一種微顆粒的測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造及環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域，特別是涉及一種微顆粒的測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體制造設(shè)備對內(nèi)部環(huán)境的潔凈度要求極高，然而由于受設(shè)備自身和設(shè)備周圍環(huán)境影響，其內(nèi)部總是不可避免的存在顆粒、金屬雜質(zhì)等污染源。同時(shí)在設(shè)備運(yùn)行過程中，各運(yùn)動(dòng)部件的運(yùn)動(dòng)不可避免的產(chǎn)生摩擦，在相對濕度較低的硅片加工環(huán)境中，摩擦很容易產(chǎn)生高級別的靜電荷，成為硅片表面的又一污染源。這些污染源能使硅片上的芯片電學(xué)失效，據(jù)統(tǒng)計(jì)80%的芯片報(bào)廢是由污染引起。
[0003]然而，當(dāng)前使用的潔凈工作室在工作時(shí)，操作人員往往不知道工作區(qū)的潔凈狀況，只能通過定期使用相關(guān)的檢測設(shè)備，如塵埃粒子計(jì)數(shù)器等對其工作性能進(jìn)行檢測，不能對潔凈工作室的工作狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控。
[0004]例如，半導(dǎo)體制造車間中的貼膜區(qū)，一般空間較小，潔凈度要求很高，通常要求是10級或I級，需要對其進(jìn)行潔凈度的監(jiān)控，然而，現(xiàn)有的潔凈度監(jiān)控方法具有以下幾個(gè)缺占.V W、.
[0005]第一，現(xiàn)有測量儀價(jià)格非常昂貴，而且只能計(jì)數(shù)，適合較大區(qū)域的測量，在空間的邊角位置無法測量。
[0006]第二，由于設(shè)備有風(fēng)扇等工作，其測試的過程中可能產(chǎn)生顆粒，產(chǎn)生新的污染環(huán)境，從而降低潔凈度。
[0007]第三，現(xiàn)有的測試過程十分復(fù)雜，需要受過培訓(xùn)的專業(yè)技術(shù)員進(jìn)行操作，容易造成人力成本的浪費(fèi)。
[0008]鑒于以上原因，提供一種步驟簡單，測試區(qū)域靈活以及測試成本較低的微顆粒的測量方法實(shí)屬必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種微顆粒的測量方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中潔凈度的檢測步驟復(fù)雜、測試不靈活以及成本較高的問題。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種微顆粒的測量方法，所述測量方法至少包括:
[0011]I)提供一潔凈的透明基板，測量該透明基板原始的潔凈度；
[0012]2)將所述透明基板放置于待測定區(qū)域一預(yù)設(shè)時(shí)間，以沉著微顆粒；
[0013]3)測量所述透明基板最終的潔凈度；
[0014]4)依據(jù)所述最終的潔凈度及所述原始的潔凈度獲得帶測定區(qū)域的潔凈度。
[0015]作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案，所述潔凈度的衡量指標(biāo)包括微顆粒的數(shù)量及大小。
[0016]進(jìn)一步地，所述微顆粒為粒徑不小于0.3微米的顆粒。
[0017]優(yōu)選地，所述潔凈度的衡量指標(biāo)還包括微顆粒的形狀。
[0018]作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案，采用顆粒檢測儀測定所述透明基板的潔凈度。
[0019]進(jìn)一步地，所述顆粒檢測儀基于所述透明基板表面的反射光及透射光合成原理測定所述透明基板的潔凈度。
[0020]優(yōu)選地，通過調(diào)整透射光和反射光的強(qiáng)度合成比例實(shí)現(xiàn)多角度研究顆粒的形狀。
[0021]作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案，還包括采用所述顆粒檢測儀對沉著有微顆粒的透明基板進(jìn)行拍照、放大顯示以及統(tǒng)計(jì)的步驟。
[0022]作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案，所述透明基板為帶定位標(biāo)記的透明基板，包括石英板及玻璃板的一種。
[0023]作為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的一種優(yōu)選方案，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為I?600分鐘。
[0024]如上所述，本發(fā)明提供一種微顆粒的測量方法，所述測量方法至少包括:1)提供一潔凈的透明基板，測量該透明基板原始的潔凈度；2)將所述透明基板放置于待測定區(qū)域一預(yù)設(shè)時(shí)間，以沉著微顆粒；3)測量所述透明基板最終的潔凈度；4)依據(jù)所述最終的潔凈度及所述原始的潔凈度獲得帶測定區(qū)域的潔凈度。本發(fā)明的測量方法非常適合小環(huán)境，潔凈度要求很高的測量，它相對傳統(tǒng)顆粒測量方法具有以下優(yōu)點(diǎn):第一，測量過程簡單方便，可以放置任何位置；第二，無污染；第三，由于放置位置的精確，三維空間的定位非常精確，顆粒的數(shù)量、大小、形狀可精確定位，并可進(jìn)行拍照保存。
【附圖說明】
[0025]圖1顯示為本發(fā)明的微顆粒的測量方法的步驟流程示意圖。
[0026]圖2?4顯示為本發(fā)明的微顆粒的測量方法各步驟的具體操作示意圖。
[0027]元件標(biāo)號(hào)說明
[0028]101 透明基板
[0029]102 原始沉著的微顆粒
[0030]103 最終沉著的微顆粒
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0032]請參閱圖1?圖4。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0033]如圖1?圖4所示，本實(shí)施例提供一種微顆粒的測量方法，所述測量方法至少包括:
[0034]如圖1及圖2所示，首先進(jìn)行步驟I) S11，提供一潔凈的透明基板101，測量該透明基板101原始的潔凈度。
[0035]作為示例，所述透明基板101為帶定位標(biāo)記的透明基板，所述定位標(biāo)記用于確定微顆粒的相對位置，所述透明基板101包括石英板及玻璃板的一種。在本實(shí)施例中，所述透明基板101為帶有定位標(biāo)記的石英板。當(dāng)然，其它表面平整的透明材料制成的基板亦可用于本發(fā)明，因此，并不限定于此處所列舉的示例。
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