Oled像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及0LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種0LED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]0LED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，因其具有顯示屏幕可視角度大，并且能夠節(jié)省電能的優(yōu)勢(shì)，已廣泛應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、DVD機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、筆記本電腦、汽車(chē)音響和電視等產(chǎn)品中。在傳統(tǒng)的0LED像素圖案蒸鍍技術(shù)中，利用精細(xì)金屬掩膜版(FMM)通過(guò)開(kāi)孔將有機(jī)材料蒸鍍至玻璃基板上，以形成像素圖案。
[0003]然而，由于市場(chǎng)對(duì)顯示屏提出了越來(lái)越高的分辨率要求，顯示屏的像素圖案越來(lái)越密集。那么在傳統(tǒng)的0LED像素圖案蒸鍍技術(shù)中，設(shè)計(jì)的FMM開(kāi)孔的密度也越來(lái)越大，從而使得傳統(tǒng)的0LED像素圖案蒸鍍技術(shù)由于FMM的工藝限制而不能夠滿足高分辨率的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，針對(duì)上述傳統(tǒng)的0LED像素圖案蒸鍍技術(shù)由于FMM的工藝限制而不能夠滿足高分辨率的要求的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種0LED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)，能夠提高顯示屏的分辨率。
[0005]—種0LED像素圖案蒸鍍方法，用于向TFT背板蒸鍍像素圖案，所述TFT背板包括基板、薄膜晶體管陣列及透明的陽(yáng)極，所述陽(yáng)極和薄膜晶體管陣列分布于所述基板的正面，且所述陽(yáng)極的表面為待蒸鍍像素圖案的分布區(qū)域;所述0LED像素圖案蒸鍍方法包括:
[0006]將所述TFT背板置于所述有機(jī)材料上方，且所述陽(yáng)極面向所述有機(jī)材料；
[0007]用激光向所述基板的背面掃描，且所述激光掃描的區(qū)域至少包括所述陽(yáng)極覆蓋的所有區(qū)域。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括:將所述有機(jī)材料涂布于平臺(tái)基板上。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括:在所述TFT背板上方設(shè)置激光器。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述像素圖案包括若干子像素圖案，所述陽(yáng)極表面為待蒸鍍子像素圖案的分布區(qū)域，且用激光向所述基板的背面掃描的步驟前還包括:
[0011 ]在所述激光器和所述TFT背板之間設(shè)置包括若干開(kāi)孔的光刻掩膜版;其中，各所述開(kāi)孔均對(duì)應(yīng)同種顏色的子像素圖案的分布區(qū)域，所述開(kāi)孔的面積大于對(duì)應(yīng)子像素圖案分布區(qū)域的面積，且所述開(kāi)孔的面積小于或等于位于與所述對(duì)應(yīng)子像素圖案相鄰的所有子像素圖案之間的區(qū)域的面積。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述激光器和所述TFT背板之間設(shè)置包括若干開(kāi)孔的光刻掩膜版的步驟后還包括:調(diào)整所述光刻掩膜版的位置，使得所述開(kāi)孔對(duì)準(zhǔn)顏色與所述有機(jī)材料顏色一致的子像素圖案的分布區(qū)域。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述像素圖案包括若干子像素圖案，所述陽(yáng)極表面為待蒸鍍子像素圖案的分布區(qū)域，用激光向所述基板的背面掃描的步驟前還包括:
[0014]在所述TFT背板的背面涂布光刻膠；
[0015]利用光刻掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光及顯影，且所述光刻掩膜版的圖形，滿足使得所述光刻膠中溶于顯影液的各區(qū)域均對(duì)應(yīng)同種顏色的子像素圖案分布區(qū)域的條件。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述光刻膠中溶于顯影液的所有區(qū)域?qū)?yīng)的子像素圖案的顏色與所述有機(jī)材料的顏色一致。
[0017]一種0LED像素圖案蒸鍍系統(tǒng)，用于向TFT背板蒸鍍像素圖案，所述0LED像素圖案蒸鍍系統(tǒng)包括用于涂布有機(jī)材料的平臺(tái)基板、TFT背板及激光器;所述TFT背板包括基板、薄膜晶體管陣列及透明的陽(yáng)極，所述陽(yáng)極和薄膜晶體管陣列分布于所述基板的正面，且所述陽(yáng)極表面為待蒸鍍像素圖案的分布區(qū)域；
[0018]所述激光器，在所述陽(yáng)極面向所述有機(jī)材料時(shí)，用激光向所述基板的背面掃描，且所述激光掃描的區(qū)域至少包括所述陽(yáng)極覆蓋的所有區(qū)域。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述像素圖案包括若干子像素圖案，所述陽(yáng)極表面為待蒸鍍子像素圖案的分布區(qū)域;在所述激光器和TFT背板之間還設(shè)有包括若干開(kāi)孔的光刻掩膜版;其中，各所述開(kāi)孔均對(duì)應(yīng)同種顏色的子像素圖案的分布區(qū)域，所述開(kāi)孔面積大于對(duì)應(yīng)子像素圖案分布區(qū)域的面積，且所述開(kāi)孔的面積小于或等于位于與所述子像素圖案相鄰的所有子像素圖案之間的區(qū)域的面積。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述像素圖案包括若干子像素圖案，所述陽(yáng)極表面為待蒸鍍子像素圖案的分布區(qū)域;所述0LED像素圖案蒸鍍系統(tǒng)還包括光刻掩膜版、曝光設(shè)備及顯影設(shè)備，且在所述TFT背板的背面涂布光刻膠;所述曝光設(shè)備，用于將所述光刻掩膜版與所述TFT背板對(duì)準(zhǔn)并曝光;所述顯影設(shè)備，用于將所述光刻膠顯影;所述光刻掩膜版的圖形，滿足使得所述光刻膠中溶于顯影液的各區(qū)域均對(duì)應(yīng)同種顏色的子像素圖案分布區(qū)域的條件。
