81接觸所述漏極72。所 述像素電極9的材料為IT0。
[0079]由上述方法制作的TFT背板的結(jié)構(gòu)如圖1或圖2所示，對(duì)應(yīng)于TFT所在的區(qū)域，所述 柵極絕緣層4為三層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為由介電層41、氮化硅層42、與二氧化硅層43,位于 所述柵極絕緣層4最上層的二氧化硅層43能夠有效阻止柵極51向氮化硅層42注入載流子， 保護(hù)氮化硅層42不受破壞，而二氧化硅層43的可靠性優(yōu)于氮化硅層42,受載流子的影響較 小，柵極絕緣層4的品質(zhì)得以保證，并且所述二氧化硅層43還可以防止在蝕刻?hào)艠O51時(shí)對(duì)氮 化硅層42造成過(guò)蝕刻，從而能夠增強(qiáng)TFT的可靠性。對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容C所在的區(qū)域，所述柵極 絕緣層4為雙層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為由二氧化硅層充當(dāng)?shù)慕殡妼?1、與至少部分氮化硅層 42;或者所述柵極絕緣層4為單層結(jié)構(gòu)，僅包括由Al 3〇2層、Ti02層、Zr02層、或Hf02層等高介電 常數(shù)層充當(dāng)?shù)慕殡妼?1，柵極絕緣層4的厚度得以減薄，二氧化硅成分減少，增大了介電常 數(shù)，減小了存儲(chǔ)電容C的多晶硅電極板32與金屬電極板52之間的距離，從而能夠在保證存儲(chǔ) 電容性能(主要是電容存儲(chǔ)容量)的前提下，減少電容C的面積，提高開(kāi)口率。
[0080] 綜上所述，本發(fā)明的TFT背板結(jié)構(gòu)，通過(guò)設(shè)置柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于TFT所在的區(qū)域?yàn)?三層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層、氮化硅層、與二氧化硅層，由所述二氧化硅層來(lái)阻止柵 極向氮化硅層注入載流子，保護(hù)氮化硅層不受破壞，并且所述二氧化硅層還可以防止對(duì)氮 化硅層造成過(guò)蝕刻，從而能夠增強(qiáng)TFT的可靠性;設(shè)置柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容所在的區(qū) 域?yàn)殡p層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層、與至少部分氮化硅層，或者所述柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于 存儲(chǔ)電容所在的區(qū)域?yàn)閱螌咏Y(jié)構(gòu)，僅包括介電層，能夠增大介電常數(shù)，減小存儲(chǔ)電容兩電極 板之間的距離，從而能夠在保證存儲(chǔ)電容性能的前提下，減少電容面積，提高開(kāi)口率。本發(fā) 明的TFT背板的制作方法，通過(guò)光刻制程對(duì)欲形成存儲(chǔ)電容所在區(qū)域?qū)?yīng)的柵極絕緣層進(jìn) 行蝕刻，蝕刻掉該區(qū)域內(nèi)全部的二氧化硅層以及部分氮化硅層，或者蝕刻掉該區(qū)域內(nèi)全部 的二氧化硅層以及全部的氮化硅層，使得由該方法制作的TFT背板中柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于TFT 所在的區(qū)域?yàn)槿龑咏Y(jié)構(gòu)，而柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容所在的區(qū)域?yàn)殡p層結(jié)構(gòu)或單層結(jié) 構(gòu)，從而使得TFT背板既具有較強(qiáng)的可靠性，又能夠在保證存儲(chǔ)電容性能的前提下，減少電 容面積，提高開(kāi)口率。
[0081] 以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板（1)、覆蓋所述基板（1)的緩沖層(2)、設(shè)于 所述緩沖層(2)上相互間隔開(kāi)的多晶硅有源層（31)與多晶硅電極板(32)、覆蓋所述多晶硅 有源層(31)、多晶硅電極板(32)、與緩沖層(2)的柵極絕緣層(4)、于所述多晶硅有源層(31) 上方設(shè)于柵極絕緣層(4)上的柵極(51)、于所述多晶硅電極板(32)上方設(shè)于柵極絕緣層(4) 上的金屬電極板(52)、覆蓋所述柵極(51)、金屬電極板(52)、與柵極絕緣層(4)的層間絕緣 層(6)、及設(shè)于所述層間絕緣層(6)上的源極(71)與漏極(72); 所述多晶硅有源層（31)、柵極（51)、源極(71)、與漏極(72)構(gòu)成TFT(T)，所述多晶硅電 極板(32)與金屬電極板(52)構(gòu)成存儲(chǔ)電容(C); 所述柵極絕緣層（4)對(duì)應(yīng)于TFT(T)所在的區(qū)域?yàn)槿龑咏Y(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層 (41)、氮化硅層(42)、與二氧化硅層(43);所述柵極絕緣層(4)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容(C)所在的區(qū) 域?yàn)殡p層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層(41 )、與至少部分氮化硅層(42);或者所述柵極絕緣 層(4)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容(C)所在的區(qū)域?yàn)閱螌咏Y(jié)構(gòu)，僅包括介電層(41)。2. 如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅有源層(31)的兩側(cè)均植 入摻雜離子，分別構(gòu)成源極接觸區(qū)（311)與漏極接觸區(qū)（312)，所述源極接觸區(qū)（311)與漏極 接觸區(qū)（312)之間構(gòu)成溝道區(qū)（313);所述源極（71)與漏極（72)分別經(jīng)由貫穿層間絕緣層 (6)和柵極絕緣層(4)的第一過(guò)孔(641)與第二過(guò)孔(642)接觸所述源極接觸區(qū)（311)與漏極 接觸區(qū)（312)。