Tft背板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT背板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在平面顯示領(lǐng)域，TFT背板的像素電路存儲電容結(jié)構(gòu)一般包括玻璃基板，直接形成于玻璃基板上的多晶硅層(P-Si層)，直接形成于玻璃基板和多晶硅層上的柵極絕緣層(GI層，Gate Insulat1n Layer)，直接形成于柵極絕緣層上且位于多晶娃層上方的第一金屬層，直接形成于柵極絕緣層和第一金屬層上的電容絕緣層(Cl層，Capacitance Insulat1nLayer)，直接形成于電容絕緣層上且位于第一金屬層上方的第二金屬層，其中，第一金屬層作為驅(qū)動TFT的柵極，同時(shí)也作為存儲電容的一個(gè)極板，第二金屬層作為存儲電容的另一個(gè)極板，第一金屬層、第二金屬層及夾在第一金屬層和第二金屬層之間的部分電容絕緣層形成存儲電容。
[0003]像素電路的存儲電容在工作過程中會存儲驅(qū)動TFT的柵極電位，隨著顯示屏分辨率的提高，所需要的電容容量也越來越大。在目前的像素電路存儲電容結(jié)構(gòu)中，分別以第一金屬層和第二金屬層作為電容的兩個(gè)極板，由于電容的兩個(gè)極板為平面結(jié)構(gòu)，因此要獲得較大的電容容量就需要很大的版圖面積，而電容面積的增大會造成顯示裝置開口率的下降，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種可在有限的版圖面積下有效增加存儲電容容量的TFT背板及其制造方法。
[0005]本發(fā)明提供的TFT背板包括第一金屬層、位于所述第一金屬層上的電容絕緣層以及位于所述電容絕緣層上的第二金屬層，所述第二金屬層上形成有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層上形成有第三金屬層，所述第三金屬層穿過所述絕緣介質(zhì)層和所述電容絕緣層上形成的若干柵極過孔與所述第一金屬層接觸，所述第二金屬層上形成有供所述柵極過孔通過的若干鏤空部。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第二金屬層的一部分位于所述第一金屬層的正上方，所述第三金屬層包括位于所述第二金屬層的正上方的第一部分及穿過所述柵極過孔與所述第一金屬層相接觸的第二部分。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一金屬層、所述第二金屬層以及夾在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的部分電容絕緣層形成一第一電容，所述第二金屬層、所述第三金屬層的第一部分以及夾在所述第二金屬層和所述第三金屬層的第一部分之間的部分絕緣介質(zhì)層形成一第二電容，所述第二金屬層、所述第三金屬層的第二部分以及夾在所述第二金屬層的側(cè)面和所述第三金屬層的第二部分之間的部分絕緣介質(zhì)層形成一第三電容，所述TFT的存儲電容包括所述第一電容、所述第二電容及所述第三電容。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述存儲電容的面積等于所述第一電容、所述第二電容及所述第三電容的面積之和。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述存儲電容的面積等于所述第一金屬層和所述第二金屬層的有效投影面積、所述第二金屬層和所述第三金屬層的所述第一部分的有效投影面積以及所述第二金屬層的側(cè)面與所述第三金屬層的所述第二部分的有效投影面積之和減去所述柵極過孔總面積的兩倍。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述TFT背板還包括基板、位于基板上氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層、位于氧化硅層上的多晶硅層、以及位于多晶硅層上的柵極絕緣層，所述第一金屬層形成于所述柵極絕緣層上。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第三金屬層上形成有平坦化層，所述平坦化層上形成有陽極。
[0012]本發(fā)明提供的TFT背板的制造方法，包括:形成第一金屬層;在所述第一金屬層上形成電容絕緣層;在所述電容絕緣層上形成第二金屬層并圖案化所述第二金屬層，在所述第二金屬層上形成若干鏤空部；在所述第二金屬層上形成絕緣介質(zhì)層;在所述絕緣介質(zhì)層和所述電容絕緣層上形成若干柵極過孔，所述柵極過孔穿過所述第二金屬層的所述鏤空部和所述電容絕緣層由所述絕緣介質(zhì)層延伸至所述第一金屬層;在所述絕緣介質(zhì)層上形成第三金屬層，所述第三金屬層包括位于所述第二金屬層的上方的第一部分及穿過所述柵極過孔與所述第一金屬層相接觸的第二部分。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一金屬層、所述第二金屬層以及夾在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的部分電容絕緣層形成一第一電容，所述第二金屬層、所述第三金屬層的第一部分以及夾在所述第二金屬層和所述第三金屬層的第一部分之間的部分絕緣介質(zhì)層形成一第二電容，所述第二金屬層、所述第三金屬層的第二部分以及夾在所述第二金屬層的側(cè)面和所述第三金屬層的第二部分之間的部分絕緣介質(zhì)層形成一第三電容，所述TFT的存儲電容包括所述第一電容、所述第二電容及所述第三電容。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述存儲電容的面積等于所述第一電容、所述第二電容及所述第三電容的面積之和。
