一種覆晶薄膜（cof）封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，特別涉及一種覆晶薄膜(COF)封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品越來(lái)越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機(jī)性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對(duì)集成電路封裝結(jié)束提出了越來(lái)越高的要求。
[0003]目前的芯片通過(guò)底填方式倒裝在作為載體的柔性電路板(薄膜)上，芯片與膜上覆蓋的金屬層通過(guò)金屬柱相連，與外界電性連接。典型的覆晶薄膜(COF)的方法流程包括:澆鑄法制無(wú)膠FCCL、制作精細(xì)線路、涂覆阻焊層、焊盤(pán)鍍Ni/Au、IC安裝、被動(dòng)元件焊接(回流焊)、LCD面板安裝等步驟。
[0004]但在上述方法中，在芯片上制備較高的凸點(diǎn)(bump)時(shí)，存在一些影響芯片制造良率的問(wèn)題:
[0005 ] (I)凸點(diǎn)(bump)的高度控制IC芯片下方的凸點(diǎn)(bump)難以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；
[0006](2)在膜上生產(chǎn)凸點(diǎn)(bump)其制備方法較難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種覆晶薄膜(COF)封裝方法。
[0008]本發(fā)明提供了一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括:
[0009]提供一待封裝芯片；
[0010]提供一待封裝柔性電路板，并在所述柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第一金屬凸占.V，
[0011]在所述第一金屬凸點(diǎn)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱；
[0012]將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述芯片功能區(qū)相向?qū)?yīng)并通過(guò)所述異方向性導(dǎo)電膠柱連接；
[0013]在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法，既能解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸點(diǎn)高度難以控制且其制備方法較難的問(wèn)題，又能降低成本，提高封裝效率。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的一種實(shí)施例的方法流程圖；
[0017]圖2-圖6為圖1提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖7為本發(fā)明提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的另一種實(shí)施例的方法流程圖；
[0019]圖8-圖12為圖7提供的覆晶薄膜(COF)封裝方法的另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]附圖標(biāo)記:
[0021 ]1-芯片;2-柔性電路板;3-金屬層;4-導(dǎo)電膠柱；
[0022]5-第一金屬凸點(diǎn);6-第二金屬凸點(diǎn);7-焊盤(pán);8-塑封體。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0024]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。
[0025]第一實(shí)施例:
[0026]如圖1，本實(shí)施例提供了一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括:
[0027]S10:提供一待封裝芯片；
[0028]S20:提供一待封裝柔性電路板，并在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第一金屬凸占.V，
[0029]S30:在第一金屬凸點(diǎn)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱；
[0030]S40:將多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和芯片功能區(qū)相向?qū)?yīng)并通過(guò)異方向性導(dǎo)電膠柱連接；[0031 ] S50:在芯片與柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。
[0032]首先，執(zhí)行步驟S10，如圖2所示，提供一待封裝芯片I;
[0033]執(zhí)行步驟S20，如圖3所示，提供一待封裝柔性電路板2，并在柔性電路板2金屬層3上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)5;
[0034]執(zhí)行步驟S30，如圖4，在第一金屬凸點(diǎn)5上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱4。由于異方向性導(dǎo)電膠(ACF)只能在垂直方向上導(dǎo)電，而不能在平行方向上導(dǎo)電，防止了第一金屬凸點(diǎn)之間發(fā)生導(dǎo)電而導(dǎo)致芯片短路的危險(xiǎn)。
[0035]執(zhí)行步驟S40，如圖5，將多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)5和芯片I功能區(qū)相向?qū)?yīng)并通過(guò)異方向性導(dǎo)電膠柱4連接；
[0036]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的第一金屬凸點(diǎn)5和異方向性導(dǎo)電膠柱4呈圓柱形體。方便對(duì)接，同時(shí)也方便后續(xù)步驟中芯片和柔性電路板對(duì)異方向性導(dǎo)電膠柱的壓合。
[0037]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的第一金屬凸點(diǎn)5和異方向性導(dǎo)電膠柱4的軸線在一條直線上。
[0038]優(yōu)選地，如圖5，本實(shí)施例提供的異方向性導(dǎo)電膠柱4的圓截面直徑大于第一金屬凸點(diǎn)5圓截面直徑。
[0039]執(zhí)行步驟S50，如圖6，在芯片I與柔性電路板2之間用塑封底填料填充并形成塑封體8 ο
[0040]優(yōu)選地，在執(zhí)行步驟S50之前，壓合芯片I和柔性電路板2，使第一金屬凸點(diǎn)5和芯片I對(duì)異方向性導(dǎo)電膠柱4施加一個(gè)垂直方向的壓力。使得異方向性導(dǎo)電膠柱膠柱固化，并能在垂直方向上較好地進(jìn)行傳遞電信號(hào)。
[0041 ] 第二實(shí)施例
[0042]如圖7，本實(shí)施例提供了另一種覆晶薄膜(COF)封裝方法，包括:
[0043]S100:提供一待封裝芯片，并在芯片上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)；
[0044]S200:提供一待封裝柔性電路板，并在柔性電路板金屬層上形成多個(gè)焊盤(pán)；
