一種等離子體加工設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體加工設(shè)備借助其腔體內(nèi)部的等離子體對待加工器件進行加工處理。在等離子體加工過程中，地磁等外部磁場會對等離子體加工設(shè)備內(nèi)部的等離子體產(chǎn)生干擾。為了提高等離子體加工設(shè)備加工的一致性，需要消除地磁等外部磁場對腔體內(nèi)部的等離子體的干擾。
[0003]目前，為了消除地磁等外部磁場對等離子體加工設(shè)備腔體內(nèi)部的等離子體的干擾，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用在等離子體加工設(shè)備的外部覆蓋高磁導(dǎo)率金屬板的方式實現(xiàn)對腔體內(nèi)部等離子體的磁屏蔽。
[0004]采用在等離子加工設(shè)備外部覆蓋高磁導(dǎo)率金屬板的方式實現(xiàn)對腔體內(nèi)部等離子體的磁屏蔽存在如下缺點:
[0005]1、采用高磁導(dǎo)率金屬板屏蔽的方式，在直角轉(zhuǎn)彎、大曲率過度、小孔、小槽等區(qū)域，由于受金屬板厚度和折彎強度限制，很難實現(xiàn)金屬板屏蔽處理，導(dǎo)致磁屏蔽層不連續(xù)，容易在這些區(qū)域造成磁場泄露，影響磁屏蔽效果。
[0006]2、采用高磁導(dǎo)率金屬板屏蔽，為了實現(xiàn)金屬板之間磁感線連續(xù)，一般使用金屬板拼接、黏貼等方式安裝在刻蝕機腔體外部，拼接零件多，安裝過程復(fù)雜，影響生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種等離子體加工設(shè)備，以采用比較簡便的方法屏蔽外部磁場對等尚子體加工設(shè)備腔體內(nèi)部的等尚子體的干擾。
[0008]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
[0009]一種等離子體加工設(shè)備，包括腔體，在所述腔體的內(nèi)表面和/或所述腔體的外表面上涂覆有連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等離子體加工設(shè)備內(nèi)部的等離子體的干擾，其中，所述高磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率大于3000*10 6H/m。
[0010]可選地，所述高磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率大于5000*10 6H/m。
[0011]可選地，所述高磁導(dǎo)率材料涂層的厚度在0.005?2mm之間。
[0012]可選地，所述高磁導(dǎo)率材料涂層采用熱噴涂、蒸鍍或電鍍的方法涂覆。
[0013]可選地，所述等離子體加工設(shè)備還包括設(shè)置在所述腔體內(nèi)部的防護罩，所述防護罩用于等離子體與腔體之間的隔離。
[0014]可選地，在所述防護罩的內(nèi)表面和/或所述防護罩的外表面上涂覆有連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層。
[0015]可選地，在所述腔體的內(nèi)表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層的表面上設(shè)置有抗腐蝕材料涂層。
[0016]可選地，在所述腔體的內(nèi)表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層的表面上設(shè)置有抗腐蝕材料涂層；
[0017]和/或，在所述防護罩的內(nèi)表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層的表面上設(shè)置有抗腐蝕材料涂層；
[0018]和或，在所述防護罩的外表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層的表面上設(shè)置有抗腐蝕材料涂層。
[0019]一種等離子體加工設(shè)備，包括腔體和設(shè)置在所述腔體內(nèi)部的防護罩，所述防護罩用于等離子體與腔體之間的隔離，在所述腔體的內(nèi)表面上，和/或，所述腔體的外表面上，和/或，在所述防護罩的內(nèi)表面上，和/或，在所述防護罩的外表面上涂覆有連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等尚子體加工設(shè)備內(nèi)部的等尚子體的干擾，其中，所述聞磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率大于3000*10 6H/m。
[0020]可選地，所述高磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率大于5000*10 6H/m。
[0021]可選地，所述高磁導(dǎo)率材料涂層的厚度在0.005?2_之間。
[0022]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0023]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其腔體的內(nèi)表面和/或腔體的外表面上涂覆有連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層。地磁等外部磁場在穿過等離子體加工設(shè)備時會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，大部分外部磁場從高磁導(dǎo)率材料涂層及其附近區(qū)域通過等離子加工設(shè)備，僅有很少一部分外部磁場穿過腔體內(nèi)的等離子體。這種外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備的方式，不會對等離子體腔體內(nèi)部的等離子體產(chǎn)生干擾。
[0024]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備中，涂覆在腔體內(nèi)表面和/或外表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層不受材料涂層厚度和折彎強度的限制，可以實現(xiàn)無縫接合，實現(xiàn)較好的屏蔽效果。