[0015]本發(fā)明通過采用三層金屬，并在第二金屬層上開設(shè)鏤空部，以及在電容絕緣層和絕緣介質(zhì)層上開設(shè)柵極過孔，使第三金屬層可以通過柵極過孔與第一金屬層相連，從而將存儲電容分成三部分，而在有限的版圖面積下增加了存儲電容的面積，有效提高了存儲電容的容量。
[0016]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0017]圖1所示為本發(fā)明TFT背板的剖視示意圖；
[0018]圖2為圖1所示TFT背板的第一金屬層及其下方膜層的平面版圖示意圖，由于氮化硅層、氧化硅層及柵極絕緣層均為透明材料層，因此，在圖中僅可以看到基板、多晶硅層和第一金屬層；
[0019]圖3為圖1所示TFT背板的絕緣介質(zhì)層及其下方膜層的平面版圖示意圖，由于電容絕緣層及絕緣介質(zhì)層均為透明材料層，因此，該兩種絕緣層在圖中均不可見，但為了方便說明，該兩種絕緣層中的開孔仍在圖中有所顯示；
[0020]圖4為圖1所示TFT背板的第三金屬層的平面版圖示意圖，為了便于說明第三金屬層和其下方膜層的對應(yīng)關(guān)系，圖中還示出柵極過孔、多晶硅連接孔以及VDD連接孔；
[0021 ] 其中，300-基板，301-氮化硅層，302-氧化硅層，303-多晶硅層，304-柵極絕緣層，305-第一金屬層，306-電容絕緣層，307-第二金屬層，308-絕緣介質(zhì)層，309-第三金屬層，310-平坦化層，311-陽極，312-鏤空部，313-柵極過孔，314-多晶硅連接孔，315-VDD連接孔，Cl-第一電容，C2-第二電容，C3-第三電容。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對本發(fā)明詳細(xì)說明如下。
[0023]圖1所示為本發(fā)明TFT背板的剖視示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的TFT背板自下而上包括:基板300、位于基板300上的氮化娃層301、位于氮化娃層301上的氧化娃層302、位于氧化硅層302上的多晶硅層303、位于多晶硅層303上的柵極絕緣層304 (GI層，GateInsulat1n Layer)、位于柵極絕緣層304上的第一金屬層305、位于第一金屬層305上的電容絕緣層306(CI層，Capacitance Insulat1n Layer)、位于電容絕緣層306上的第二金屬層307、位于第二金屬層307上的絕緣介質(zhì)層308(ILD層，Insulat1n Dielectric Layer)、位于絕緣介質(zhì)層308上的第三金屬層309、位于第三金屬層309上的平坦化層310、以及位于平坦化層310上的陽極311。
[0024]其中，基板300可以為玻璃基板、金屬基板或聚合物基板，本發(fā)明優(yōu)選為玻璃基板。第一金屬層305可采用金屬鉬。電容絕緣層306可采用氧化硅或氮氧化硅。絕緣介質(zhì)層308可采用臺階覆蓋性好的氧化硅或氮氧化硅，其可以與電容絕緣層306采用同一種材料。第二金屬層307可以與第一金屬層305采用同一種材料。第三金屬層309采用鈦鋁合金，其采用的結(jié)構(gòu)為鈦/鋁/鈦結(jié)構(gòu)，即第三金屬層309由兩層鈦金屬層和夾在該兩層鈦金屬層之間的鋁金屬層組成。
[0025]第一金屬層305作為驅(qū)動TFT的柵極，又作為存儲電容的第一極板。第二金屬層307的一部分位于第一金屬層305的正上方，作為存儲電容的第二極板。第二金屬層307上經(jīng)圖案化形成有若干鏤空部312，這些鏤空部312為電容絕緣層306和絕緣介質(zhì)層308上形成的柵極過孔313預(yù)留空位，使柵極過孔313可以由第二金屬層307上方的絕緣介質(zhì)層308穿過第二金屬層307而到達(dá)第二金屬層307下方的電容絕緣層306。第三金屬層309作為存儲電容的第三極板，其包括位于第二金屬層307正上方的第一部分，以及穿過柵極過孔313而與第一金屬層305相接觸第二部分。通過此種方式，使得最終形成的存儲電容以第一金屬層305和第三金屬層309作為一個(gè)電容極板，以第二金屬層307作為另一個(gè)電容極板，這樣，使得形成的存儲電容包含第一電容Cl、第二電容C2和第三電容C3三個(gè)部分，其中，第一電容Cl由第一金屬層305、第二金屬層307以及夾在第一金屬層305和第二金屬層307之間的部分電容絕緣層306形成，第二電容C2由第二金屬層307、第三金屬層309的第一部分以及夾在第二金屬層3