施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0029]圖6是示出沿著圖5的線11-11’取得的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0030]圖7a_7j是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例用于制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法的截面圖；
[0031]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0032]圖9是示出沿著圖8的線11-11’取得的根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖；和
[0033]圖1Oa-1Oj是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法的截面圖。
【具體實施方式】
[0034]現(xiàn)在將具體參照本發(fā)明的實施例，其實例于附圖中示出。盡可能在整個附圖中使用相同附圖標記表示相同或相似部分。應(yīng)注意的是，如果確定公知技術(shù)會誤導(dǎo)本發(fā)明的實施例，則將省略該項技術(shù)的具體描述。
[0035]<第一實施例>
[0036]將參照圖5和圖6給出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的描述。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖，和圖6是示出沿著圖5的線11-11’取得的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0037]參照圖5和圖6，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器包括定義出發(fā)光區(qū)AA和非發(fā)光區(qū)NA的基板SUB，開關(guān)TFT ST，連接至開關(guān)TFT ST的驅(qū)動TFT DT，與驅(qū)動TFT DT接觸的第二存儲電容器電極SG2，由第一存儲電容器電極SGl和疊加于其上的第二存儲電容器電極SG2形成的存儲電容器STG，以及經(jīng)由第二存儲電容器電極SG2連接到驅(qū)動TFT DT的有機發(fā)光二極管OLED。存儲電容器STG和有機發(fā)光二極管OLED形成在發(fā)光區(qū)AA中，TFT ST和DT或者互聯(lián)線SL、DL和VDD形成在非發(fā)光區(qū)NA中。
[0038]掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL以矩陣形式形成在基板SUB上，以便定義像素。開關(guān)TFTST形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL的交叉點處且用于選擇像素。開關(guān)TFT ST包括開關(guān)柵極SG、溝道層SA、開關(guān)源極SS和開關(guān)漏極SD。開關(guān)柵極SG連接至掃描線SL以及開關(guān)源極SS從數(shù)據(jù)線DL分支。
[0039]驅(qū)動TFT DT包括驅(qū)動?xùn)艠ODG、溝道層DA、驅(qū)動源極DS和驅(qū)動漏極DD。驅(qū)動?xùn)艠ODG連接到開關(guān)漏極SD以及驅(qū)動源極DS從驅(qū)動電流線VDD分支。
[0040]鈍化層IN2被形成為覆蓋TFT ST和DT的源極SS和DS和漏極SD和DD同時暴露出部分的驅(qū)動漏極DD。第二存儲電容器電極SG2形成在鈍化層IN2上以與部分的驅(qū)動漏極DD接觸。此處，第二存儲電容器電極SG2疊加在第一存儲電容器電極SGl上，鈍化層IN2插入其間以形成存儲電容器STG，該第一存儲電容器電極SGl是在形成TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和DD時形成的。
[0041 ] 由于該存儲電容器STG是以由透明導(dǎo)電材料形成的第二存儲電容器電極SG2被疊加在由透明導(dǎo)電材料形成的第一存儲電容器電極SGl上的方式形成，因此存儲電容器STG可具有大面積，而不會降低發(fā)光區(qū)AA中的孔徑比。因此，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器能確保具有足夠容量的存儲電容器STG。
[0042]發(fā)光區(qū)AA中，濾色器CF可形成在第二存儲電容器電極SG2上使得濾色器CF分別對應(yīng)于像素區(qū)。此處，紅色、綠色和藍色濾色器CF可順序設(shè)置且濾色器CF可進一步包括白色濾色器CF。紅色和/或綠色濾色器CF可延伸至且形成在像素區(qū)中形成有TFT ST和DT的部分上，以覆蓋TFT ST和DT。
[0043]在其上形成有濾色器CF的基板SUB的整個表面上形成暴露出部分的第二存儲器電極SG2的覆蓋層0C。覆蓋層OC涂覆在基板SUB整個表面上以使其上形成有濾色器CF的基板SUB的表面平坦化。
[0044]陽極ANO被形成在覆蓋層OC上以與第二存儲電容器電極SG2接觸。陽極ANO經(jīng)由第二存儲電容器電極SG2電連接至驅(qū)動TFT的漏極DD。
