封裝基板的磨削方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝基板的磨削方法，將封裝基板的密封樹(shù)脂層磨削至期望的厚度。
【背景技術(shù)】
[0002]在CSP(Chip Size Package:芯片尺寸封裝)或 QFN(Quad Flat Non-1eadedPackage:四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝)等封裝基板中，分別將具有多個(gè)電極的多個(gè)器件的正面以使其與電極基板(引腳框架)相對(duì)的方式隔著規(guī)定的間隔地配設(shè)，對(duì)配設(shè)于電極基板的器件的背面進(jìn)行樹(shù)脂密封，通過(guò)切削裝置將封裝基板分割成各個(gè)封裝器件，分割后的封裝器件廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備。
[0003]近年來(lái)，伴隨著移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備的小型化、輕量化，各個(gè)封裝器件也向小型化、薄型化推進(jìn)。作為實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化的技術(shù)公知有如下技術(shù):在將封裝基板分割成各個(gè)封裝器件之前，將封裝基板的背面的密封樹(shù)脂磨削至期望的厚度，然后通過(guò)切削裝置分割成各個(gè)封裝器件(例如，參照日本特開(kāi)2011-181641號(hào)公報(bào)和日本特開(kāi)2014-015490 號(hào)公報(bào))。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-181641號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2014-015490號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]但是，在專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的方法中，需要用于在將封裝基板分割成各個(gè)封裝器件之前對(duì)封裝基板的背面的進(jìn)行磨削的磨削裝置，存在浪費(fèi)的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明是鑒于這種問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種封裝基板的磨削方法，SP使不具備磨削裝置，也能夠利用一臺(tái)切削裝置將封裝基板的密封樹(shù)脂層薄化到期望的厚度。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，提供一種封裝基板的磨削方法，使用切削裝置將封裝基板的密封樹(shù)脂層磨削至期望的厚度，其中，該切削裝置包含:第I切削構(gòu)件，該第I切削構(gòu)件具有安裝于第I主軸的末端的圓盤(pán)狀的第I平磨削磨石；以及第2切削構(gòu)件，該第2切削構(gòu)件具有安裝于第2主軸的末端的圓盤(pán)狀的第2平磨削磨石，在該封裝基板中，使具有多個(gè)電極的器件的正面與電極基板相對(duì)并隔著規(guī)定的間隔在該電極基板上配設(shè)有多個(gè)器件，且該封裝基板具有利用樹(shù)脂將配設(shè)在該電極基板上的多個(gè)器件的背面密封的所述密封樹(shù)脂層，該封裝基板的磨削方法的特征在于，具有如下的工序:保護(hù)部件粘貼工序，將該封裝基板的正面?zhèn)日迟N到一體地安裝在環(huán)狀框架上的保護(hù)部件上；保持工序，利用切削裝置的卡盤(pán)工作臺(tái)對(duì)粘貼有該保護(hù)部件的該封裝基板的正面?zhèn)冗M(jìn)行吸引保持；第I磨削工序，在實(shí)施該保持工序之后，使該第I平磨削磨石與該封裝基板的背面?zhèn)鹊脑撁芊鈽?shù)脂層接觸，并且使該第I平磨削磨石與該封裝基板在磨削進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng)，而將該封裝基板的該密封樹(shù)脂層磨削至第I厚度；以及第2磨削工序，在實(shí)施該第I磨削工序之后，使該第2平磨削磨石與該封裝基板的背面?zhèn)鹊脑撁芊鈽?shù)脂層接觸，并且使該第2平磨削磨石與該封裝基板在磨削進(jìn)給方向上相對(duì)移動(dòng)，而將該封裝基板的該密封樹(shù)脂層最終磨削至期望的厚度。
