薄膜晶體管基板的制備方法、薄膜晶體管基板和液晶面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管基板的制備方法、一種薄膜晶體管基板，以及具有所述薄膜晶體管基板的液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]柔性屏因具有較強柔軟度、更耐沖擊、更輕薄等優(yōu)點，日漸受到業(yè)內(nèi)的重視。薄膜晶體管液晶柔性屏在彎曲時，顯示屏內(nèi)的薄膜晶體管會隨之產(chǎn)生微變形并承受應(yīng)力?，F(xiàn)有技術(shù)中，當顯示屏向不同方向彎曲時，顯示屏內(nèi)的薄膜晶體管在各個方向上承受的應(yīng)力和應(yīng)變不同，這將使得薄膜晶體管的電學(xué)特性在各個方向上產(chǎn)生差異。并且現(xiàn)有的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)容易導(dǎo)致薄膜晶體管在彎曲時產(chǎn)生應(yīng)力損壞，從而引發(fā)薄膜晶體管的性能故障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管基板的制備方法、一種薄膜晶體管基板，以及具有所述薄膜晶體管基板的液晶面板，能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管在彎曲時的性能缺陷。
[0004]—種薄膜晶體管基板的制備方法，所述薄膜晶體管基板具有襯底，所述制備方法包括:在所述襯底上形成柵極，所述柵極在所述襯底上的正投影為第一中心對稱圖形;在所述柵極上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形；在所述柵極絕緣層上形成有源層以及源極，所述源極圍繞在所述有源層的外周緣，所述源極在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影均為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形;在所述源極及所述有源層上形成鈍化層，所述鈍化層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形，所述鈍化層上對應(yīng)所述有源層的區(qū)域設(shè)有導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔的軸線通過所述第一中心對稱圖形的對稱中心;在所述導(dǎo)通孔內(nèi)生成漏極，所述漏極與所述有源層電連接;在所述鈍化層和所述絕緣保護層上生成像素電極，所述像素電極的一端與所述漏極相連。
[0005]其中，所述在所述柵極絕緣層上形成有源層以及源極包括:在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層在所述襯底上的正投影為第二中心對稱圖形，所述第二中心對稱圖形與所述第一中心對稱圖形同心;在所述柵極絕緣層上除所述半導(dǎo)體層之外的區(qū)域涂布第一光阻層，在所述半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層，所述第二光阻層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形，所述半導(dǎo)體層上涂覆有所述第二光阻層的部分作為所述有源層;對所述半導(dǎo)體層上除涂覆有所述第二光阻層之外的區(qū)域進行離子注入，以將所述半導(dǎo)體層中除所述有源層之外的部分轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲈礃O;除去所述第一光阻層與所述第二光阻層。
[0006]其中，所述柵極、所述柵極絕緣層、所述源極、所述有源層以及所述漏極在所述襯底上的正投影為圓形或正方形。
[0007]其中，所述在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層包括:使用化學(xué)氣相沉積將非晶硅材料沉積在所述柵極絕緣層上以形成所述半導(dǎo)體層;或使用物理氣相沉積將銦鎵鋅氧化物沉積在所述柵極絕緣層上以形成所述半導(dǎo)體層。
[0008]其中，通過物理氣相沉積和構(gòu)圖工藝同時形成所述漏極與所述像素電極。
[0009]—種薄膜晶體管基板，包括襯底，所述薄膜晶體管基板還包括:柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、鈍化層、漏極和像素電極;所述柵極設(shè)于所述襯底上，所述柵極在所述襯底上的正投影為第一中心對稱圖形;所述柵極絕緣層在所述柵極之上，且所述柵極絕緣層在襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形;所述有源層與所述源極均設(shè)于所述柵極絕緣層上，所述源極圍繞在所述有源層的外周緣，所述源極在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影均為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形;所述鈍化層位于所述源極及所述有源層之上，所述鈍化層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形，所述鈍化層上對應(yīng)所述有源層的區(qū)域設(shè)有導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔的軸線通過所述第一中心對稱圖形的對稱中心;所述漏極位于所述導(dǎo)通孔內(nèi)并與所述有源層電連接;所述像素電極位于所述鈍化層和所述絕緣保護層之上，所述像素電極的一端與所述漏極相連。
[0010]—種液晶面板，包括上述的薄膜晶體管基板。