3. 如權(quán)利要求1或2所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括覆蓋所述源極(71)、漏極 (72)、與層間絕緣層(6)的平坦層(8)、設(shè)于所述平坦層(8)上的像素電極(9)、設(shè)于所述像素 電極(9)與平坦層（8)上的像素定義層（10)、及設(shè)于所述像素定義層（10)上的光阻間隔物 (11); 所述像素電極(9)經(jīng)由貫穿所述平坦層(8)的第三過(guò)孔(81)接觸所述漏極(72)。4. 如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層(41)為二氧化硅層。5. 如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層(41)為三氧化二鋁層、二 氧化鈦層、二氧化鋯層、或二氧化鉿層。6. -種TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一經(jīng)過(guò)清洗和預(yù)烘烤的基板(1); 步驟2、在所述基板（1)上依次沉積形成緩沖層(2)、與非晶硅層； 步驟3、通過(guò)準(zhǔn)分子激光退火制程或固相晶化制程使非晶硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，?對(duì)多晶硅層進(jìn)行圖案化處理，定義出多晶硅有源層(31)、與多晶硅電極板(32); 步驟4、于所述緩沖層(2)、多晶硅有源層(31)、與多晶硅電極板(32)上自下至上依次沉 積介電層(41 )、氮化硅層(42)、與二氧化硅層(43)，形成柵極絕緣層(4); 步驟5、通過(guò)光刻制程對(duì)欲形成存儲(chǔ)電容所在區(qū)域?qū)?yīng)的柵極絕緣層(4)進(jìn)行蝕刻，蝕 刻掉該區(qū)域內(nèi)全部的二氧化硅層(43)以及部分氮化硅層(42 )，或者蝕刻掉該區(qū)域內(nèi)全部的 二氧化硅層(43)以及全部的氮化硅層(42); 步驟6、于所述柵極絕緣層(4)上沉積并圖案化第一金屬層，形成柵極(51)、與金屬電極 板(52)，所述柵極(51)位于所述多晶硅有源層(31)上方，所述金屬電極板(52)位于多晶硅 電極板(32)上方； 所述多晶硅電極板(32)與金屬電極板(52)構(gòu)成存儲(chǔ)電容(C); 步驟7、以柵極(51)、與金屬電極板(52)為遮蔽層對(duì)多晶硅有源層(31)的兩側(cè)植入摻雜 離子，分別形源極接觸區(qū)（311)與漏極接觸區(qū)（312)，所述源極接觸區(qū)（311)與漏極接觸區(qū) (312)之間構(gòu)成溝道區(qū)（313); 步驟8、于所述柵極絕緣層(4)、柵極(51)、與金屬電極板(52)上沉積并圖案化層間絕緣 層（6)，形成分別暴露出所述源極接觸區(qū)（311)與漏極接觸區(qū)（312)部分表面的第一過(guò)孔 (641)與第二過(guò)孔(642); 步驟9、于所述層間絕緣層(6)上沉積并圖案化第二金屬層，形成源極(71)與漏極(72)， 所述源極(71)與漏極(72)分別經(jīng)由第一過(guò)孔(641)與第二過(guò)孔(642)接觸所述源極接觸區(qū) (311)與漏極接觸區(qū)（312); 所述多晶硅有源層(31)、柵極(51)、源極(71)、與漏極(72)構(gòu)成TFT(T)。7. 如權(quán)利要求6所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟10、于所述層間絕 緣層(6)、源極(71)、與漏極(72)上由下至上依次制作平坦層(8)、像素電極(9)、像素定義層 (10)、及光阻間隔物（11); 所述像素電極(9)經(jīng)由貫穿所述平坦層(8)的第三過(guò)孔(81)接觸所述漏極(72)。8. 如權(quán)利要求6所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中沉積的介電層 (41)為二氧化硅層。9. 如權(quán)利要求6所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中沉積的介電層 (41)為三氧化二鋁層、二氧化鈦層、二氧化鋯層、或二氧化鉿層。10. 如權(quán)利要求6所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟7中植入的摻雜離 子為磷離子、或硼離子。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法。該TFT背板結(jié)構(gòu)通過(guò)設(shè)置柵極絕緣層(4)對(duì)應(yīng)于TFT(T)所在的區(qū)域?yàn)槿龑咏Y(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層(41)、氮化硅層(42)、與二氧化硅層(43)，能夠增強(qiáng)TFT的可靠性；設(shè)置柵極絕緣層(4)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容(C)所在的區(qū)域?yàn)殡p層結(jié)構(gòu)，自下至上依次為介電層(41)、與至少部分氮化硅層(42)，或者所述柵極絕緣層(4)對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容(C)所在的區(qū)域?yàn)閱螌咏Y(jié)構(gòu)，僅包括介電層(41)，能夠增大介電常數(shù)，減小存儲(chǔ)電容(C)兩電極板之間的距離，從而能夠在保證存儲(chǔ)電容性能的前提下，減少電容面積，提高開(kāi)口率。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12, H01L29/51, H01L21/77
【公開(kāi)號(hào)】CN105514116
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510882240
【發(fā)明人】周星宇
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年12月3日