地優(yōu)化本發(fā)明的實施效果，在本發(fā)明的另一種實施方式中，在前述內(nèi)容的基礎上，本實施方式還提供一種柔性導電電極，應用了上一實施方式的柔性導電電極的制備方法制備而成。
[0045]如圖5所示，為了進一步地優(yōu)化本發(fā)明的實施效果，在本發(fā)明的另一種實施方式中，在前述內(nèi)容的基礎上，本實施方式還提供一種0LED裝置，應用了上一實施方式的柔性導電電極。其中，0LED裝置為0LED照明燈，0LED照明燈包括第一照明圖案8、第二照明圖案9和第三照明圖案10，且三者之間通過引線11電連接。
[0046]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種柔性導電電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)光掩膜版制備:根據(jù)尺寸、形狀、發(fā)光波長的要求，設計導電線柵，然后將導電線柵光刻到光掩膜上，經(jīng)過顯影、去鉻后，獲得線柵型光掩膜版； (2)電沉積模具制備:在金屬基板上涂布一層光刻膠，然后將步驟(1)的線柵型光掩膜版進行紫外曝光，顯影后在金屬基板上形成圖形化線柵溝槽，并使得圖形化線柵溝槽部分顯露出金屬基板； (3)電沉積工藝:將步驟(2)光刻后的金屬基板放置于電鑄沉積槽中，使其位于電鑄沉積槽的陰極，并在電鑄沉積槽的陽極或電解液中放置沉積材料，通電后在圖形化線柵溝槽中沉積生成電沉積層； (4)生成柔性導電電極:去除步驟(3)電沉積后的金屬基板上的光刻膠，然后將金屬基板上涂布一層固化膠，再將柔性襯底覆蓋于固化膠上，經(jīng)過紫外固化后脫模，獲得柔性導電電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述圖形化線柵溝槽的線寬為40nm-10ym，槽深為50nm-10ym，所述電沉積層的面積與導電電極整體面積之比小于5%，所述電沉積層的厚度不大于所述圖形化線柵溝槽的槽深。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為50nm-10umo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述沉積材料為金屬材料、半導體材料、石墨稀或碳納米材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述通電的電流強度為1A-50A，沉積時間為10s-600s，電鑄沉積槽的陽極和陰極的距離為20mm-300mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中將電沉積后的金屬基板放置于NaOH溶液中，去除金屬基板上的光刻膠，然后利用納米壓印技術(shù)將金屬基板上涂布一層固化膠。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導電電極的制備方法，其特征在于，所述柔性襯底為PET薄膜、PI薄膜或PEN薄膜。8.—種柔性導電電極，其特征在于，應用了如權(quán)利要求1-7任一所述的柔性導電電極的制備方法制備而成。9.一種0LED裝置，其特征在于，應用了如權(quán)利要求8所述的柔性導電電極。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED裝置，其特征在于，所述0LED裝置為0LED照明燈或0LED顯示屏。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柔性導電電極的制備方法及該方法制備的電極及其應用，制備方法包括以下步驟：(1)光掩膜版制備：將導電線柵光刻到光掩膜上；(2)電沉積模具制備：然后將線柵型光掩膜版進行紫外曝光，形成圖形化線柵溝槽；(3)電沉積工藝：將金屬基板放置于電鑄沉積槽中，生成電沉積層；(4)生成柔性導電電極：將金屬基板上涂布一層固化膠，柔性襯底覆蓋于固化膠上，經(jīng)過紫外固化后脫模，獲得柔性導電電極。本發(fā)明制備的柔性導電電極的表面平整度只取決于所用金屬基板材料的表面平整度，具有較高平整表面，制備的OLED裝置不會因透明電極的表面起伏較大，引起背電極與基底相接觸，造成短路而損毀，大大提升了使用壽命。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/56
【公開號】CN105489784
【申請?zhí)枴緾N201510906030
【發(fā)明人】劉艷花, 陳林森, 浦東林, 王艷艷, 朱鵬飛, 周小紅, 方宗豹
【申請人】蘇州大學, 蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月9日