一種覆晶薄膜(cof)封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種覆晶薄膜(COF)封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機(jī)性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對(duì)集成電路封裝結(jié)束提出了越來越高的要求。
[0003]目前的芯片通過底填方式倒裝在作為載體的柔性電路板(薄膜)上，芯片與膜上覆蓋的金屬層通過金屬柱相連，與外界電性連接。典型的覆晶薄膜(COF)的方法流程包括:澆鑄法制無(wú)膠FCCL、制作精細(xì)線路、涂覆阻焊層、焊盤鍍Ni/Au、IC安裝、被動(dòng)元件焊接(回流焊)、LCD面板安裝等步驟。
[0004]但在上述方法中，在芯片上制備較高的凸點(diǎn)(bump)時(shí)，存在一些影響芯片制造良率的問題:
[0005 ] (I)凸點(diǎn)(bump)的高度控制IC芯片下方的凸點(diǎn)(bump)難以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；
[0006](2)在膜上生產(chǎn)凸點(diǎn)(bump)其制備方法較難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種覆晶薄膜(COF)封裝方法。
[0008]本發(fā)明提供了一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括:
[0009]在芯片功能區(qū)上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)；
[0010]在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)；
[0011]在所述第一金屬凸點(diǎn)或所述第二金屬凸點(diǎn)上涂上導(dǎo)電膠柱；
[0012]將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述多個(gè)第二金屬點(diǎn)一一相向?qū)?yīng)并通過所述導(dǎo)電膠柱連接；
[0013]在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的封裝方法，既能解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸點(diǎn)高度難以控制且其制備方法較難的問題，又能降低成本，提高封裝效率。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的一種實(shí)施例的方法流程圖；
[0017]圖2-圖6為本發(fā)明提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記:
[0019]1-芯片;2-柔性電路板;3-金屬層;4-導(dǎo)電膠柱；
[0020]5-第一金屬凸點(diǎn);6-第二金屬凸點(diǎn);7-塑封體。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0022]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。
[0023]如圖1，本實(shí)施例提供了一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括:
[0024]S10:在芯片功能區(qū)上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)；
[0025]S20:在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)；
[0026]S30:在第一金屬凸點(diǎn)或第二金屬凸點(diǎn)上涂上導(dǎo)電膠柱；
[0027]S40:將多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和多個(gè)第二金屬點(diǎn)一一相向?qū)?yīng)并通過導(dǎo)電膠柱連接；
[0028]S50:在芯片與柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。
[0029]首先，執(zhí)行步驟S10，如圖2所示，在芯片I功能區(qū)上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)5;
[0030]執(zhí)行步驟S20，如圖3所示，在柔性電路板2金屬層3上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)6;
[0031]可選的，本實(shí)施例提供的第一金屬凸點(diǎn)5和第二金屬凸點(diǎn)的材料為金屬銅。節(jié)約成本，導(dǎo)電性能良好，且容易制作。
[0032]執(zhí)行步驟S30，在所述第一金屬凸點(diǎn)5或所述第二金屬凸點(diǎn)6上涂上導(dǎo)電膠柱4。如圖4，在本實(shí)施例中，在第一金屬凸點(diǎn)5上涂布導(dǎo)電膠柱。
[0033]優(yōu)選地，本實(shí)施例提供的導(dǎo)電膠柱4材料是異方向性導(dǎo)電膠(ACF)，由于異方向性導(dǎo)電膠(ACF)只能在垂直方向上導(dǎo)電，而不能在平行方向上導(dǎo)電，所以減小第一金屬凸點(diǎn)或第二凸點(diǎn)之間的距離而不會(huì)使第一金屬凸點(diǎn)或第二金屬凸點(diǎn)6之間導(dǎo)電而發(fā)生短路。
[0034]執(zhí)行步驟S40，如圖5，將所述多個(gè)第一金屬凸5和多個(gè)第二金屬點(diǎn)6相向?qū)?yīng)并通過所述導(dǎo)電膠柱4連接。