[0045]S300:在第二金屬凸點(diǎn)或焊盤(pán)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱；
[0046]S400:將多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)和焊盤(pán)相向?qū)?yīng)對(duì)應(yīng)并通過(guò)異方向性導(dǎo)電膠柱連接；
[0047 ] S500:在芯片與柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。
[0048]首先，執(zhí)行步驟S100，如圖8所示，提供一待封裝芯片I，并在芯片I上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)6;
[0049]執(zhí)行步驟S200，如圖9所示，提供一待封裝柔性電路板2，并在柔性電路板2金屬層3上形成多個(gè)焊盤(pán)7;
[0050]執(zhí)行步驟S300，在第二金屬凸點(diǎn)6或所述焊盤(pán)7上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱4;如圖10所示，在本實(shí)施例中，在第二金屬凸點(diǎn)6上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱4。
[0051 ] 執(zhí)行步驟S400，如圖11所示，將多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)6和焊盤(pán)7——相向?qū)?yīng)對(duì)應(yīng)并通過(guò)異方向性導(dǎo)電膠柱4連接；
[0052]優(yōu)選地，如圖11所示，如圖本實(shí)施例提供的第二金屬凸點(diǎn)6和異方向性導(dǎo)電膠柱4均為圓柱形，異方向性導(dǎo)電膠柱4的圓截面直徑大于第二金屬凸點(diǎn)6的圓截面直徑。
[0053]執(zhí)行步驟S500，如圖12所示，在芯片I與柔性電路板2之間用塑封底填料填充并形成塑封體8。
[0054]優(yōu)選地，如圖12所示，本實(shí)施例提供的塑封體包覆第二金屬凸點(diǎn)5、焊盤(pán)7和異方向性導(dǎo)電膠柱4。通過(guò)塑封體包覆，使得第二金屬凸點(diǎn)、焊盤(pán)和導(dǎo)電膠柱結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，防濕、防潮。
[0055]優(yōu)選地，本實(shí)施例提供的塑封體填料的材料為環(huán)氧樹(shù)脂。這種材料的密封性能較好、塑封容易，是形成塑封體的較佳材料。
[0056]以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說(shuō)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開(kāi)的(但不限于)具有類(lèi)似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，包括: 提供一待封裝芯片； 提供一待封裝柔性電路板，并在所述柔性電路板的金屬層上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)； 在所述第一金屬凸點(diǎn)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱； 將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述待封裝芯片的功能區(qū)相向?qū)?yīng)并通過(guò)所述異方向性導(dǎo)電膠柱連接； 在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，還包括壓合所述芯片和所述柔性電路板，使所述第一金屬凸點(diǎn)和所述芯片的功能區(qū)對(duì)所述異方向性導(dǎo)電膠柱施加一個(gè)垂直方向的壓力。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述異方向性導(dǎo)電膠柱和第一金屬凸點(diǎn)均為圓柱形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述異方向性導(dǎo)電膠柱和第一金屬凸點(diǎn)軸線在同一條直線上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述異方向性導(dǎo)電膠柱的截面直徑大于所述第一金屬凸點(diǎn)的截面直徑。6.一種覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，包括: 提供一待封裝芯片，并在所述芯片上形成多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)； 提供一待封裝柔性電路板，并在所述柔性電路板的金屬層上形成多個(gè)焊盤(pán)； 在所述第二金屬凸點(diǎn)或所述焊盤(pán)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱； 將所述多個(gè)第二金屬凸點(diǎn)和所述焊盤(pán)一一相向?qū)?yīng)并通過(guò)所述異方向性導(dǎo)電膠柱連接； 在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，還包括壓合所述芯片和所述柔性電路板，使所述第二金屬凸點(diǎn)和所述焊盤(pán)對(duì)所述異方向性導(dǎo)電膠柱施加一個(gè)垂直方向的壓力。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述第二金屬凸點(diǎn)和所述異方向性導(dǎo)電膠柱均為圓柱形，所述異方向性導(dǎo)電膠柱的圓截面直徑大于所述第二金屬凸點(diǎn)的圓截面直徑。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述塑封體填料包覆所述第一金屬凸點(diǎn)、所述焊盤(pán)和所述異方向性導(dǎo)電膠柱。10.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一所述的覆晶薄膜(COF)的封裝方法，其特征在于，所述塑封體填料的材料為環(huán)氧樹(shù)脂。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種基于異方向性導(dǎo)電膠的覆晶薄膜(COF)封裝方法。包括：提供一待封裝芯片；提供一待封裝柔性電路板，并在所述柔性電路板金屬層上形成多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)；在所述第一金屬凸點(diǎn)上涂上異方向性導(dǎo)電膠柱；將所述多個(gè)第一金屬凸點(diǎn)和所述芯片功能區(qū)相向?qū)?yīng)并通過(guò)所述異方向性導(dǎo)電膠柱連接；在所述芯片與所述柔性電路板之間用塑封底填料填充并形成塑封體。本發(fā)明提供的封裝方法，既能解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸點(diǎn)高度難以控制且其制備方法較難的問(wèn)題，又能降低成本，提高封裝效率。
【IPC分類(lèi)】H01L21/60
【公開(kāi)號(hào)】CN105551987
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510908404
【發(fā)明人】石磊
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月9日