一種晶圓生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶圓生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓是指??圭半導體集成電路制作所用的娃晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅。但是，傳統(tǒng)晶圓生產(chǎn)工藝良莠不齊，總體都存在過程繁瑣，成本高，良率低的不足。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于通過一種晶圓生產(chǎn)工藝，來解決以上【背景技術(shù)】部分提到的問題。
[0004]為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種晶圓生產(chǎn)工藝，其包括如下步驟:
[0006]S101、晶棒成長工序；
[0007]S102、晶棒裁切與檢測:將長成的晶棒去掉直徑未達標頭、尾部分，并對尺寸進行檢測；
[0008]S103、外徑研磨:對外徑進行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差；
[0009]S104、切片:采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片；
[0010]S105、圓邊:電腦控制設備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸；
[0011 ] S106、研磨:去掉切割時在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達到所要求的光潔度；
[0012]S107、蝕刻:以化學蝕刻的方法，去掉經(jīng)上述步驟加工后在晶片表面產(chǎn)生的一層損傷層；
[0013]S108、去疵:用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層；
[0014]S109、拋光:對晶片的邊緣和表面進行拋光處理，去掉附著在晶片上的微粒，獲得極佳的表面平整度；
[0015]S1010、清洗:將加工完成的晶片進行徹底清洗、風干。
[0016]特別地，所述步驟S1010之后還包括步驟:S1011、檢驗:檢驗產(chǎn)品的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度是否達到規(guī)定要求。
[0017]特別地，所述步驟SlOl具體包括:融化，將塊狀的復晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點，使其完全融化；頸部成長，待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將晶種插入其中，接著將晶種往上提升，使其直徑縮小到預設尺寸；晶冠成長，頸部成長完成后，降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸；晶體成長，調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，直到晶棒長度；尾部成長，當晶棒長度達到預定值后再加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，使晶棒與液面完全分離。
[0018]本發(fā)明提供的晶圓生產(chǎn)工藝過程簡單，生產(chǎn)出的晶圓質(zhì)量高，同時降低了生產(chǎn)成本，提聞了廣品良率。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明實施例提供的晶圓生產(chǎn)工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0021]請參照圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的晶圓生產(chǎn)工藝流程圖。
[0022]本實施例中晶圓生產(chǎn)工藝具體包括如下步驟:
[0023]S101、晶棒成長工序。具體過程包括:融化，將塊狀的復晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點，使其完全融化；頸部成長，待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將晶種插入其中，接著將晶種往上提升，使其直徑縮小到預設尺寸；晶冠成長，頸部成長完成后，降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸；晶體成長，調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，直到晶棒長度；尾部成長，當晶棒長度達到預定值后再加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，使晶棒與液面完全分離。
[0024]S102、晶棒裁切與檢測:將長成的晶棒去掉直徑未達標頭、尾部分，并對尺寸進行檢測。
[0025]S103、外徑研磨:對外徑進行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。
[0026]S104、切片:采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。
[0027]S105、圓邊:電腦控制設備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。
[0028]S106、研磨:去掉切割時在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達到所要求的光潔度。
[0029]S107、蝕刻:以化學蝕刻的方法，去掉經(jīng)上述步驟加工后在晶片表面產(chǎn)生的一層損傷層。
[0030]S108、去疵:用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層。
[0031]S109、拋光:對晶片的邊緣和表面進行拋光處理，去掉附著在晶片上的微粒，獲得極佳的表面平整度。
[0032]S1010、清洗:將加工完成的晶片進行徹底清洗、風干。
[0033]S1011、檢驗:檢驗產(chǎn)品的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度是否達到規(guī)定要求。
[0034]本發(fā)明的技術(shù)方案工藝過程簡單，生產(chǎn)出的晶圓質(zhì)量高，同時降低了生產(chǎn)成本，提聞了廣品良率。
[0035]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括如下步驟: 5101、晶棒成長工序； 5102、晶棒裁切與檢測:將長成的晶棒去掉直徑未達標頭、尾部分，并對尺寸進行檢測； 5103、外徑研磨:對外徑進行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差； 5104、切片:采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片; 5105、圓邊:電腦控制設備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸； 5106、研磨:去掉切割時在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達到所要求的光潔度； 5107、蝕刻:以化學蝕刻的方法，去掉經(jīng)上述步驟加工后在晶片表面產(chǎn)生的一層損傷層； 5108、去疵:用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層； 5109、拋光:對晶片的邊緣和表面進行拋光處理，去掉附著在晶片上的微粒，獲得極佳的表面平整度； SlO 10、清洗:將加工完成的晶片進行徹底清洗、風干。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟S1010之后還包括步驟:S1011、檢驗:檢驗產(chǎn)品的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度是否達到規(guī)定要求。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項所述的晶圓生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟SlOl具體包括: 融化，將塊狀的復晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點，使其完全融化；頸部成長，待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將晶種插入其中，接著將晶種往上提升，使其直徑縮小到預設尺寸；晶冠成長，頸部成長完成后，降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸；晶體成長，調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，直到晶棒長度；尾部成長，當晶棒長度達到預定值后再加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，使晶棒與液面完全分離。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種晶圓生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：晶棒成長工序；晶棒裁切與檢測；外徑研磨；切片；圓邊；研磨；蝕刻；去疵；拋光；清洗。本發(fā)明工藝過程簡單，生產(chǎn)出的晶圓質(zhì)量高，同時降低了生產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品良率。
【IPC分類】C30B33/08, C30B28/10, H01L21/02
【公開號】CN105575765
【申請?zhí)枴緾N201410550980
【發(fā)明人】華源興
【申請人】江蘇凱旋涂裝自動化工程有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月16日