[0035]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的第一金屬凸點(diǎn)5、第二金屬凸點(diǎn)6和導(dǎo)電膠柱4均為圓形柱體。方便對(duì)接，同時(shí)也方便后續(xù)步驟中第一金屬凸點(diǎn)和第二金屬凸點(diǎn)的壓合。
[0036]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的第一金屬凸點(diǎn)5、導(dǎo)電膠柱4和第二金屬凸點(diǎn)6的軸線在一條直線上。
[0037]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的導(dǎo)電膠柱4的截面直徑大于第一金屬凸點(diǎn)5和第二金屬凸點(diǎn)6的截面直徑。
[0038]執(zhí)行步驟S50，如圖6，在芯片I與柔性電路板2之間用塑封底填料填充并形成塑封體7 0
[0039]優(yōu)選地，在執(zhí)行步驟S50之前，壓合芯片I和柔性電路板2，使第一金屬凸點(diǎn)5和第二金屬凸點(diǎn)2對(duì)導(dǎo)電膠柱4施加一個(gè)垂直方向的壓力。使得導(dǎo)電膠柱固化，并能在垂直方向上較好地進(jìn)行傳遞電信號(hào)。
[0040]優(yōu)選第，本實(shí)施例提供的塑封體填料包覆第一金屬凸點(diǎn)5、第二金屬凸點(diǎn)6和導(dǎo)電膠柱4。通過塑封體填料包覆，使得第一金屬凸點(diǎn)、第二金屬凸點(diǎn)和導(dǎo)電膠柱結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，防濕、防潮。
[0041]優(yōu)選第，本實(shí)施例提供的塑封體填料的材料為環(huán)氧樹脂。這種材料的密封性能較好、塑封容易，是形成塑封體的較佳材料。
[0042]本發(fā)明提供的五面金屬化晶圓級(jí)封裝方法，在封裝體的下表面和側(cè)面均形成金屬鍍層，形成五面金屬化的晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品，、盡量不改變芯片的面積和體積的情況下，實(shí)現(xiàn)芯片之間的抗電磁干擾，在提高封裝精度，具有較高的集成度和整合度。
[0043]以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，其特征在于，包括: 在芯片功能區(qū)上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)； 在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)； 在所述第一金屬凸點(diǎn)或所述第二金屬凸點(diǎn)上涂上導(dǎo)電膠柱； 將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述多個(gè)第二金屬點(diǎn)一一相向?qū)?yīng)并通過所述導(dǎo)電膠柱連接；以及 在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，還包括壓合所述芯片和所述柔性電路板，使所述第一金屬凸點(diǎn)和所述第二金屬凸點(diǎn)對(duì)所述導(dǎo)電膠柱施加一個(gè)垂直方向的壓力。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膠柱材料為異方向性導(dǎo)電膠。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述第一金屬凸點(diǎn)和所述第二金屬凸點(diǎn)的材料為金屬銅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述第一金屬凸點(diǎn)、第二金屬凸點(diǎn)和導(dǎo)電膠柱均為圓形柱體。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述第一金屬凸點(diǎn)、所述導(dǎo)電膠柱和所述第二金屬凸點(diǎn)的軸線在一條直線上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膠柱的截面直徑大于所述第一金屬凸點(diǎn)和所述第二金屬凸點(diǎn)的截面直徑。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述塑封體填料包覆所述第一金屬凸點(diǎn)、所述第二金屬凸點(diǎn)和所述導(dǎo)電膠柱。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述塑封體填料的材料為環(huán)氧樹脂。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括：在芯片功能區(qū)上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)；在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)；在所述第一金屬凸點(diǎn)或所述第二金屬凸點(diǎn)上涂上導(dǎo)電膠柱；將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述多個(gè)第二金屬點(diǎn)一一相向?qū)?yīng)并通過所述導(dǎo)電膠柱連接；在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。本發(fā)明提供的封裝方法，既能解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸點(diǎn)高度難以控制且其制備方法較難的問題，又能降低成本，提高封裝效率。
【IPC分類】H01L21/60
【公開號(hào)】CN105551986
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510906810
【發(fā)明人】石磊
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月9日