[0021]上述0LED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)具有的有益效果為:該0LED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)，用于在TFT背板上蒸鍍像素圖案。同時(shí)在TFT背板中，陽(yáng)極表面為待蒸鍍像素圖案的分布區(qū)域，且僅有陽(yáng)極透光。在此基礎(chǔ)上，將TFT背板置于有機(jī)材料上方，且陽(yáng)極面向有機(jī)材料后，再用激光向基板的背面掃描，由于僅有陽(yáng)極透光，因此激光通過(guò)陽(yáng)極即可將有機(jī)材料蒸鍍于陽(yáng)極表面。另外，由于激光掃描的區(qū)域至少包括陽(yáng)極覆蓋的所有區(qū)域，當(dāng)激光掃描完成后即可將有機(jī)材料蒸鍍于陽(yáng)極的全部分布區(qū)域，從而形成完整的像素圖案。
[0022]因此，該0LED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)只需利用激光對(duì)TFT背板進(jìn)行掃描即可完成蒸鍍，無(wú)需考慮在高分辨率要求下因使用FMM而帶來(lái)的一系列工藝難度，克服了傳統(tǒng)技術(shù)中因FMM工藝受限而不能夠滿足高分辨率的要求的問(wèn)題，提高了顯示屏的分辨率。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為第一實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法的步驟流程圖。
[0024]圖2為與圖1所示實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖3為第二實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法的流程圖。
[0026]圖4為與圖3所示實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖5為第三實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法的流程圖。
[0028]圖6為與圖5所示實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法中步驟S340對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖7為與圖5所示實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了更清楚的解釋本發(fā)明提供的OLED像素圖案蒸鍍方法及系統(tǒng)，以下結(jié)合實(shí)施例作具體的說(shuō)明，其中，0LED均采用主動(dòng)驅(qū)動(dòng)方式，即每一個(gè)像素圖案均配備具有開(kāi)關(guān)功能的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，從而對(duì)各像素獨(dú)立進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0031]在第一實(shí)施例中，圖1為第一實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法的流程圖。圖2為與圖1所示實(shí)施例的0LED像素圖案蒸鍍方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]如圖1、圖2所示，該0LED像素圖案蒸鍍方法，用于向TFT背板110蒸鍍像素圖案。該TFT背板110包括基板、薄膜晶體管陣列及透明的陽(yáng)極。其中，薄膜晶體管陣列及陽(yáng)極均分布于基板的正面111，且薄膜晶體管陣列及陽(yáng)極通過(guò)光刻的方式形成。需要說(shuō)明的是，基板的正面111與背面112，分別為基板上方向相反且相互平行的兩側(cè)面。同時(shí)，在該TFT背板110上，陽(yáng)極表面為待蒸鍍像素圖案的分布區(qū)域，即陽(yáng)極的分布區(qū)域與待蒸鍍像素圖案的分布區(qū)域一一對(duì)應(yīng)，且僅有陽(yáng)極透光。
[0033]第一實(shí)施例提供的0LED像素圖案蒸鍍方法具體包括以下步驟。
[0034]S110、將有機(jī)材料120涂布于平臺(tái)基板130上。
[0035]可以理解的是，步驟S110并非上述一種情況，例如若在執(zhí)行該0LED像素圖案蒸鍍方法前，已經(jīng)將有機(jī)材料120涂布于平臺(tái)基板130上，則可將步驟S110略掉。
[0036]S120、如圖2所示，將TFT背板110置于有機(jī)材料120上方，且陽(yáng)極面向有機(jī)材料120，即基板的正面111朝向有機(jī)材料120，而基板的背面112遠(yuǎn)離有機(jī)材料120，以使得有機(jī)材料120能夠蒸鍍至陽(yáng)極表面。
[0037]S130、在TFT背板110上方設(shè)置激光器140，也就是說(shuō)激光器140是與基板的背面112相對(duì)。
[0038]可以理解的是，步驟S130并非上述一種情況，例如若在執(zhí)行該0LED像素圖案蒸鍍方法前，已經(jīng)在TFT背板110上方設(shè)置有激光器140，則可以將步驟S130省略。
[0039]S140、用激光向基板的背面112掃描，且激光掃描的區(qū)域至少包括陽(yáng)極覆蓋的所有區(qū)域。
[0040]當(dāng)激光照射到TFT背板110中基板的背面112后，由于TFT背板110上僅有陽(yáng)極透光，因此激光只能通過(guò)陽(yáng)極的分布區(qū)域，并直射至有機(jī)材料120中與陽(yáng)極正對(duì)的部分。之后，有機(jī)材料120在激光的作用下即可蒸鍍至陽(yáng)極表面，從而形成像素圖案。同時(shí)由于激光掃描的區(qū)域至少包括陽(yáng)極覆蓋的所有區(qū)域，因此當(dāng)激光掃描完成后，即可遍歷所有的陽(yáng)極分布區(qū)域，從而使得有機(jī)材料120最終蒸鍍