[0011]由此，本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制備方法、薄膜晶體管基板及具有所述薄膜晶體管基板的液晶面板，通過在襯底上設(shè)置呈中心對稱的薄膜晶體管，薄膜晶體管在各個彎曲方向上承受的應(yīng)力和應(yīng)變相同，由此使得薄膜晶體管在各個彎曲方向上的電學(xué)特性均勻一致。并且此種中心對稱結(jié)構(gòu)，相比較其他非對稱結(jié)構(gòu)而言，由于不易出現(xiàn)薄膜晶體管的應(yīng)力不對稱效應(yīng)，薄膜晶體管在彎曲時不易發(fā)生應(yīng)力損壞，從而提升了薄膜晶體管的可靠性。
【附圖說明】
[0012]為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實施例來對其進行詳細說明。
[0013]圖1是本發(fā)明實施例的制備方法的示意性流程圖。
[0014]圖2是本發(fā)明實施例的制備方法中形成柵極的示意圖。
[0015]圖3是本發(fā)明實施例的制備方法中形成柵極絕緣層的示意圖。
[0016]圖4是本發(fā)明實施例的制備方法中形成源極與有源層的示意圖。
[0017]圖5是本發(fā)明實施例的制備方法中離子注入的示意圖。
[0018]圖6是本發(fā)明實施例的制備方法中形成鈍化層的示意圖。
[0019]圖7是本發(fā)明實施例的制備方法中形成漏極與像素電極的示意圖。
具體實施例
[0020]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0021]圖1是本發(fā)明實施例的薄膜晶體管基板的制備方法100的示意性流程圖。薄膜晶體管基板是液晶面板的重要組件之一。薄膜晶體管基板包括襯底，所述襯底一般為玻璃板或PI膜(Polyimide Film，聚酰亞胺薄膜)。所述襯底上設(shè)有薄膜晶體管陣列、掃描線、數(shù)據(jù)線，及驅(qū)動芯片等。如圖1所示，制備方法100包括:
[0022]SlOl，在所述襯底上形成柵極，所述柵極在所述襯底上的正投影為第一中心對稱圖形；
[0023]S102，在所述柵極上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形；
[0024]S103，在所述柵極絕緣層上形成有源層以及源極，所述源極圍繞在所述有源層的外周緣，所述源極在所述襯底上的正投影與所述有源層在所述襯底上的正投影均為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形；
[0025]S104，在所述源極及所述有源層上形成鈍化層，所述鈍化層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形，所述鈍化層上對應(yīng)所述有源層的區(qū)域設(shè)有導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔的軸線通過所述第一中心對稱圖形的對稱中心；
[0026]S105，在所述導(dǎo)通孔內(nèi)生成漏極，所述漏極與所述有源層電連接;在所述鈍化層和所述絕緣保護層上生成像素電極，所述像素電極的一端與所述漏極相連。
[0027]具體而言，如圖2所示，在SlOl中，通過物理氣相沉積在襯底201上沉積一層金屬層，所述金屬層的材料包括但不限于鋁或鉬。然后使用構(gòu)圖工藝對所述金屬層進行圖案化處理，最終生成柵極202。柵極202在襯底201上的正投影為第一中心對稱圖形。本實施例中，優(yōu)選的，所述第一中心對稱圖形為圓形。在其他實施例中，還可以通過其他常規(guī)工藝形成柵極202，和/或柵極202在襯底201上的正投影為其他中心對稱圖形，例如，正方形。
[0028]如圖3所示，在S102中，在柵極202之上，通過化學(xué)氣相沉積沉積一層?xùn)艠O絕緣層203，柵極絕緣層203的材料包括但不限于氮化硅或氧化硅。柵極絕緣層203完全包覆柵極202，起到將柵極202與其他沉積層隔絕的作用。柵極絕緣層203在襯底201上的正投影為圓形，并與柵極202在襯底201上的正投影同心。在其他實施例中，還可以通過其他常規(guī)工藝形成所述柵極絕緣層，和/或柵極絕緣層203在襯底201上的正投影為其他中心對稱圖形，例如，正方形。
[0029]如圖4所示，在S103中，在柵極絕緣層203之上，形成有源層204以及源極205。源極205貼合并圍繞在有源層204的外周緣，源極205在襯底201上的正投影為圓形，有源層204在襯底201上的正投影為圓環(huán)形，且源極205及有源層204在襯底201上的正投影均與所述第一中心對稱圖形同心。在其他實施例中，源極205與有源層204在襯底201上的正投影可以為其他中心對稱圖形，例如，正方形。
[0030]進一步的，在S103中，所述在所述柵極絕緣層上形成有源層以及源極包括:
[0031]在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層在所述襯底上的正投影為第二中心對稱圖形，所述第二中心對稱圖形與所述第一中心對稱圖形同心；
[0032]在所述柵極絕緣層上除所述半導(dǎo)體層之外的區(qū)域涂布第一光阻層，在所述半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層，所述第二光阻層在所述襯底上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的中心對稱圖形，所述半導(dǎo)體層上涂覆有所述第二光阻層的部分作為所述有源層；
[0033]對所述半導(dǎo)體層上除涂覆有所述第二光阻層之外的區(qū)域進行離子注入，以將所述半導(dǎo)體層中除所述有源層之外的部分轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲈礃O；
[0034]除去所述第一光阻層與所述第二光阻層。
[0035]具體的，如圖5所示，在柵極絕緣層203之上沉積一層半導(dǎo)體層206，半導(dǎo)體層206覆蓋部分柵極絕緣層203。半導(dǎo)體層206在襯底201上的正投影為與所述第一中心對稱圖形同心的圓形。半導(dǎo)體層206的材料包括但不限于非晶硅或銦鎵鋅氧化物。當使用非晶硅時，通過化學(xué)氣相沉積將非晶硅材料沉積在柵極絕緣層203之上形成半導(dǎo)體層206;當使用銦鎵鋅氧化物時，通過物理氣相沉積將銦鎵鋅氧