[0045]在陽極ANO上形成暴露出部分的陽極ANO的堤部BN。有機發(fā)光層OLE形成在部分的堤部BN以及陽極ANO的暴露部分上，并且陰極CAT形成在有機發(fā)光是OLE上以覆蓋有機發(fā)光層OLE。以這種方式，完成包括陽極ΑΝ0、有機發(fā)光層OLE和陰極CAT的有機發(fā)光二極管 OLED0
[0046]將參照圖7a_7j描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造有機發(fā)光二極管顯示器的工藝。通過制造工藝更具體描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的特性。圖7a_7j是根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法的截面圖。
[0047]參照圖7a，將不透光屏蔽材料涂覆在基板SUB整個表面上且經(jīng)由第一掩模工藝將其圖案化以形成光屏蔽層LS。希望形成光屏蔽層LS使得稍后將形成的半導(dǎo)體層，特別是TFT的溝道區(qū)設(shè)置在光屏蔽層LS上。光屏蔽層LS用于保護氧化物半導(dǎo)體元件不受外部光的影響。將絕緣材料涂覆在其上形成有光屏蔽層LS的基板SUB的整個表面上，以便形成緩沖層BF0
[0048]參照圖7b，將半導(dǎo)體材料涂覆在其上形成有緩沖層BF的基板SUB的整個表面上。半導(dǎo)體材料可包括氧化物半導(dǎo)體材料如銦鎵鋅氧化物(IGZO)。經(jīng)由第二掩模工藝圖案化半導(dǎo)體材料層以形成半導(dǎo)體層SE。
[0049]參照圖7c，將絕緣材料和金屬材料順序涂覆在其上形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的整個表面上，并同時經(jīng)由第三掩模圖案化以形成柵極絕緣層GI和疊加于其上的柵極SG和DG。柵極SG和DG優(yōu)選形成為使得柵極SG和DG被設(shè)置在半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)，同時暴露出半導(dǎo)體層SE的兩個側(cè)面。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)被分別定義為開關(guān)TFT的溝道層SA和驅(qū)動TFT的溝道層DA。半導(dǎo)體層SE的暴露部分成為分別與開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT的源極和漏極相接觸的源極區(qū)SSA和DSA以及漏極區(qū)SDA和DDA。當(dāng)半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材料時，經(jīng)由等離子體處理工藝使源極區(qū)SSA和DSA以及漏極區(qū)SDA和DDA導(dǎo)電。
[0050]參照圖7d，將絕緣材料涂覆在其上形成有柵極SG和DG的基板SUB的整個表面上，以便形成層間絕緣層IN1。經(jīng)由第四掩模工藝圖案化層間絕緣層INl以形成用于暴露出半導(dǎo)體層的源極區(qū)SSA和DSA的接觸孔SSH和DSH以及用于暴露出半導(dǎo)體層的漏極SDA和DDA的接觸孔SDH和DDH。此處，同時形成用于暴露出驅(qū)動TFT的部分柵極DG的柵極接觸孔GH0
[0051]參照圖7e，將透明導(dǎo)電材料和金屬材料順序涂覆在其中形成有接觸孔的層間絕緣層INl上。透明導(dǎo)電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物等。經(jīng)由第五掩模工藝圖案化透明導(dǎo)電材料層和金屬材料層以形成開關(guān)TFT ST的源極SS和漏極SD和驅(qū)動TFT DT的源極DS和漏極DD。在發(fā)光區(qū)AA中，由透明導(dǎo)電材料形成第一存儲電容器電極SGl0此處開關(guān)TFT的漏極SD連接至驅(qū)動TFT的柵極DG。
[0052]使用半色調(diào)掩模執(zhí)行第五掩模工藝。通過使用半色調(diào)掩模，開關(guān)TFT ST的源極SS和漏極SD以及驅(qū)動TFT DT的源極DS和漏極DD形成為包括透明導(dǎo)電層ITO和金屬材料ME的雙層，并且第一存儲電容器電極SGl由僅包括透明導(dǎo)電層ITO的單層形成。雖然TFT ST和DT的源極SS和DS以及漏極SD和DD可由僅包括透明導(dǎo)電材料ITO的單層形成，但是考慮到透明導(dǎo)電材料ITO具有高的片電阻，希望源極SS和DS以及漏極SD和DD形成為包括疊置的透明導(dǎo)電材料ITO和金屬材料ME的雙層。
[0053]參照圖7f，將絕緣材料涂覆在其上形成有TFT ST和DT的基板SUB的整個表面上，以便形成鈍化層IN2。經(jīng)由第六掩模工藝圖案化鈍化層IN2以形成存儲電容器接觸孔SGH。
[0054]參照圖7g，將透明導(dǎo)電材料涂覆在其上形成有存儲電容器接觸孔SGH的基板SUB的整個表面上，并通過第七掩模工藝圖案化以形成第二存儲電容器電極SG2 ο希望第二存儲電容器電極SG2形成為疊加在第一存儲電容器電極SGl上。第二存儲電容器電極SG2經(jīng)由存儲電容器接觸孔SGH與驅(qū)動TFT DT的漏極DD接觸。
[0055]此處，第二存儲電容器電極SG2形成在第一存儲電容器電極SGl上，兩者在發(fā)光區(qū)AA中具有夾入其間的鈍化層IN2，以便形成存儲電容器STG。因此，由于第一存儲電容器電極SGl和SG2由透明導(dǎo)電材料形成，因此根據(jù)本發(fā)明第一實施例，可在整個發(fā)光區(qū)AA中形成第一和第二存儲電容器電極SGl和S