一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0065]圖7D是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的帽蓋組件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0066]圖7E是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的帽蓋組件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0067]圖7F是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的帽蓋組件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0068]圖8A是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0069]圖SB是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0070]圖SC是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0071]圖8D是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0072]圖SE是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的一個(gè)階段的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0073]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。
[0074]同時(shí)，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部分的尺寸并不是按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制的。
[0075]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0076]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。
[0077]在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它示例可以具有不同的值。
[0078]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0079]圖2A是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。如圖2A所示，所述半導(dǎo)體器件包括:
[0080]襯底201，例如為硅襯底。
[0081]形成在所述襯底上的子組件203，子組件203包括第一金屬層2031以及與所述第一金屬層2031絕緣的第二金屬層2032。
[0082]具有金屬連接件206的帽蓋組件205。
[0083]貫穿襯底201形成的第一通孔2021和第二通孔2022，所述第一通孔2021和所述第二通孔2022填充有金屬,第一通孔2021中的金屬與子組件203的第一金屬層2031電性連接，第二通孔2022中的金屬與子組件203的第二金屬層2032電性連接，即可以用于將子組件的兩個(gè)電極分別通過襯底中的兩個(gè)通孔連接至所述半導(dǎo)體器件之外。
[0084]其中，利用金屬將通孔填充，在填充的過程中可以不完全填充(即存在空洞)，只要所填充的金屬不存在斷路即可。當(dāng)然也可以將通孔完全填充(即不存在空洞)。由于完全填充不會(huì)出現(xiàn)空洞，也不容易短路，熱膨脹率一致性較好，這樣使得電阻率更低更穩(wěn)定，可靠性更好。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，這里所述“貫穿”是指第一通孔和第二通孔將襯底穿透。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一通孔2021和第二通孔2022中的金屬可以為銅、鋁或者鎢等。利用銅、鋁或者鎢等來填充貫穿襯底的通孔，從而解決了在器件制作過程中的金污染問題，且成本也降低。
[0085]在襯底201上包圍子組件203形成的金屬連接襯墊204，其中所述金屬連接襯墊204與金屬連接件206對(duì)接，從而形成對(duì)子組件的封裝。其中，第一通孔2021中的金屬可以與金屬連接襯墊電性連接，也可以與金屬連接襯墊絕緣。由于第一通孔中的金屬與金屬連接襯墊絕緣，可以使得器件的抗干擾能力更好。所述金屬連接件與所述金屬連接襯墊可以均為銅，即形成銅-銅對(duì)接(Cu-Cu bonding)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明還可以采用其他的金屬對(duì)接，例如，所述金屬連接件與所述金屬連接襯墊可以分別為鋁和鍺，即形成鋁-鍺對(duì)接(Al-Ge bonding)。因此，本發(fā)明的范圍并不僅限于此。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述金屬連接襯墊的形狀可以為正方形、長(zhǎng)方形、圓形等環(huán)狀形狀(從帽蓋組件205向下看，圖2A未示出)。
[0086]在該實(shí)施例中，通過形成貫穿襯底并且填充有金屬的第一通孔和第二通孔，并且使得第一通孔中的金屬與子組件的第一金屬層電性連接，第二通孔中的金屬與子組件的第二金屬層電性連接，其中子組件的第一金屬層與第二金屬層絕緣，即為子組件的兩個(gè)電極，所以子組件的兩個(gè)電極分別通過填充有金屬的第一通孔和第二通孔電性連接至半導(dǎo)體器件之外，而不通過金屬連接件與金屬連接襯墊對(duì)接的界面，因此避免了由于界面接合處存在電阻而導(dǎo)致器件性能較差的問題。