[0025]進一步地，本發(fā)明直接在腔體的內(nèi)表面和/或外表面上形成連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層，免去了現(xiàn)有技術(shù)中采用的金屬板拼接黏貼等繁瑣流程，提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0026]為了清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對描述本發(fā)明的【具體實施方式】時用到的附圖做一簡要說明。顯而易見地，這些附圖僅是本發(fā)明實施例的部分附圖，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以獲得其它的附圖。
[0027]圖1是本發(fā)明實施例一提供的等離子體加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是不屏蔽外部磁場時，外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備時的情形示意圖；
[0029]圖3是圖2所示的腔體局部區(qū)域A的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖；
[0030]圖4是外部磁場穿過本發(fā)明實施例一提供的等離子體加工設(shè)備時的情形示意圖；
[0031]圖5是本發(fā)明實施例二提供的等離子體加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6是圖5所示的防護罩局部區(qū)域B的剖面結(jié)構(gòu)放大示意圖。
【具體實施方式】
[0033]為使本發(fā)明的目的、效果以及技術(shù)方案更加清楚完整，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行描述。
[0034]實施例一
[0035]圖1是本發(fā)明實施例一提供的等離子體加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。為使等離子體加工設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖簡潔、易懂并突出本發(fā)明的改進點，在圖1所示的等離子體加工設(shè)備中只顯示出了與本發(fā)明改進點相關(guān)的部件，那些與本發(fā)明改進點不相關(guān)的部件在圖1中沒有顯示出來。
[0036]如圖1所示，該等離子體加工設(shè)備包括腔體01以及位于腔體內(nèi)部的靜電吸盤02。當(dāng)需要對待加工晶圓03進行等離子加工時，將待加工晶圓03放置在靜電吸盤02上，通過靜電引力將待加工晶圓03固定在靜電吸盤02上。此時，形成于腔體內(nèi)部的等離子體04對待加工晶圓03進行加工處理。
[0037]由于腔體01內(nèi)部的等離子體帶有電荷，在外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備時，會對其內(nèi)部的等離子體產(chǎn)生干擾，從而影響待加工晶圓的處理效果。圖2示出了在不屏蔽外部磁場時，外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備時的情形，外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備時，磁場線不會發(fā)生偏折，有相當(dāng)一部分外部磁場穿過等離子體，從而對等離子體產(chǎn)生了干擾。
[0038]因此，為了保證等離子體對待加工晶圓的處理效果，需要消除外部磁場對等離子體加工設(shè)備內(nèi)部等離子體的干擾，因此，需要采取措施屏蔽外部磁場。
[0039]為了屏蔽外部磁場，本發(fā)明實施例在腔體01的內(nèi)表面和/或外表面上涂覆有一層連續(xù)的高磁導(dǎo)率材料涂層。為了清楚地理解腔體01的構(gòu)成，本發(fā)明實施例還提供了腔體01的局部區(qū)域A的放大示意圖，具體參見圖3。圖3是腔體01的一種結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域A的剖面示意圖。如圖3所示，該腔體01包括腔體基材20以及分別涂覆在腔體基材20的內(nèi)表面和外表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層21a和21b。該高磁導(dǎo)率材料涂層21a和21b的磁導(dǎo)率大于3000*10 6H/m。優(yōu)選地，該高磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率大于5000*10 6H/m。在圖3所示的腔體01的內(nèi)外表面上均涂覆了一層高磁導(dǎo)率材料涂層，實際上作為本發(fā)明實施例的變形，還可以僅在其內(nèi)表面或外表面上涂覆有一層高磁導(dǎo)率材料涂層。
[0040]通常情況下，該高磁導(dǎo)率材料涂層一般為金屬合金材料，例如可以為鐵鎳合金、鐵鎳鑰合金、軟鐵、硅鋼或坡莫合金。
[0041]需要說明的是，該高磁導(dǎo)率材料涂層的厚度很薄，一般為0.005?2mm之間，所以可以認(rèn)為該高磁導(dǎo)率材料涂層為超薄材料層。
[0042]該高磁導(dǎo)率材料涂層可以采用熱噴涂、蒸鍍或者電鍍的方式涂覆在腔體的內(nèi)、夕卜表面上。
[0043]由于該高磁導(dǎo)率材料涂層的磁導(dǎo)率較高，在地磁等外部磁場穿過等離子體加工設(shè)備時，大部分外部磁場發(fā)生偏折，如圖4所示，從高磁導(dǎo)率材料涂層及其附近區(qū)域穿過等離子體加工設(shè)備，只有很少部分外部磁場穿過腔體內(nèi)部的等離子體。因而，形成于腔體內(nèi)部的等離子體幾乎不受外部磁場的干擾，能夠?qū)崿F(xiàn)對待加工晶圓的加工處理的一致性。因此，涂覆在腔體內(nèi)、外表面上的高磁導(dǎo)率材料涂層能夠屏蔽外部磁場，從而減少甚至消除了外部磁場對等離子體的干擾。因此，采用該等離子體加工設(shè)備進行等離子體加工處理時，