[0009]優(yōu)選所述圓盤(pán)狀的第I平磨削磨石和所述圓盤(pán)狀的第2平磨削磨石由圓盤(pán)狀的輪基座以及通過(guò)鍍鎳將磨粒固定在該輪基座的外周面上的電鍍磨石層構(gòu)成。
[0010]優(yōu)選所述圓盤(pán)狀的第2平磨削磨石的平均磨粒直徑為所述圓盤(pán)狀的第I平磨削磨石的平均磨粒直徑以下。
[0011]在本發(fā)明中，在雙主軸的切削裝置的主軸上分別安裝圓盤(pán)狀第I平磨削磨石和圓盤(pán)狀第2平磨削磨石，由于利用第I平磨削磨石將密封樹(shù)脂層粗磨削至第I厚度，利用第2平磨削磨石將密封樹(shù)脂層最終磨削至期望的厚度，因此即使不具備磨削裝置，也能夠利用一臺(tái)切削裝置高效地磨削封裝基板的密封樹(shù)脂層。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是適于實(shí)施本發(fā)明的磨削方法的切削裝置的立體圖。
[0013]圖2是第I切削單元的分解立體圖。
[0014]圖3是第I和第2切削單元的示意性側(cè)視圖。
[0015]圖4是封裝基板的俯視圖。
[0016]圖5是封裝基板的側(cè)視圖。
[0017]圖6是示出保持部件粘貼工序的立體圖。
[0018]圖7是說(shuō)明粗磨削工序的剖視圖。
[0019]圖8是說(shuō)明最終磨削工序的剖視圖。
[0020]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0021]2:切削裝置;6:卡盤(pán)工作臺(tái);11:封裝基板；16A:第I切削單元;16B:第2切削單元；29:密封樹(shù)脂層；44:第I平磨削磨石；44B:第2平磨削磨石。
【具體實(shí)施方式】
[0022]以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。參照?qǐng)D1，示出了適于實(shí)施本發(fā)明的封裝基板的磨削方法的切削裝置2的立體圖。4是切削裝置2的基座，在該基座4上借助未圖示的切削進(jìn)給機(jī)構(gòu)以能夠在X軸方向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)的方式配設(shè)卡盤(pán)工作臺(tái)6，并且該卡盤(pán)工作臺(tái)6以能夠旋轉(zhuǎn)的方式配設(shè)。8是罩住切削進(jìn)給機(jī)構(gòu)的波紋罩。
[0023]盒載置臺(tái)10借助未圖示的盒升降機(jī)(升降構(gòu)件)以能夠在鉛垂方向(Z軸方向)上升降的方式配設(shè)于基座4。在盒載置臺(tái)10上載置有用于收納被加工物的盒12。
[0024]在基座4的后方豎立設(shè)置有門(mén)型形狀的第I柱14，第I切削單元16A和第2切削單元16B以能夠在Y軸方向和Z軸方向上移動(dòng)的方式安裝于該第I柱14。第I和第2切削單元16A、16B包含安裝于被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的主軸的末端的圓盤(pán)狀的平磨削磨石44、44B。
[0025]如圖2所示，第I切削單元16A包含以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收納在主軸外殼34中的主軸36，在主軸36的末端部安裝有安裝凸緣38，并由螺母40固定。進(jìn)而，在安裝凸緣38上安裝圓盤(pán)狀的平磨削磨石44，并由固定螺母42固定。
[0026]如圖3的示意性側(cè)視圖所示，在第I切削單元16A的主軸36的末端部安裝有圓盤(pán)狀的第I平磨削磨石44，在第2切削單元16B的主軸36B的末端部安裝有圓盤(pán)狀的第2平磨削磨石44B。本實(shí)施方式的切削裝置2是將第I平磨削磨石44與第2平磨削磨石44B對(duì)置配設(shè)的對(duì)向雙主軸的切削裝置。
[0027]這里，第I平磨削磨石44和第2平磨削磨石44B都是通過(guò)利用鍍鎳將金剛石磨粒電鍍于輪基座的外周面而形成的。優(yōu)選第2平磨削磨石44B的金剛石磨粒的平均磨粒直徑為第I平磨削磨石44的金剛石磨粒的平均磨粒直徑以下。并且，本實(shí)施方式的第I和第2平磨削磨石44、44B的寬度是15mm。
[0028]參照?qǐng)D4，示出封裝基板11的俯視圖。封裝基板11具有例如矩形形狀的電極基板(引腳框架)13，在電極基板13的由外周剩余區(qū)域15和非器件區(qū)域15a圍繞的區(qū)域中，在圖示的例子中