[0087]圖2B是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面圖。在該實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括:在襯底201形成有位于所述子組件203下方的空腔210(如圖2B和圖SE所示)。在襯底中形成空腔(即襯底空腔)的作用是避免高頻下的襯底損耗(例如渦輪損耗)。當(dāng)然圖2B中空腔的形狀僅是示例性的，本發(fā)明的范圍并不僅限于此。
[0088]還如圖2B所示，在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括:與第一通孔2021中的金屬電性連接的第一重布線層2071以及與第二通孔2022中的金屬電性連接的第二重布線層2072，其中所述第一重布線層和所述第二重布線層絕緣，且均形成在襯底201的背面。其中，第一重布線層和第二重布線層的材料可以為銅等。
[0089]為了將半導(dǎo)體器件與外接電路電性連接，在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括:與第一重布線層2071電性連接的第一凸點(diǎn)2081以及與第二重布線層2072電性連接的第二凸點(diǎn)2082，其中所述第一凸點(diǎn)與所述第二凸點(diǎn)絕緣(如圖2B所示)。所述凸點(diǎn)用于與外接電路的電性連接。所述凸點(diǎn)例如為球形觸點(diǎn)(ball)，作為電性連接觸點(diǎn)。
[0090]為了使得第一重布線層和第二重布線層絕緣，在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括:形成在襯底201背面的第一絕緣層2091 (也可以稱為鈍化層)以及形成在第一絕緣層2091上的第二絕緣層2092，其中，第一絕緣層2091和第二絕緣層2092包圍第一重布線層2071和第二重布線層2072 (如圖2B所示)，使得第一重布線層2071與第二重布線層2072絕緣，也防止所述第一重布線層和所述第二重布線層被外界干擾，所述第一絕緣層2091還起到鈍化作用(例如對(duì)襯底背面的鈍化作用)。在一些實(shí)施例中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可以均為PBO(Poly-p-phenyIene ben-zobisthiazole,聚對(duì)苯撐苯并二惡唑)，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可以使用其他的絕緣材料，因此發(fā)明的范圍并不僅限于此。
[0091]在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括:形成在金屬連接襯墊204與襯底201之間的絕緣層211 (如圖2B所示)。例如，絕緣層211可以為氧化物(例如二氧化硅)或者氮化物(例如氮化硅)。由于金屬連接襯墊204包圍所述子組件，因此所述絕緣層211也包圍所述子組件。
[0092]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，子組件203還包括位于第一金屬層2031和第二金屬層2032之間的介質(zhì)層2033 (如圖2A和2B所示)。例如，第一金屬層2031和第二金屬層2032可以均為鑰層，介質(zhì)層2033可以為氮化鋁(AlN)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，子組件203可以為體聲波組件(例如BAW或者FBAR),第一金屬層2031和第二金屬層2032可以用作兩個(gè)電極，二者之間可以形成有更多層介質(zhì)層(例如氮化鋁層)和更多層金屬層(例如鑰層)，其中所述更多層金屬層和更多層介質(zhì)層可以交替形成。當(dāng)然，為了避免遮蔽本發(fā)明的構(gòu)思，沒有描述本領(lǐng)域所公知的一些細(xì)節(jié)，這里所示出的體聲波組件(例如BAW或者FBAR)僅是示例性的，本發(fā)明的范圍并不僅限于此處所示出的子組件的結(jié)構(gòu)。
[0093]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法的流程圖。
[0094]在步驟S301，在襯底上形成第一通孔和第二通孔，其中第一通孔和第二通孔填充有金屬。如圖4A所示，在襯底201上形成第一通孔2021和第二通孔2022，其中第一通孔和第二通孔填充有金屬。例如，襯底201可以為硅襯底，第一通孔2021和第二通孔2022中的金屬可以為銅、鋁或者鎢等。利用金屬將通孔填充，在填充的過程中可以不完全填充(即存在空洞)，只要所填充的金屬不存在斷路即可。當(dāng)然也可以將通孔完全填充(即不存在空洞)。由于完全填充不會(huì)出現(xiàn)空洞，也不容易短路，熱膨脹率一致性較好，這樣使得電阻率更低更穩(wěn)定，可靠性更好。
[0095]在步驟S302，在襯底上形成子組件，其中所述子組件包括第一金屬層以及與所述第一金屬層絕緣的第二金屬層，所述第一通孔中的金屬與所述子組件的第一金屬層電性連接，所述第二通孔中的金屬與所述子組件的第二金屬層電性連接，以及在襯底上形成包圍所述子組件的金屬連接襯墊。
[0096]如圖4B所示，在襯底201上形成子組件203，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，子組件203包括第一金屬層2031 (例如鑰層)、第二金屬層2032 (例如鑰層)以及位于第一金屬層2031和第二金屬層2032之間的介質(zhì)層2033 (例如氮化鋁層)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，子組件203可以為體聲波組件(例如BAW或者FBAR)，第一金屬層2031和第二金屬層2032可以用作兩個(gè)電極，二者之間可以形成有更多層介質(zhì)層(例如氮化鋁層)和更多層金屬層(例如鑰層)，其中所述更多層金屬層和更多層介質(zhì)層可以交替形成